上诉人（一审原告）：苏州某某电子科技股份有限公司。住所地：中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区。
　　法定代表人：谭某。
　　委托诉讼代理人：朱爱军，广东君龙律师事务所律师。
　　委托诉讼代理人：杨霞，广东君龙律师事务所律师。
　　被上诉人（一审被告）：国家知识产权局。住所地：北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。
　　法定代表人：申长雨，该局局长。
　　委托诉讼代理人：孙学锋，该局审查员。
　　委托诉讼代理人：林冠，该局审查员。
　　一审第三人：成都某某半导体科技股份有限公司。住所地：中国（四川）自由贸易试验区成都高新区。
　　法定代表人：杨某。
　　委托诉讼代理人：韩雪，成都九鼎天元知识产权代理有限公司专利代理师。
　　委托诉讼代理人：封浪，成都九鼎天元知识产权代理有限公司专利代理师。
　　上诉人苏州某某电子科技股份有限公司（以下简称苏州某公司）与被上诉人国家知识产权局及一审第三人成都某某半导体科技股份有限公司（以下简称成都某公司）集成电路布图设计行政纠纷一案，涉及权利人为苏州某公司、名称为“集成控制器与开关管的单芯片负极保护的锂电池保护芯片”、登记号为BS.12500520.2的集成电路布图设计（以下简称本布图设计）专有权。针对苏州某公司就成都某公司侵犯本布图设计专有权提出的行政裁决请求，国家知识产权局于2019年12月27日作出集侵字[2019]1号集成电路布图设计行政执法委员会行政裁决书（以下简称被诉裁决），认定成都某公司生产、销售的RY2203芯片（以下简称被诉侵权芯片）不侵犯苏州某公司所拥有的本布图设计专有权；苏州某公司不服，向北京知识产权法院（以下简称一审法院）提起诉讼，请求撤销被诉裁决，并判令国家知识产权局重新作出裁决。一审法院于2022年1月12日作出（2020）京73行初713号行政判决，驳回苏州某公司的诉讼请求；苏州某公司不服，向本院提起上诉。本院于2022年5月10日立案受理，依法组成合议庭，并于2022年10月28日询问当事人，上诉人苏州某公司的委托诉讼代理人朱爱军、杨霞，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人孙学锋、林冠，一审第三人成都某公司的委托诉讼代理人韩雪、封浪到庭参加诉讼。本案现已审理终结。
　　本案基本事实如下：本布图设计申请日为2012年4月22日，公告日为2012年6月8日，首次商业利用日2011年12月20日，权利人为苏州某公司。苏州某公司在登记时提交了图样17页以及型号为XB5351的芯片5颗。
　　苏州某公司向国家知识产权局请求处理成都某公司侵犯其本布图设计专有权，并主张本布图设计具有6个独创点。主要理由为成都某公司生产销售的被诉侵权芯片产品的布图设计与本布图设计独创点1高度相似，侵犯苏州某公司的本布图设计专有权。
　　2019年8月26日，国家知识产权局举行第一次口头审理。第一次口头审理过程中，经双方当事人同意，国家知识产权局委托北京紫图知识产权司法鉴定中心（以下简称紫图鉴定中心）对被诉侵权芯片的布图设计与本布图设计是否相同进行鉴定。紫图鉴定中心委托北京芯愿景软件技术有限公司对被诉侵权芯片进行剖析，并分别与本布图设计图样、苏州某公司登记时提交的XB5351芯片的布图设计进行了分析比对。
　　在鉴定过程中，苏州某公司提交了本布图设计的独创性说明及侵权比对分析，其中独创性说明主要内容如下：
　　创新设计点1：衬底切换NMOS管MF、MC与单开关NMOS管M0布图于同一晶圆衬底上的布图结构。
　　创新设计点2：独创性区域A中的衬底切换NMOS管MF和MC镶嵌在单开关NMOS管M0中的电路布图结构。
　　创新设计点3：独创性区域A中的衬底切换NMOS管MF、MC均匀镶嵌到单开关NMOS管M0内的电路布图结构。
