行政判决书

　　上诉人（一审被告）：中华人民共和国国家知识产权局。住所地：中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。
　　法定代表人：申长雨，该局局长。
　　委托诉讼代理人：刘新蕾，该局审查员。
　　委托诉讼代理人：李婉婷，该局审查员。
　　被上诉人（一审原告、专利权人）：某仪器有限公司。住所地：美利坚合众国纽约州。
　　代表人：格某，该公司高级副总裁。
　　委托诉讼代理人：寇飞，北京市永新智财律师事务所律师。
　　委托诉讼代理人：陈珊，永新专利商标代理有限公司专利代理师。
　　一审第三人（无效宣告请求人）：某半导体设备（上海）股份有限公司。住所地：中华人民共和国上海市浦东新区。
　　法定代表人：尹某，该公司董事长。
　　上诉人中华人民共和国国家知识产权局（以下简称国家知识产权局）与被上诉人某仪器有限公司、一审第三人某半导体设备（上海）股份有限公司发明专利权无效行政纠纷一案，涉及专利权人为某仪器有限公司名称为“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器”的发明专利（以下简称本专利）。针对某半导体设备（上海）股份有限公司就本专利权提出的无效宣告请求，原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（以下简称专利复审委员会）于2018年1月3日作出第34493号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），宣告本专利权全部无效；某仪器有限公司不服，向中华人民共和国北京知识产权法院（以下简称北京知识产权法院）提起诉讼。北京知识产权法院于2020年12月29日作出（2018）京73行初7179号行政判决，判决：撤销被诉决定，国家知识产权局就本专利重新作出决定；国家知识产权局不服，向本院提起上诉。本院于2021年6月7日立案后，依法组成合议庭，并于2021年8月9日询问当事人，上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人刘新蕾、李婉婷，被上诉人某仪器有限公司的委托诉讼代理人寇飞、陈珊到庭接受了询问。某半导体设备（上海）股份有限公司经本院传票传唤未参加询问，不影响本案审理。本案现已审理终结。
　　本案基本事实如下：本专利系名称为“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器”的发明专利，专利权人为某仪器有限公司，专利号为01822507.1，优先权日为2001年2月7日，申请日为2001年8月21日，授权公告日为2006年1月25日。本专利授权公告时的权利要求书如下：
　　“1.一种通过化学汽相沉积在一个或多个晶片上生长外延层的垂直式装置，所述装置包括：
　　一反应腔；
　　具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；
　　用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上并且至少在所述沉积的过程中与之接触；所述晶片托架能够容易地从所述主轴的所述顶端移开，以用于传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片；以及
　　设置在所述晶片托架之下用于其加热的辐射加热元件。
　　2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶片托架与所述可旋转主轴的所述顶端直接接触。
　　3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述晶片托架具有包含用于保持多个所述一个或多个晶片的多个凹座的一顶面。
　　4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，还包含用来将所述晶片托架从可分离安装在所述主轴上的所述位置传送到用于装载或卸载所述一个或多个晶片的所述位置的机械装置。
　　5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述晶片托架有一个包含一中心凹进部分的底面，该中心凹进部分从所述晶片托架的所述底面向上朝所述晶片托架的所述顶面的方向延伸至一凹进部分末端，所述中心凹进部分的所述凹进部分末端位于比所述晶片托架的所述顶面低的一高度处；
　　所述主轴的所述顶端能够插入所述中心凹进部分，从而提供了所述主轴和所述晶片托架之间的接触点，由此所述晶片托架可以由所述主轴支撑。
　　6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述主轴和所述晶片托架之间的所述接触点被设置在所述晶片托架的重心之上，由此所述晶片托架被所述主轴支撑在所述晶片托架的所述重心之上。
　　7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述晶片托架具有大体为圆形的形状，所述晶片托架的所述顶面和所述晶片托架的所述底面大体互相平行。
　　8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述主轴有一转动轴线和大体为圆柱的形状；
　　所述晶片托架的所述底面大体垂直于所述主轴的所述转动轴线；
　　所述主轴的所述顶端终止于大体垂直于所述主轴的所述转动轴线的一大体平直的顶面。
　　9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述主轴的所述顶端具有设置在远离所述主轴的所述顶端的所述大体平直顶面处的一宽阔部分，以及设置在接近于并终止于所述主轴的所述顶端的所述大体平直顶面处的一狭窄部分；所述主轴具有一个凹腔，该凹腔从所述主轴所述顶端的所述大体平直顶面垂直向下延伸到设置在一预定深度处的一凹腔末端；在所述晶片托架的所述底面中的所述中心凹进部分具有设置在远离所述凹进部分末端处的一宽阔部分以及设置在接近所述凹进部分末端处的一狭窄部分；由此，所述晶片托架和所述主轴之间的所述接触点被设置在接近于所述晶片托架的所述底面的所述凹进部分末端的位置。
