近期，最高人民法院知识产权法庭审结一起集成电路布图设计撤销行政纠纷上诉案件，在明确涉案布图设计独创性认定基础上，进一步阐述了布图设计中公认的常规设计的判断方法。
　　本案涉及权利人为赛某公司、登记号为BS.1250XXXX.2、名称为“集成控制器与开关管的单芯片负极保护的锂电池保护芯片”的集成电路布图设计（以下简称本布图设计）。
　　晶某公司针对本布图设计向国家知识产权局提交集成电路布图设计专有权撤销意见书，以本布图设计不符合《集成电路布图设计保护条例》（以下简称布图设计条例）第四条的规定为由，请求撤销本布图设计专有权。国家知识产权局作出第7号集成电路布图设计撤销程序审查决定（以下简称被诉决定），维持本布图设计专有权有效。晶某公司不服，向北京知识产权法院（以下简称一审法院）提起诉讼，理由为：本布图设计独创点1-4整体属于现有布图设计，本布图设计不具有独创性。证据6与本布图设计独创点1-4整体相比较，区别仅在于功率PMOS管同功率NMOS管的替换。而NMOS管与PMOS管的制备工艺过程实质是相同的，其布图设计实质是相同的。两者在细节上的区别不是本布图设计的独创点，将PMOS管替换为NMOS管是本领域的常规技术手段。综上，本布图设计不符合布图设计条例第四条的规定，请求撤销被诉决定，并判令国家知识产权局重新作出决定。
　　一审法院认为，在判断独创性时，应将独创点1-4在本布图设计中所对应的部分作为一个整体考虑。对于PMOS管和NMOS管而言，即使二者在结构上相互对称、功能上可以互换，但在集成电路布图设计的三维配置和布图层次中，不宜认定二者可随意简单替换。综上，在案证据不足以证明独创点1-4整体所对应的布图设计属于公认的常规设计。因此本布图设计具备独创性。一审法院据此驳回晶某公司的诉讼请求。
　　晶某公司不服一审判决，向最高人民法院提起上诉。
　　最高人民法院二审认为，权利人的独创性说明对于判断布图设计的独创性具有参考作用，其可能从不同角度对独创性部分予以描述或者概括，但不一定包含对三维配置内容的描述，在对权利人指明的部分进行独创性判断时，应结合权利人的独创性说明，将权利人指明部分中含有的元件和线路的具体三维配置作为判断对象。集成电路布图设计从抽象概念到物理实现可分为不同的层级，通常包括逻辑设计、电路设计和布图设计。每个层级的设计理念、设计原理、设计方式等均有所差异，故每个层级的常规设计亦有多种可能的选择。集成电路布图设计中公认的常规设计，是指布图设计创作者和集成电路制造者可以从布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料中获取的设计，以及根据基本的设计原理容易想到的设计。故判断一项布图设计是否属于集成电路布图设计中公认的常规设计，其依据的技术资料、应用对象都应当限定为更为具体的布图设计层面，而通常不是泛指更为抽象的逻辑设计或者电路设计层面。在布图设计中，NMOS管和PMOS管基于有源区、源极接触、漏极接触不同的掺杂类型实现不同导电类型的沟道，并非单纯的对称关系或复制关系，其实现过程需制作不同掺杂区域，并导致工艺和布图的差别，在面积和阻抗方面的差异较为明显。即便在电路原理图中NMOS管和PMOS管的替换容易想到，设计者在进行布图设计时依然不仅需要考虑整体电路的适配和连接关系的调整，还需考虑元器件的选用，例如不仅不同类型的晶体管，即使是同一类型的晶体管也具有多种不同的布图表达形式。本案中，证据6与本布图设计不仅在MOS管选择上存在差异，其对应布图层数、与其他元件的连接关系均不同，本布图设计的NMOS管相较于证据6的PMOS管多出了深阱层，NMOS管和PMOS管的源极、漏极、栅极连接关系各不相同，上述差异化的晶体管布图设计即是综合各种因素的体现，晶某公司的现有证据不足以证明将证据6中的PMOS管替换为本布图设计的NMOS管是集成电路布图设计领域中公认的常规设计。综上，被诉决定和一审判决的认定并无不当。
　　该案二审判决对集成电路布图设计独创性的认定以及公认的常规设计的判断进行了阐释，对于进一步厘清集成电路布图设计撤销行政纠纷的审理思路，特别是对于公认的常规设计的认定具有一定参考价值。