　　创新设计点4：独创性区域A中的衬底切换NMOS管MF、MC与单开关NMOS管M0大小比例MC:MO：MF在1:4:1至1:12:1之间。
　　创新设计点5：独创性区域A中的单开关NMOS的源极与GND连接、漏极与VM连接、栅极与控制电路中栅极控制电路的输出端连接的电路布图结构。
　　创新设计点1-5在独创性区域A中，独创性区域A为单开关NMOS管MO与衬底切换NMOS管MF、MC所在的区域，MO与MF、MC的链接关系与图d等效电路图一致，所以独创性区域A即实现图d中电路元器件的区域。
　　创新设计点6：在锂电池保护领域，过温保护电路与单开关NMOS管布图于同一晶圆衬底上。创新设计点6在独创性区域B中。
　　2019年11月26日，紫图鉴定中心出具编号为北京紫图[2019]知鉴字第14号《司法鉴定意见书》（以下简称鉴定意见），鉴定意见为：被诉侵权芯片的布图设计与苏州某公司登记时提交的本布图设计图样和芯片样品中所主张的具有独创性的部分，两者各对应部分不相同也不实质相同。
　　2019年12月3日，国家知识产权局举行第二次口头审理。在第二次口头审理过程中，苏州某公司和成都某公司对鉴定意见的真实性、合法性没有异议。
　　苏州某公司认为，鉴定意见对本布图设计创新点和独创点的理解有误会。本布图设计的创新点主要体现在：一是将衬底切换NMOS管MF、MC与单开关NMOS管MO设置于同一晶圆上形成同一个芯片，而不是传统的控制电路芯片和双开关NMOS芯片作为两个芯片存在；二是将加上衬底切换电路后的两个开关管变为一个，实现单开关管完成双开关MOS管的功能；三是将过温保护电路集成在一起，可以随时检测电路温度。创新设计点1-4是从不同角度对同一区域进行的描述，鉴定意见应当将区域A中的创新设计点1-4分别进行比对以确认是否相同，而不应该将其放在一起进行论证。A、B两个独创性区域均包含两部分因素，一是独创性设计，二是常规设计。如果把本布图设计中独创性部分划定在鉴定意见中所述的Cell1和Cell2单元的组合上，那么本布图设计和被诉侵权芯片都是以该组合为基础重复排布所形成的布图设计，二者没有区别。鉴定意见是对两个芯片的某些区域进行的比对，没有按照苏州某公司的独创性说明中的创新设计点进行比对。虽然二者布图设计的形状、晶体管的数量、连线等的确不相同，但不相同并不意味着实质不同。
　　2019年12月27日，国家知识产权局作出被诉裁决。裁决认为：
　　（一）明确独创性的时机
　　由《集成电路布图设计保护条例》（以下简称布图设计条例）规定可知，受保护的布图设计必须具备独创性，该独创性可以体现在登记的布图设计的全部内容中，也可以体现在登记的布图设计的部分内容中。
　　本案中，苏州某公司三次陈述本布图设计的独创性：第一次是在提出请求时；第二次是在技术鉴定过程中，苏州某公司应紫图鉴定中心要求提交了独创性说明；第三次是在第二次口头审理过程中，苏州某公司主张将Cell1+Cell2组成的单元作为独创性部分将其与被诉侵权芯片的布图设计进行比对。成都某公司认为，不应采纳苏州某公司在鉴定程序中提交的独创性说明及其在第二次口头审理中提出的独创性主张，而仅应当采纳苏州某公司在提出请求时所提出的独创性说明。
　　国家知识产权局认为，一般而言，独创性说明是布图设计侵权案件中进行侵权判断的基础。鉴于我国布图设计专有权保护的法律体系中没有要求布图设计申请人在登记阶段提交独创性说明，因此应当允许布图设计权利人在案件的处理过程中对其独创性作出说明。权利人在案件处理过程进行独创性说明，以及对该说明进行调整和修改，是其行使其布图设计专有权这一实体权利的自然延伸，应当允许。但是，为了保证案件的正常审理，并基于对方当事人对权利基础的信赖利益的保护，显然不能给予权利人过度灵活调整独创性主张的空间，权利人应当在侵权与否的实体比对实质性进行之前明确其独创性主张并加以确定。