　　10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述主轴具有预定的直径并且所述主轴中的所述凹腔具有大体为圆柱的形状，所述主轴中的所述凹腔与所述主轴大体共轴线；
　　其中，所述主轴中的所述凹腔的所述预定深度等于所述预定主轴直径的大约3倍到大约4倍。
　　11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述辐射加热元件包含大体与所述可旋转主轴共轴线的一第一辐射加热元件。
　　12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第一辐射加热元件包括接近所述晶片托架的所述底面的一顶面、一内周以及一外周，其中，所述内周长限定了一圆形开口。
　　13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，还包含大体与所述第一辐射加热元件共轴线的一第二辐射加热元件，所述第二辐射加热元件形成一外周，其中，所述第一辐射加热元件的所述内周的半径大于所述第二辐射加热元件的所述外周的半径。
　　14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，至少第二辐射加热元件的一部分被设置在与所述第一辐射加热元件的所述内周限定的所述圆形开口所在平面相同的平面内。
　　15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述第二辐射加热元件包括设置在与所述第一辐射加热元件的所述顶面大体相同高度的一顶面，以及设置在与所述可旋转主轴的所述凹腔末端大体相同高度的一底面。
　　16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，还包括辐射加热护罩。
　　17.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射加热元件用来加热所述一个或多个晶片，所述辐射加热元件被设置在所述反应腔内；
　　所述晶片托架在用于实现所述化学汽相沉积的沉积位置与用于装载和卸载所述一个或多个晶片的装载位置之间是可传送的，在该沉积位置，所述晶片托架可分离地安装在所述可旋转主轴上用于在反应腔内随之旋转；在装载位置，所述晶片托架不被安装在所述可旋转主轴上。
　　18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，当在所述沉积位置时，所述晶片托架与所述主轴直接接触。
　　19.如权利要求18所述的装置，其特征在于，当在所述沉积位置时，所述晶片托架仅由所述主轴支撑。
　　20.如权利要求19所述的装置，其特征在于，当在所述沉积位置时，所述晶片托架被居中地安装在所述主轴上。
　　21.如权利要求20所述的装置，其特征在于，当在所述沉积位置时，所述晶片托架通过摩擦力保持在所述主轴上。
　　22.如权利要求21所述的装置，其特征在于，所述晶片托架具有一个包含用于保持所述一个或多个晶片的一个或多个凹座的顶面，以及一个包含用于在所述沉积位置将所述晶片托架安装在所述主轴上的一中心凹进部分的底面；所述主轴具有设置在所述反应腔内的一顶端，其中，所述主轴的所述顶端可以被插入所述晶片托架的所述中心凹进部分内。
　　23.如权利要求22所述的装置，其特征在于，所述晶片托架的所述底面中的所述中心凹进部分从所述底面向上朝所述晶片托架的所述顶面方向延伸至设置在比所述晶片托架的重心高并且比所述晶片托架的所述顶面低的一高度处的一凹进部分末端，由此，所述晶片托架由所述主轴支撑在所述晶片托架的所述重心之上。
　　24.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述加热装置包含一个或多个辐射加热元件。
　　25.如权利要求17所述的装置，其特征在于，还包含用来在所述沉积位置保持所述晶片托架的独立保持装置。
　　26.如权利要求25所述的装置，其特征在于，所述保持装置与所述主轴的所述顶端整体成形。
　　27.如权利要求17所述的装置，其特征在于，还包含用来在所述沉积位置和所述装载位置之间传送所述晶片托架的机械装置。
　　28.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述装载位置位于所述反应腔之外。
　　29.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述晶片托架支撑并传送多个晶片。”
　　某半导体设备（上海）股份有限公司于2017年5月3日向专利复审委员会提出了无效宣告请求，请求宣告本专利权利要求1-29全部无效。
　　经形式审查合格，专利复审委员会于2017年5月3日受理了上述无效宣告请求并将无效宣告请求书及证据副本转给了某仪器有限公司。
　　某半导体设备（上海）股份有限公司于2017年6月5日提交了无效宣告请求的补充意见陈述书，认为：
　　（1）权利要求1-29不清楚，权利要求1、6-8、17和24-29得不到说明书支持，不符合1992年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称1992年专利法）第二十六条第四款的规定。
　　（2）权利要求1缺少必要技术特征，不符合1992年修订的《中华人民共和国专利法实施细则》（以下简称1992年专利法实施细则）第二十条第二款的规定。
　　（3）权利要求1-3、17-20、24和27-28不具有新颖性，不符合1992年专利法第二十二条第二款的规定。
　　（4）权利要求1-29不具备创造性，不符合1992年专利法第二十二条第三款的规定。
　　某仪器有限公司针对上述无效宣告请求于2017年6月16日和2017年6月19日提交了意见陈述书，并且先后提交了两份修改后的权利要求书，某仪器有限公司在2017年6月19日提交的意见陈述书中明确指出，以2017年6月19日提交的权利要求书（共26项权利要求）为准。
　　专利复审委员会于2017年6月23日将某仪器有限公司于2017年6月16日和2017年6月19日提交的意见陈述和修改的权利要求书以及相关附件转文给某半导体设备（上海）股份有限公司，某半导体设备（上海）股份有限公司于2017年7月24日针对上述修改文本提交了意见陈述书。专利复审委员会于2017年8月11日将上述文件进行转文，某仪器有限公司于2017年8月30日提交了意见陈述书以及授权公告文本，某仪器有限公司在意见陈述书中明确指出要求本专利在授权公告文本的基础上审查。2017年8月31日，某仪器有限公司再次提交了意见陈述书以及权利要求书的全文替换页（共28项权利要求），此次修改在本专利授权公告文本的基础上，并未修改独立权利要求1，将权利要求21的附加技术特征加入权利要求17改写为新的权利要求2，将原权利要求2的附加技术特征与原权利要求17、21合并作为权利要求3的技术方案，对权利要求24主张进行明显错误的澄清式修改，并且对其他权利要求的标号和引用关系作出适应性修改。
　　专利复审委员会于2017年9月5日和2017年9月6日分别将某仪器有限公司于2017年8月30日和2017年8月31日提交的意见陈述以及相关附件转送给某半导体设备（上海）股份有限公司，并于2017年9月11日将某半导体设备（上海）股份有限公司于2017年6月5日的意见陈述书以及相关附件转送给某仪器有限公司。某半导体设备（上海）股份有限公司于2017年10月20日重复提交了2017年6月5日提交的证据1-8，并于2017年10月23日提交了意见陈述书，重申了2017年6月5日的无效理由。某仪器有限公司于2017年10月23日提交了意见陈述书和权利要求书的全文替换页（共28项权利要求），其在授权公告文本的基础上，未修改独立权利要求1，将权利要求25作为新的权利要求2，将原权利要求2修改为从属于权利要求1或权利要求2的权利要求3，删除权利要求17和25，对权利要求24进行明显错误的澄清式修改，并对其他权利要求的编号和引用关系作出适应性修改。修改后的权利要求书为：
　　“1.一种通过化学汽相沉积在一个或多个晶片上生长外延层的垂直式装置，所述装置包括：
　　一反应腔；
　　具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；
　　用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上并且至少在所述沉积的过程中与之接触；所述晶片托架能够容易地从所述主轴的所述顶端移开，以用于传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片；以及
　　设置在所述晶片托架之下用于其加热的辐射加热元件。
　　2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射加热元件用来加热所述一个或多个晶片，所述辐射加热元件被设置在所述反应腔内；
　　所述晶片托架在用于实现所述化学汽相沉积的沉积位置与用于装载和卸载所述一个或多个晶片的装载位置之间是可传送的，在该沉积位置，所述晶片托架可分离地安装在所述可旋转主轴上用于在反应腔内随之旋转；在装载位置，所述晶片托架不被安装在所述可旋转主轴上；
　　所述装置还包含用来在所述沉积位置保持所述晶片托架的独立保持装置。
　　3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述晶片托架与所述可旋转主轴的所述顶端直接接触。
　　4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述晶片托架具有包含用于保持多个所述一个或多个晶片的多个凹座的一顶面。
　　5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，还包含用来将所述晶片托架从可分离安装在所述主轴上的所述位置传送到用于装载或卸载所述一个或多个晶片的所述位置的机械装置。
　　6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述晶片托架有一个包含一中心凹进部分的底面，该中心凹进部分从所述晶片托架的所述底面向上朝所述晶片托架的所述顶面的方向延伸至一凹进部分末端，所述中心凹进部分的所述凹进部分末端位于比所述晶片托架的所述顶面低的一高度处；
　　所述主轴的所述顶端能够插入所述中心凹进部分，从而提供了所述主轴和所述晶片托架之间的接触点，由此所述晶片托架可以由所述主轴支撑。
　　7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述主轴和所述晶片托架之间的所述接触点被设置在所述晶片托架的重心之上，由此所述晶片托架被所述主轴支撑在所述晶片托架的所述重心之上。
　　8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述晶片托架具有大体为圆形的形状，所述晶片托架的所述顶面和所述晶片托架的所述底面大体互相平行。
　　9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述主轴有一转动轴线和大体为圆柱的形状；
　　所述晶片托架的所述底面大体垂直于所述主轴的所述转动轴线；
　　所述主轴的所述顶端终止于大体垂直于所述主轴的所述转动轴线的一大体平直的顶面。
　　10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述主轴的所述顶端具有设置在远离所述主轴的所述顶端的所述大体平直顶面处的一宽阔部分，以及设置在接近于并终止于所述主轴的所述顶端的所述大体平直顶面处的一狭窄部分；所述主轴具有一个凹腔，该凹腔从所述主轴所述顶端的所述大体平直顶面垂直向下延伸到设置在一预定深度处的一凹腔末端；在所述晶片托架的所述底面中的所述中心凹进部分具有设置在远离所述凹进部分末端处的一宽阔部分以及设置在接近所述凹进部分末端处的一狭窄部分；由此，所述晶片托架和所述主轴之间的所述接触点被设置在接近于所述晶片托架的所述底面的所述凹进部分末端的位置。