　　在本案中，苏州某公司在提出请求时明确提出本布图设计具有6个独创点，并认为被诉侵权芯片产品的布图设计与本布图设计独创点1高度相似，侵犯苏州某公司的本布图设计专有权。在鉴定过程中，苏州某公司又根据紫图鉴定中心的要求对上述6个独创点进行了进一步说明。紫图鉴定中心根据苏州某公司进一步明确后的独创性说明进行了技术鉴定，并给出了鉴定意见。请求书和鉴定过程中的独创性说明，国家知识产权局分别在第一次和第二次口头审理之前转送给成都某公司，成都某公司进行了针对性的意见陈述。因此，应当采纳苏州某公司在鉴定程序中提交的独创性说明作为本布图设计的权利基础。至于苏州某公司在第二次口头审理中提出的以Celll+Cell2单元组合作为其独创性的主张，由于该主张并未在第二次口头审理之前提及，且第二次口头审理是在鉴定意见作出后举行的，故在此时提出新的独创性主张超出了国家知识产权局和对方当事人的合理预期，既对对方当事人形成了突然袭击，也令基于苏州某公司自身的在先主张作出的鉴定意见丧失了意义，不具有合理性。苏州某公司在第二次口头审理过程中关于在庭审辩论结束前可以修改独创性说明的主张不具备合法性和合理性，应不予认可，本布图设计在本案中的保护范围以苏州某公司于2019年10月28日应紫图鉴定中心的要求提交的独创性说明为准。
　　（二）鉴定意见的采信
　　国家知识产权局认为，本案鉴定程序合法有效，紫图鉴定中心和鉴定人员的选择符合相关规定，双方当事人对鉴定意见本身没有异议，因此，对鉴定意见应予采信。
　　（三）独创性部分的指明方式及其要求
　　国家知识产权局认为，在本案中，苏州某公司将本布图设计划分为A、B区域，并对6个“创新设计点”进行了文字描述。其中创新设计点1-5位于区域A中，创新设计点6位于区域B中。苏州某公司以该6个创新设计点为基础，经比对认为被诉侵权芯片侵害了苏州某公司的本布图设计专有权。
　　首先，关于独创性区域的划分。本布图设计涉及的集成电路所要实现的功能是由单开关NMOS来实现锂电池的保护功能。苏州某公司在独创性说明中，从布图设计的总图中划分出A、B区域。其中：
　　A区域主要包括单开关NMOS管M0、衬底切换MOS管MF、MC及其之间的连线等。该区域可实现本集成电路的主要功能，即仅以单开关MOS管实现对锂电池的过流、过充等保护。
　　B区域主要包括过温保护电路以及其他周围电路元件和连线，可实现电路的过温保护等功能。
　　由此可见，苏州某公司划分的A、B区域均可以相对独立地执行相应的功能，因此，应当以A、B区域作为独创性部分与被诉侵权芯片的相应部分进行比对。
　　其次，关于独创性说明。对独创性区域进行的独创性说明应当根据已划定的独创性区域中的元件和线路的具体三维配置来进行。创新设计点1-4涉及的均是A区域中的单开关NMOS管和衬底切换NMOS管MF、MC的三维配置关系，其都属于苏州某公司划定的独创性区域A中的内容，应当将A区域整体作为最小比较单元，与被诉侵权芯片的相应区域进行比对。如果将创新设计点1-4描述的内容分别单独与被诉侵权芯片进行比对，相当于创造出了比区域A更小的独创性区域，则使得区域A的划分失去了意义。并且，区域A作为一个整体，可以实现以单开关MOS管对锂电池的过流、过充等保护的功能，而A区域中的任何一个子区域都不可能实现该功能，创新设计点1-4中的每一点单独来看也都不能实现任何有意义的功能，因此不能在A区域以下再划定更小的区域。此外，创新设计点1-4都属于设计思想，是对区域A的三维配置从不同角度进行的概括或者抽象，并不是以区域A作为最小比较单元，对其元件和线路的三维配置进行的具体描述。因此，不能将创新设计点1-4分别单独考虑作为独创性比对的基础。
　　对于创新设计点5，其仅是单开关NMOS管的各电极与其他器件之间的电路连接关系，并不涉及元件和线路的三维配置，其内容不应当作为布图设计保护的对象。
　　苏州某公司主张的创新设计点6位于B区域，但其描述内容为过温保护电路与A区域中的NMOS的电路关系，并没有具体描述B区域中的电路和元件的三维配置关系，其内容也不应当作为布图设计保护的对象。
　　综上，苏州某公司的上述主张均不能成立。
　　（四）被诉侵权芯片的布图设计是否侵犯了苏州某公司的本布图设计专有权
　　基于上述分析，国家知识产权局将本布图设计的独创性区域A、B作为基础，与被诉侵权芯片的布图设计的相应区域进行比对，结果认定如下：
　　1.独创性区域A
　　根据鉴定意见的认定，将本布图设计的图样以及登记芯片样品XB5351的布图设计的A区域，与被诉侵权芯片的布图设计的相应区域相比，涉及苏州某公司主张的创新设计点1-4区域的比对结果显示：被诉侵权芯片和本案布图设计形状不同，行和列的排布和数量均不同；CELL1和CELL2的个数不同，两者总个数也不同；衬底切换NMOS管MF、MC与单开关NMOS管M0大小比例MC:MO:MF也不相同。集成电路布图设计体现出的布局、互连、元件数量均不一样。
　　涉及苏州某公司主张的创新设计点5的区域中，M0的并联个数不同；栅极控制电路部分形状、元件的数量、位置、连线均不相同。
　　因此，被诉侵权芯片的布图设计的相应区域，与本布图设计的独创性区域A不相同。
　　苏州某公司认为，由于常规布图导致的例如PAD分布、回避以及边缘裁剪的不同，应当认定为实质相同。对此，国家知识产权局认为，如上所述，布图设计所保护的是独创性区域中元件和线路的具体的三维配置，本案在区域A中的布图设计所体现的晶体管以及线路的数量、分布以及布局都不相同，认定为实质相同并无依据。
　　2.独创性区域B
　　根据鉴定意见的认定，将本布图设计的图样以及登记芯片样品XB5351的B区域的布图设计，与被诉侵权芯片的布图设计的相应区域相比，比对结果显示：被诉侵权芯片和本布图设计所对应的部分形状不相同，元件的数量、位置、连线均不相同。
　　因此，被诉侵权芯片的布图设计的相应区域与本布图设计的独创性区域B不相同。
　　综上，国家知识产权局作出被诉裁决：“成都某某半导体科技股份有限公司生产、销售的RY2203芯片不侵犯苏州某某电子科技股份有限公司所拥有的本布图设计的专有权。”
　　苏州某公司不服被诉裁决，向一审法院提起诉讼。一审法院于2020年2月14日立案受理。苏州某公司起诉请求：撤销被诉裁决、判令国家知识产权局重新作出裁决。事实和理由：（一）国家知识产权局不认可苏州某公司在第二次口审中提出的以Cell1+Cell2单元组合作为独创性的主张不具有合理性；（二）被诉侵权芯片的Cell1+Cell2单元组合排布方式与本布图设计实质性相同；（三）被诉侵权芯片与本布图设计构成实质相同，应认定为侵权；（四）国家知识产权局仅以苏州某公司概括独创点时的表述存在瑕疵为由对独创点不予保护，不符合对保护对象的认定规则；（五）鉴定质证程序有瑕疵，国家知识产权局直接采信鉴定意见和结论不具有合法性和合理性。
　　国家知识产权局一审辩称：被诉裁决认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确，苏州某公司的诉讼理由不能成立，应驳回苏州某公司的诉讼请求。
　　成都某公司一审述称：被诉裁决认定事实正确，适用法律准确，应予以维持，应驳回苏州某公司的诉讼请求。
　　一审过程中，苏州某公司就鉴定报告提出了疑问，经一审法院要求，紫图鉴定中心给予了答复。在一审庭审过程中，苏州某公司对鉴定报告中有关客观事实的叙述内容没有异议，对被诉裁决中“经审理查明”部分的内容没有异议。
　　一审法院经审理基本认定了上述事实。
　　一审法院认为，本案的争议焦点为：（一）本布图设计独创性的确定；（二）国家知识产权局是否应当采信鉴定意见；（三）被诉侵权芯片是否侵害苏州某公司的本布图设计的专有权。
　　（一）本布图设计独创性的确定
　　1.关于布图设计的独创性