　　11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述主轴具有预定的直径并且所述主轴中的所述凹腔具有大体为圆柱的形状，所述主轴中的所述凹腔与所述主轴大体共轴线；
　　其中，所述主轴中的所述凹腔的所述预定深度等于所述预定主轴直径的大约3倍到大约4倍。
　　12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述辐射加热元件包含大体与所述可旋转主轴共轴线的一第一辐射加热元件。
　　13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一辐射加热元件包括接近所述晶片托架的所述底面的一顶面、一内周以及一外周，其中，所述内周长限定了一圆形开口。
　　14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，还包含大体与所述第一辐射加热元件共轴线的一第二辐射加热元件，所述第二辐射加热元件形成一外周，其中，所述第一辐射加热元件的所述内周的半径大于所述第二辐射加热元件的所述外周的半径。
　　15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，至少第二辐射加热元件的一部分被设置在与所述第一辐射加热元件的所述内周限定的所述圆形开口所在平面相同的平面内。
　　16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述第二辐射加热元件包括设置在与所述第一辐射加热元件的所述顶面大体相同高度的一顶面，以及设置在与所述可旋转主轴的所述凹腔末端大体相同高度的一底面。
　　17.如权利要求15所述的装置，其特征在于，还包括辐射加热护罩。
　　18.如权利要求2所述的装置，其特征在于，当在所述沉积位置时，所述晶片托架与所述主轴直接接触。
　　19.如权利要求18所述的装置，其特征在于，当在所述沉积位置时，所述晶片托架仅由所述主轴支撑。
　　20.如权利要求19所述的装置，其特征在于，当在所述沉积位置时，所述晶片托架被居中地安装在所述主轴上。
　　21.如权利要求20所述的装置，其特征在于，当在所述沉积位置时，所述晶片托架通过摩擦力保持在所述主轴上。
　　22.如权利要求21所述的装置，其特征在于，所述晶片托架具有一个包含用于保持所述一个或多个晶片的一个或多个凹座的顶面，以及一个包含用于在所述沉积位置将所述晶片托架安装在所述主轴上的一中心凹进部分的底面；所述主轴具有设置在所述反应腔内的一顶端，其中，所述主轴的所述顶端可以被插入所述晶片托架的所述中心凹进部分内。
　　23.如权利要求22所述的装置，其特征在于，所述晶片托架的所述底面中的所述中心凹进部分从所述底面向上朝所述晶片托架的所述顶面方向延伸至设置在比所述晶片托架的重心高并且比所述晶片托架的所述顶面低的一高度处的一凹进部分末端，由此，所述晶片托架由所述主轴支撑在所述晶片托架的所述重心之上。
　　24.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述辐射加热元件包含一个或多个辐射加热元件。
　　25.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述保持装置与所述主轴的所述顶端整体成形。
　　26.如权利要求2所述的装置，其特征在于，还包含用来在所述沉积位置和所述装载位置之间传送所述晶片托架的机械装置。
　　27.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装载位置位于所述反应腔之外。
　　28.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述晶片托架支撑并传送多个晶片。”
　　专利复审委员会于2017年11月2日将某半导体设备（上海）股份有限公司于2017年10月20日和10月23日提交的意见陈述书以及相关附件转给某仪器有限公司，同时，将某仪器有限公司于2017年10月23日提交的意见陈述书以及相关附件转给某半导体设备（上海）股份有限公司，并于2017年11月14日向双方当事人发出口头审理通知书，定于2017年12月18日举行口头审理。
　　2017年11月29日，专利复审委员会向双方当事人发出审查意见通知书，指出某仪器有限公司于2017年10月23日提交的权利要求书的修改文本不符合《专利审查指南》中关于无效宣告程序中对权利要求修改的要求，因此，本无效宣告请求案将以授权公告文本作为审查基础。
　　口头审理如期举行，双方当事人均出席了本次口头审理。
　　专利复审委员会于2018年1月3日作出被诉决定。专利复审委员会在该决定中认定：
　　某仪器有限公司在本无效宣告程序中最后一次提交的修改文本为2017年10月23日提交的权利要求书，其中在授权文本的基础上，未修改独立权利要求1，将权利要求25作为新的权利要求2，将原权利要求2修改为从属于权利要求1或权利要求2的权利要求3，删除权利要求17和25，对权利要求24进行明显错误的澄清式修改，并对其他权利要求的编号和引用关系作出适应性修改。
　　根据《专利审查指南》中对于无效宣告程序中权利要求修改的相关规定，某仪器有限公司在无效宣告程序中可以采用“权利要求的进一步限定”的修改方式，对授权专利的权利要求书进行修改。《专利审查指南》进一步规定：“权利要求的进一步限定是指在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或多个技术特征，以缩小保护范围”。上述规定，明确了“限定”的行为是在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或多个技术特征，也明确了“限定”的结果是“缩小保护范围”。所谓“缩小保护范围”是针对该被修改的权利要求书的原保护范围而言，以缩小后的保护范围替换此前较大的保护范围。