　　依据布图设计条例的规定，受保护的布图设计应当具有独创性，可以是全部或者其中任何具有独创性的部分。公认的常规设计，是指布图设计创作者和集成电路制造者能够从布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料中获取的设计以及根据基本的设计原理容易想到的设计。“不是公认的常规设计”是指该项布图设计作为整体或者其部分与公认的常规设计对比，二者在图层数量、布局、连线、模块、元件等技术细节上具有实质性区别。对布图设计独创性应结合本领域技术人员对布图设计的认知水平，对元件、线路等的整体或者局部的三维配置进行判断。
　　由于布图设计条例没有要求权利人在登记时指明其独创性所在。因此，首先，在侵权案件中由布图设计权利人明确受保护的布图设计具有独创性的区域，对其独创性进行文字说明，据以确定其权利基础，厘清与常规设计的边界，明确其主张是必要的。其次，对独创性区域所作的文字说明，应当针对且仅限于对该区域中的元件和线路三维配置的表达进行，而对单纯的思想、处理过程、操作方法或者数学概念等内容，以及超出三维配置的表达则不予考虑。最后，基于权利基础和社会公众信赖利益的考量，受保护的布图设计的独创性应当具有确定性，既不应当在一个案件的不同进程中，也不应当在不同案件中出现不同的认定。
　　2.本布图设计独创性的确定
　　结合前述分析，在本案中，首先，苏州某公司作为行政裁决的请求人，负有结合其主张提供证据并说明理由的义务，其中显然包括明确受保护的本布图设计的独创性以及认定被诉侵权芯片的布图设计侵犯了本布图设计专有权的具体理由。其次，苏州某公司在提出行政裁决请求时明确提出本布图设计具有6个独创点，并认为被诉侵权芯片的布图设计与独创点1高度相似，侵犯其布图设计专有权。在鉴定过程中，苏州某公司根据紫图鉴定中心的要求对上述6个独创点进行了进一步说明，并进行了是否侵权的比对。成都某公司针对苏州某公司的上述主张进行了意见陈述。因此，国家知识产权局在行政裁决中结合案件的审理已经给予了苏州某公司充分陈述主张的机会，苏州某公司的程序权利已经得到了保障。最后，苏州某公司在第二次口头审理时提出以Cell1+Cell2单元组合作为其独创性的主张，但该主张提出的时间在鉴定意见作出之后且在第二次口头审理之前，明显超出了对方当事人和国家知识产权局的正常预期，使本布图设计的独创性确定具有随意性，是对程序权利的不当行使，故不具有合理性。结合行政裁决程序的进行，国家知识产权局确定苏州某公司应当在进行侵权与否的实质性对比进行之前明确其独创性主张，并以苏州某公司在鉴定过程中应紫图鉴定中心的要求提交的独创性说明为准进行判断是适当的。
　　综上，苏州某公司关于国家知识产权局不认可苏州某公司在第二次口头审理中提出本布图设计独创性的意见不具有合理性的主张不能成立。
　　（二）国家知识产权局是否应当采信鉴定意见
　　在一审庭审过程中，苏州某公司表示对鉴定报告中有关客观事实的叙述内容没有异议，对被诉裁决中“经审理查明”一节的内容没有异议，而是对鉴定报告的对比方法和结论有异议。同时，在第二次口头审理记录表中可以看出，苏州某公司对进行鉴定的过程是知悉的，在口头审理时已经对鉴定报告发表了质证意见，且没有就质证程序提出其他异议。因此，对苏州某公司关于鉴定质证程序有瑕疵、国家知识产权局直接采信鉴定意见和结论不具有合法性和合理性的主张，一审法院不予支持。
　　（三）被诉侵权芯片是否侵害苏州某公司的本布图设计的专有权
　　1.关于对比方法
　　首先，对于“独创性部分”是否实质相同进行判断时，应遵循全面对比综合判断的原则。
　　第一，布图设计是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置，或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。这里的三维配置需要能够由至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路通过三维结构相对独立地执行与集成电路的功能密切相关的电子功能。这是集成电路布图设计的特殊性，布图设计仅仅通过图形、线路或线条来展现，三维配置是基于集成电路布图设计的特殊性将上述图形、线路或线条融入到集成电路结构中以相对独立地执行与集成电路的功能密切相关的电子功能的实体结构。也就是说，布图设计的展现、表达是由图形、线路或线条完成，体现在半导体材料的基片上的至少一个有源元件的两个以上元件的部分或者全部的结构。图形、线路或线条的组成或整体组合应体现何种元件、元件的数量、如何排列（排列的位置即平面排列还是上下排列、大小和形状等），以及如何互连。因此，布图设计的三维配置应进行全面对比。
　　第二，对比布图设计时，“独创性部分”是集成电路布图设计的整体或者局部，在考虑图形、线路或线条的相似度的同时也不应忽略其体现的电子功能。集成电路的“电子功能”是指布图设计应排除纯粹美学意义上的图形、线路或线条信息；排除图形、线路或线条信息不完整而不能实现电子功能，如缺少有源元件的三维配置结构。“电子功能”可以是宏观的功能，也可以是微观的功能。“独创性部分”为重复单元排列而成的区域时，应考虑基本重复单元本身，还应考虑基本单元的重复次数，排列方式以及重复单元之间的连接进行全面对比。基本重复单元具有独创性，重复单元排列而成的区域也具有独创性。基本重复单元为常规设计，重复单元排列而成的区域应考虑其三维配置的整体是否实现特定的电子功能、其三维配置非基本重复单元的简单重复排列。
　　其次，对于集成电路布图设计，集成电路布图设计整体相同或实质相同构成侵权，布图设计中具有“独创性”的部分相同或实质相同也构成侵权。具有“独创性”的部分构成实质相同，其余部分不构成实质相同的情况下，亦构成侵权。即判断是否侵权时，创新点是否相同是需要着重考量的，而对于常规设计应作为次要因素考虑甚至不予考虑。
　　集成电路布图设计的整体或者局部是否实质相似或相同的判断，应当重点考虑该整体或者局部是否属于该集成电路布图设计的具有独创性的部分，而不必拘泥于该部分占整个集成电路布图设计的面积的百分比。
　　再次，具有独创性的集成电路布图设计在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计，对布图设计的保护不延及思想、处理过程、操作方法或者数学概念等。在对比两项布图设计是否构成“实质相似”的时候，是已经排除了上述因素，仅考虑布图设计中图形、线路或线条的部分或者全部构成互连线路的三维配置，该三维配置结构应包含实现相应电子功能的至少一个有源元件。
　　最后，考虑到集成电路布图设计登记中，集成电路布图设计的特殊性，在判断独创性以及是否构成侵权时，“布图设计的登记图样”是判断独创性、被诉侵权的集成电路布图设计或产品是否存在侵权的基础，必要时登记样品芯片可以在比对时参考使用。
　　2.本布图设计的独创性问题
　　本案中，本布图设计涉及的集成电路所要实现的功能是由单开关NMOS来实现锂电池的保护功能。苏州某公司在布图设计独创性说明中提出，从布图设计的总图中划分为A、B区域。其中A区域主要包括单开关NMOS管MO、衬底切换NMOS管MF、MC及其之间的连线等。A区域可实现本集成电路的主要功能，即仅以单开关MOS管实现对锂电池的过流、过冲等保护。B区域主要包括过温保护电路以及其他周围电路元件和连线，可实现电路的过温保护等功能。A区域中为创新设计点1-5，B区域为创新设计点6。
　　创新设计点1-4涉及A区域中的单开关MOS管和衬底切换NMOS管MF、MC的三维配置，应当作为整体考虑。
　　创新设计点5仅是对单开关MOS管的各电极与其他元件之间的电路连接关系，不涉及元件和线路的三维配置，该部分布图设计不应当作为布图设计保护的对象，不符合布图设计条例第二条第二项的规定。