　　某仪器有限公司所作上述修改是在未对独立权利要求1进行修改的情况下，通过将从属权利要求的技术特征组合增加了新的从属权利要求。实质上，某仪器有限公司未对原独立权利要求做出任何限定，原独立权利要求在修改之后仍保留，没有体现“缩小保护范围”的要求。因此，这种修改方式不属于《专利审查指南》允许的“对权利要求的进一步限定”，上述修改文本不能被接受。鉴于提交在后的修改文本视为放弃之前的修改，并以在后文本代替之前的文本，因此，本无效宣告请求审查决定的审查基础是本专利的授权公告文本。
　　在此基础上，专利复审委员会认为本专利的权利要求1、2、17-20、24、27和28不具有新颖性，不符合1992年专利法第二十二条第二款的规定；权利要求3-16、21-23、25-26和29不具备创造性，不符合1992年专利法第二十二条第三款的规定。
　　基于上述理由，专利复审委员会宣告本专利权全部无效。
　　某仪器有限公司不服，于2018年7月16日向一审法院提起诉讼，请求：撤销被诉决定并责令国家知识产权局重新作出决定。事实和理由为：一、被诉决定违反法定程序。（一）违反请求原则。1.被诉决定在对本专利权利要求1的新颖性进行评判时所引用的证据1权利要求12的内容，是某半导体设备（上海）股份有限公司于2017年10月20日新增的证据，超出了举证期限，某半导体设备（上海）股份有限公司在口审时也放弃了该证据及相关意见陈述，因此不是本次无效程序的审查范围。2.在对权利要求1、17、24的新颖性进行评判时，某半导体设备（上海）股份有限公司引用的证据1仅涉及一个衬底和一个加热器，因此，权利要求1、17中多个晶片的技术方案和权利要求24中多个辐射加热元件的技术方案同样不是本次无效程序的审查范围。（二）违反听证原则。专利复审委员会在作出本专利权利要求1、17多个晶片的技术方案、权利要求24的多个辐射加热元件的技术方案相对于证据1缺乏新颖性的决定之前，未给予某仪器有限公司答辩的机会。二、被诉决定事实认定不清，法律适用错误。1.关于无效程序中权利要求的修改。某半导体设备（上海）股份有限公司于2017年10月23日提交的修改后的权利要求满足法律规定的修改原则，也达到了“缩小保护范围”的结果，符合“对权利要求的进一步限定”的修改方式的规定。2.某半导体设备（上海）股份有限公司引用的证据1仅涉及一个衬底和一个加热器，而一个衬底与多个晶片、一个加热器与多个辐射加热元件显然也不属于惯用手段的直接置换，被诉决定错误地认定本专利权利要求1、17中多个晶片的技术方案，权利要求24中多个辐射加热元件的技术方案相对于证据1缺乏新颖性。3.关于本专利权利要求1的新颖性。被诉决定中存在以下事实认定错误：（1）错误地认定证据1的“基座”与本专利的“晶片托架”相同；（2）错误地认定证据1中的“加热器”公开了本专利中的“辐射加热元件”；（3）错误地认定证据1中的“衬底”公开了本专利的“晶片”；（4）基于附图错误认定证据1公开了“容易分离”的特征；（5）错误认定证据1所解决的技术问题、技术方案和预期效果和本专利实质相同。据此，被诉决定错误认定本专利权利要求1一个晶片的技术方案相对于证据1缺乏新颖性。基于相似的理由，亦错误认定权利要求1多个晶片的技术方案缺乏新颖性。4.关于权利要求2、17-20、24、27和28的新颖性。在权利要求1相对于证据1具有新颖性的基础上，直接或间接从属于权利要求1的权利要求2、17-20、24、27和28相对于证据1同样具有新颖性。此外，被诉决定还错误地认为证据1公开了权利要求2、18中的晶片托架与可旋转主轴的顶端“直接接触”以及权利要求19中晶片托架“仅由主轴支撑”的特征。5.关于权利要求1-29的创造性。（1）作为最接近的现有技术的证据1的发明构思与本专利存在实质差异，不应作为重构本发明的技术改进起点。（2）证据6的发明构思与证据1及本专利存在实质差异，证据6未公开权利要求5中主轴的顶端插入中心凹进部分从而提供主轴和晶片托架之间的接触点，由此晶片托架可由主轴支撑的附加技术特征未公开；也没有公开权利要求21中以摩擦力将晶片托架保持在主轴上的技术启示。（3）证据7的发明构思与证据1及本专利存在实质差异，被诉决定错误地认定证据7的支撑轴的中空中心能够从客观上达到减少支撑轴热损耗的作用，公开了减少支撑轴热损耗的作用，公开了减少热损耗的技术启示，进而得出权利要求9-16相对于证据1与证据6、7的结合缺乏创造性的错误结论。（4）关于公知常识的认定。被诉决定中10多处涉及公知常识的认定，既未进行举证，亦未充分说理，如：权利要求1中的辐射加热元件，权利要求6、23中的独立保持装置在晶片托架的重心之上，权利要求10中的凹腔深度，权利要求15中的第二辐射加热元件沿旋转轴设置，权利要求25-26中的独立保持装置，以及权利要求3、22中的多个凹座设置，权利要求9中的主轴顶端的宽窄设置，权利要求29中的多个晶片设置，直接被认定为公知常识。可见，被诉决定将多于3篇的对比文件以及公知常识结合来评价本专利的创造性，且“能够”只是一种技术上的可行性，并不代表着具有“会”的动机，预料不到的技术效果也不是发明具备创造性的要件。
　　国家知识产权局一审辩称：一、证据1作为一篇证据整体而言在2017年6月5日已经被提出，在该证据1中并不涉及加热方式的改进，权利要求12是针对附图2、4、5中加热器20的唯一解释，并不属于证据1中不同于附图2、4、5的其他技术方案，某半导体设备（上海）股份有限公司据此对于其技术术语进行说明以回应某仪器有限公司对于此特征的质疑，该证据1中对于存疑名词的解读仍然是基于证据1公开的一个完整的技术方案，不属于超期证据内容。二、权利要求1、17请求保护一种垂直式装置，根据该装置制备的产品将装置分为多个并列技术方案是没有依据的，参见被诉决定理由部分第3点第（1）项中对于新颖性的评述中，并没有涉及某仪器有限公司主张的程序违法的内容。权利要求24进一步限定了一个或者多个辐射元件，证据1公开了一个辐射元件，公开了该“一个或者多个”的附加技术特征。三、根据《专利审查指南》中对于无效宣告程序中权利要求修改的相关规定，专利权人在无效宣告程序中可以采用“权利要求的进一步限定”的修改方式，对授权专利的权利要求书进行修改。《专利审查指南》进一步规定，“权利要求的进一步限定是指在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或多个技术特征，以缩小保护范围”。上述规定明确了“限定”的行为是在权利要求中被入其他权利要求中记载的一个或多个技术特征，也明确了“限定”的结果是“缩小保护范围”。所谓“缩小保护范围”是针对该被修改的权利要求书的原保护范围而言，以缩小后的保护范围替换此前较大的保护范围。对于上述修改文本，上述修改是在未对独立权利要求1进行修改的情况下，通过将从属权利要求的技术特征组合增加了新的从属权利要求。实质上，某仪器有限公司未对原独立权利要求做出任何限定，原独立权利要求在修改之后仍保留，没有体现“缩小保护范围”的要求。因此，这种修改方式不属于《专利审查指南》允许的“对权利要求的进一步限定”，上述修改文本不能被接受。四、对于某仪器有限公司提及的特征比对，在被诉决定中已经充分论述，坚持决定中的意见。五、对于创造性，某仪器有限公司并没有涉及具体问题作出论述，坚持决定中的意见。六、被诉决定中已经对某仪器有限公司所主张的公知常识进行了说理。综上，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审查程序合法，审查结论正确，某仪器有限公司的诉讼请求不能成立，请求驳回其诉讼请求。
　　某半导体设备（上海）股份有限公司一审未陈述意见。
　　一审法院认为：
　　（一）关于程序问题
　　某半导体设备（上海）股份有限公司提出的无效宣告请求中包含了权利要求1、17、24所要求保护的技术方案相对于证据1不具有新颖性的理由，被诉决定对此作出审查认定并不违反请求原则，至于本专利权利要求1、17中的一个或多个晶片、一个或多个辐射加热元件应理解为一个完整技术方案还是并列技术方案则属于对权利要求的理解等实体认定问题，不属于程序问题，因此，被诉决定并不违反请求原则；同理，亦不违反听证原则。综上，某仪器有限公司关于被诉决定程序违法的相关主张不能成立，一审法院不予支持。
　　（二）关于某仪器有限公司于2017年10月23日提交的权利要求的修改文本是否应予接受的问题
　　本案中，判断某仪器有限公司对本专利权利要求的修改是否应被接受，需要从其对权利要求的修改方式和修改内容两个方面作出具体判断。
　　1.关于修改方式。《专利审查指南》第四部分第三章第4.6.2节指出，专利权人在无效宣告程序中可以采用“权利要求的进一步限定”的修改方式，对已授权专利的权利要求进行修改；同时明确了，权利要求的进一步限定是指在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或者多个技术特征，以缩小保护范围。可见，《专利审查指南》中对于“权利要求的进一步限定”修改方式所作规定并未明确要求必须是针对独立权利要求进行的限定。而且，虽然《专利审查指南》规定无效宣告程序中对权利要求的修改方式一般限于权利要求的删除、技术方案的删除、权利要求的进一步限定、明显错误的修正，但并未完全排除存在其他修改方式的可能性。无效宣告程序中，修改方式作为手段，应当着眼于实现对权利要求书的修改满足不得超出原说明书和权利要求书记载的范围以及不得扩大原专利的保护范围两大法律标准的立法目的，兼顾行政审查行为的效率与公平保护专利权人的贡献，而不宜对具体修改方式作出过于严格的限制，否则将使得对修改方式的限制纯粹成为对专利权人权利要求撰写不当的惩罚。本案中，某仪器有限公司对本专利权利要求的修改方式，系在从属权利要求中补入其他从属权利要求的特征从而增加新的从属权利要求，该种修改方式属于对权利要求的进一步限定。
　　2.关于修改内容。如前所述，判断专利权人在无效宣告行政程序中对权利要求的修改是否应当被接受，应当以不得扩大原专利的保护范围和不得超出原说明书和权利要求书记载的范围为标准。本案中，某仪器有限公司在无效宣告程序中虽然对从属权利要求作出了修改，但并未对保护范围最大的独立权利要求1进行修改，因而并未扩大本专利的保护范围。而且，上述从属权利要求修改后增加的技术方案，属于本领域技术人员在阅读本专利说明书后，能够从说明书中明确推导出来的技术方案。综上，本专利权利要求的修改并未扩大本专利的保护范围，亦未超出原说明书和权利要求书记载的范围。某仪器有限公司关于权利要求的修改文本应予接受的诉讼理由成立，一审法院予以支持。
　　（三）关于新颖性和创造性
　　鉴于被诉决定对某仪器有限公司上述权利要求的修改文本未予接受，而是以本专利授权公告文本为基础进行了新颖性和创造性审查，该审查基础发生了错误，国家知识产权局应在某仪器有限公司于2017年10月23日提交的权利要求的修改文本的基础上重新进行新颖性和创造性审查。为避免当事人审级利益损失，一审法院在此不再对本专利的新颖性和创造性作出评述，国家知识产权局应当依据某仪器有限公司修改后的权利要求重新作出认定。
　　一审法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第二项之规定，判决：“一、撤销中华人民共和国国家知识产权局作出的第34493号无效宣告请求审查决定；二、被告中华人民共和国国家知识产权局就专利号为第01822507.1、名称为“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器”的发明专利重新作出决定。案件受理费人民币一百元，由被告中华人民共和国国家知识产权局负担（于本判决生效之日起七日内交纳）。”
　　国家知识产权局不服一审判决，向本院提起上诉，请求：撤销一审判决，维持被诉决定，驳回某仪器有限公司的诉讼请求。事实和理由：本案的口审日期是2017年12月18日，在此之前，国家知识产权局作出了对《专利审查指南》的修改，2017年4月1日起实施的《专利审查指南》第四部分第三章第4.6.2节规定：“权利要求的进一步限定，是指在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或者多个技术特征，以缩小保护范围。”对于无效阶段权利要求的修改原则，要与实质审查和复审审查阶段的修改作出明显区分。行政机关部门规章对“无效程序”中权利要求的修改作出了详细的规定，《专利审查指南》规定的在无效程序中对权利要求的修改的原则是基于专利权的本质和权利特性而出发。专利权的特征是以技术贡献换取与之相称的合法垄断地位的排他权。专利权的保护范围以权利要求的内容为准，授权公告的权利要求具有公示作用：公示专利权人所拥有的排他性权利的范围，社会公众据此可以预测、评价自身行为是否侵犯专利权。在授权后的确权程序中，各国专利法普遍对修改专利文件的方式和时机作出一定的限制。有限的修改时机和方式，既体现了授权程序与确权程序的不同分工，也体现了确权程序对专利权人权利和社会公众信赖利益的平衡。修改后的《专利审查指南》适度放开了无效宣告程序中专利权人修改专利文件的方式，允许在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或多个技术特征以缩小保护范围，有利于专利权人作出相应合理的修改以避免专利权被宣告无效，从而提高了专利权人以及专利申请人发明创造的积极性。需要指出的是，在授权程序中，申请人是主动撰写并提交申请文本，通过与审查员之间的磋商，在权利要求的修改上拥有较大的自由度和时机；而在无效程序中，专利权人是出于应对请求人提出的质疑而修改权利要求，是一种不得已的补救措施，既受到请求人无效宣告理由的影响，也受到授权程序所确定的权利要求布局的限制。无效阶段的修改需要平衡不同主体的利益诉求。一方面，平衡无效宣告程序中双方当事人的权利与义务，请求人针对授权文本提出无效理由，专利权人针对无效理由作出修改，请求人针对修改增加无效理由，强调双方当事人相互行为的“针对性”，体现了对双方当事人程序权利的对等考量。另一方面，平衡专利权垄断边界与社会公众信赖预期之间的关系。一件专利申请获得授权后，社会公众在阅读专利文件之后，不仅针对其保护范围最大的独立权利要求建立了信赖利益，针对其权利要求书中的每一项权利要求，都会建立信赖利益。如果在原权利要求不变的情况下允许新增一个保护范围较小的权利要求，同样损害了社会公众的信赖利益。无效宣告程序通常与专利侵权纠纷相关联，经过无效宣告程序的审查，专利权利要求的效力及其保护范围应当有了清楚的答案，权利要求的效力与边界应当更加清楚、明确。另外，对于正在审理的侵权案件而言，权利要求的稳定固然重要，但脉络清晰的修改预期以及权利要求体系的一贯性，对于侵权案件的审理预期同样重要。如果权利要求在修改的基础上被维持有效，则该修改后的权利要求也应当是可以预见的。增加权利要求、改变权利要求层次体系，将会导致专利侵权程序面临全新的问题和挑战，拖长纠纷处理的期限，不利于实质性争议的解决，专利侵权案件审理周期长这一问题的解决更是无从谈起。因此，修改后的《专利审查指南》将修改方式由“权利要求的合并”调整为“权利要求的进一步确定”，一方面使得专利权人拥有较之以往更为灵活的修改方式，另一方面也保证了修改后得到维持的权利要求书的技术特征此前均有记载、保护范围进一步缩小、层次结构无实质变化，从而有利于侵权纠纷审理程序有效地进行。可见，《专利审查指南》中明确规定了无效阶段权利要求修改的方式，2017年4月1日开始实施的《专利审查指南》修改中也对此问题适应性作出修改。被诉决定中对于文本的认定相比一审法院考虑更加全面，更加有利于平衡专利权人与社会公众的关系，不存在错误。一审判决中的认定原则“判断专利权人在无效宣告行政程序中对权利要求的修改是否应当被接受，应当以不得扩大原专利的保护范围和不得超出原说明书和权利要求书记载的范围为标准”的考虑问题过于片面，过于机械。如此认定，对于维护专利权这种对世权的稳定性以及公众信赖利益负面影响较大，实属不妥。因此，原审判决中认定的上述认定原则以及基于该结论得到的裁判结果均属不妥，应予纠正。在被诉决定文本应该被认可的情况下，国家知识产权局对于新颖性和创造性的评述，事实认定清楚，法律适用正确。
　　某仪器有限公司辩称：某仪器有限公司在无效宣告程序中对权利要求的修改应当被接受，对权利要求的修改方式符合《专利审查指南》的相关规定。新的权利要求2仅编号改变。新的权利要求3-28因为直接或间接引用新的权利要求2，补入了新的权利要求2的多个技术特征，也达到了“缩小保护范围”的结果，符合前述《专利审查指南》中就无效程序中“权利要求的进一步限定”的修改方式的规定，即“在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或者多个技术特征，以缩小保护范围”。需要明确的是，《专利审查指南》中对于“权利要求的进一步限定”的修改方式所作规定并未明确要求必须是针对独立权利要求进行的限定，也未明确要求独立权利要求必须缩小保护范围。被诉决定错误认为该修改方式必须对原独立权利要求作出限定，并错误认为权利要求书，而非权利要求的保护范围必须缩小，实则是要求独立权利要求必须缩小保护范围。判断修改后的权利要求是否扩大了原专利的保护范围，应以原专利的独立权利要求的保护范围为基准。即，应当将修改后的权利要求与原专利保护范围最大的独立权利要求进行比较。原专利保护范围最大的独立权利要求1由于未作修改，因此原专利的保护范围不变，并未扩大。而新的权利要求3-28的保护范围经进一步限定后缩小。因此，本专利权利要求的修改未扩大原专利的保护范围，符合2010年修订的专利法实施细则第六十九条的规定。修改后的从属权利要求的技术方案属于能够从说明书中直接、明确推导出的技术方案。综上，某仪器有限公司在无效宣告程序中对权利要求的修改满足不得超出原说明书和权利要求书记载的范围以及不得扩大原专利的保护范围两大法律标准的立法目的，同时也符合《专利审查指南》的相关规定，应当被接受。即便以本专利的授权公告文本作为审查基础，本专利的权利要求1-29仍具有新颖性和创造性，符合1992年专利法第二十二条第二款、第三款的规定。
　　某半导体设备（上海）股份有限公司未作陈述。
　　国家知识产权局二审提交两份文件：1.2017年创新主体宣讲中，主讲人的发言提纲打印件；2.2017年11月3日《中国知识产权报》发表文章《对“权利要求的进一步限定”的理解与适用》。
　　某仪器有限公司质证意见：上述文件不具有法律效力，不能作为解释《专利审查指南》的法律依据。
　　本院认证意见：以上两份材料均系个人演讲稿或者文章，并非被诉决定作出的事实或者法律依据，不能作为证据予以接受。
　　本院经审理查明：一审法院认定的事实属实，本院予以确认。
　　本院认为：本案涉及某仪器有限公司提交本专利权利要求书修改文本的日期为2017年10月23日，在2008年专利法施行日（2009年10月1日）之后、2020年修正的专利法施行日（2021年6月1日）之前，故关于修改文本是否应当接受的问题应适用2008年修正的专利法及2010年修订的专利法实施细则。本案二审争议焦点是：某仪器有限公司于2017年10月23日提交的权利要求书修改文本是否应予接受。
　　2008年修正的专利法第三十三条规定：“申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。”2010年专利法实施细则第六十九条第一款规定：“在无效宣告请求的审查过程中，发明或者实用新型专利的专利权人可以修改其权利要求书，但是不得扩大原专利的保护范围。”
　　专利法及其实施细则所规定的是权利要求书修改的基本原则，而制定具体的修改规则属于国家知识产权局作为国务院专利行政部门的职责范围，但其制定的具体规则（主要体现于《专利审查指南》中），必须遵循专利法及专利法实施细则的规定。根据专利法及其实施细则的规定，国家知识产权局2017年修订的《专利审查指南》第四部分第三章第4.6节规定了无效宣告程序中专利文件的修改，其中4.6.1规定了修改原则，内容包括：“发明或者实用新型专利文件的修改仅限于权利要求书，其原则是：（1）不得改变原权利要求的主题名称。（2）与授权的权利要求相比，不得扩大原专利的保护范围。（3）不得超出原说明书和权利要求书记载的内容。”4.6.2规定了修改方式，内容包括：“在满足上述修改原则的前提下，修改权利要求书的具体方式一般限于权利要求的删除、技术方案的删除、权利要求的进一步限定、明显错误的修正。权利要求的删除是指从权利要求书中去掉某项或者某些项权利要求，例如独立权利要求或者从属权利要求。技术方案的删除是指从同一权利要求中并列的两种以上技术方案中删除一种或者一种以上技术方案。权利要求的进一步限定是指在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或者多个技术特征，以缩小保护范围。”无效宣告程序中的修改方式“权利要求的进一步限定”是此次《专利审查指南》修订的内容之一，此前仅规定了权利要求删除、合并或者技术方案删除的修改方式，其中权利要求合并的修改方式对于社会公众的预期虽然是清晰的，但是同时也给专利权人带来了过多的限制，后果是修改的余地过小，形成过窄的保护范围，很有可能抹杀了专利权人相对于现有技术作出的技术贡献，不利于技术创新。而将权利要求的合并改为对“权利要求的进一步限定”，则使专利权人的选择余地更大，体现了国家知识产权局作为国务院专利行政部门积极回应专利权人的呼声，加强审查程序精细化的举措，该作法可以尽可能地保留专利权人认为的对现有技术作出改进的最有价值的技术特征，又不损害社会公众的信赖利益。
　　发明或者实用新型权利要求书中记载的无论是独立权利要求，还是从属权利要求，每一项权利要求均是一个完整的技术方案，拥有各自大小不同的保护范围。在2017年修订的《专利审查指南》中，并未规定专利权人采用进一步限定的修改方式时，必须对独立权利要求作出限定。本案中，某仪器有限公司于2017年10月23日提交的权利要求书修改文本中，在授权公告文本的基础上，未对权利要求1进行修改，删除原权利要求17，将原权利要求25作为新的权利要求2，将原权利要求2修改为从属于权利要求1或权利要求2的权利要求3。从上述修改方式和修改内容来看，首先，某仪器有限公司对权利要求1未进行修改，也不存在修改超范围的问题；其次，对于将原权利要求25作为新的权利要求2的修改，由于原权利要求17、25直接或间接从属于权利要求1，新权利要求2的保护范围与原权利要求25的保护范围相同，属于删除式修改；再次，新权利要求3形成两项技术方案，其中从属于权利要求1的技术方案即原权利要求2的技术方案，从属于新权利要求2的技术方案相当于在原权利要求2的基础上补入了原权利要求17、25的全部附加技术特征，达到了以缩小保护范围的目的。因此，上述修改符合《专利审查指南》对“删除权利要求”“进一步限定”修改方式的要求，不违反2008年修正的专利法及其实施细则的规定。
　　国家知识产权局上诉提出，专利确权程序中的修改，应当是就无效宣告请求指出的缺陷有针对性的修改。对此，本院认为，本案无效宣告请求人某半导体设备（上海）股份有限公司提出的无效理由包括原权利要求1-29不具备创造性，不符合1992年专利法第二十二条第三款的规定，某仪器有限公司针对原权利要求不具备创造性的无效理由进行修改亦属于就无效请求人指出的缺陷进行针对性的修改。据此，国家知识产权局对于未修改独立权利要求，而仅修改从属权利要求的修改请求不予接受，没有法律依据，一审法院予以纠正并无不妥。一审法院认定本专利权利要求的修改并未扩大本专利权的保护范围，亦未超出原说明书和权利要求书记载的范围，并无不当。
　　综上所述，国家知识产权局的上诉理由不能成立，对其上诉请求本院不予支持。一审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。根据《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：
　　驳回上诉，维持原判。
　　二审案件受理费100元，由中华人民共和国国家知识产权局负担。
　　本判决为终审判决。