　　创新设计点6位于B区域，但其内容为过温保护电路与A区域中的NMOS管的电路关系，并没有具体描述B区域中的电路和元件的三维配置关系，该部分布图设计不应当作为布图设计保护的对象，不符合布图设计条例第二条第二项的规定。
　　3.被诉侵权芯片是否侵犯本布图设计的专有权
　　在上述分析基础上，一审法院将本布图设计的区域A、B与被诉侵权芯片的布图设计的相应区域进行对比。
　　(1)区域A
　　苏州某公司认为，本布图设计的Cell1+Cell2基本单元与被诉侵权芯片的Cell1+Cell2基本单元在创新设计点1、2、3、4上，基于“衬底切换NMOS管MF、MC均匀镶嵌到单开关NMOS管MO内”“衬底切换NMOS管MF、MC与单开关NMOS管MO大小比例”，上述二者的Cell1+Cell2基本单元相同。差异在于，本布图设计中的晶体管总数量MF:M0:MC的比例不是1:8:1，被诉侵权芯片的面积与本布图设计不同；本布图设计和被诉侵权芯片布图设计二者的衬底切换电路和单开关NMOS管的布局形状不同，是因为PAD数量、位置、工艺不同导致的。
　　鉴定意见书认定，将本布图设计的图样以及登记芯片样品XB5351的布图设计的区域A，与被诉侵权芯片布图设计的相应区域相对比，创新设计点1-4的部分区域中：被诉侵权芯片和本布图设计形状不同，行和列的排布和数量均不同；CELL1和CELL2的数量不同，两者总数量不同；衬底切换NMOS管MF、MC与单开关NMOS管M0大小比例MC:MO:MF不相同。因此，布图设计应体现出的布局、互连、元件数量均不一样。创新设计点5的部分区域中，除了区域A中的单开关NMOS管各个电极的电连接线以外，还涉及分布于B区域的栅极控制电路。
　　国家知识产权局认为，布图设计所保护的是独创性区域中元件和线路的具体的三维配置，本案中，区域A中的布图设计所体现的晶体管以及线路的数量、分布以及布局都不相同，因此被诉侵权芯片的布图设计的相应区域与本布图设计的独创性区域A不相同。
　　一审法院认为，集成电路布图设计的比对，其整体或者局部应考虑布图设计的图形、线条信息构成的三维配置结构的相似度，重复单元排列而成的区域时，应考虑基本重复单元的图形、线条信息构成的三维配置结构的相似度本身，还应考虑基本单元的重复次数、排列方式以及重复单元之间的连接进行全面对比。本案中，鉴定意见中引用的是登记样品XB5351芯片和被诉侵权芯片RY2203的布图设计分析报告，从报告中的图3.2.1、图3.3.7以及图3.3.22、图3.3.18可以直接看出，被诉侵权芯片和本布图设计芯片对应区域A的布图设计的各层的图形、线条信息不同，各层的图形、线条信息所构成的三维配置结构的形状不同、行和列的排布和数量均不同；此外，CELL1和CELL2的数量不同，两者总数量不同；衬底切换NMOS管MF、MC与单开关NMOS管M0大小比例MC:MO:MF不相同。因此，被诉侵权芯片的布图设计的相应区域与本布图设计芯片XB5351的区域A不相同。
　　(2)区域B
　　鉴定意见认定，将本布图设计的图样以及登记芯片样品XB5351的区域B的布图设计，与被诉侵权芯片的布图设计的相应区域相比，被诉侵权芯片和本布图设计所对应的部分形状不相同，元件的数量、位置、连线均不相同。因此，被诉侵权芯片的布图设计的相应区域与本布图设计的独创性区域B不相同。
　　国家知识产权局认为，被诉侵权芯片的布图设计的相应区域与本布图设计的独创性区域B不相同。
　　一审法院认为，被诉侵权芯片和本布图设计芯片对应区域B的布图设计的各层的图形、线条信息不同，各层的图形、线条信息所构成的三维配置结构的形状不同、行和列的排布和数量均不同，其元件的数量、位置、连线均不相同，因此被诉侵权芯片的布图设计的相应区域与本布图设计的区域B不相同。
　　据此，苏州某公司关于被诉侵权芯片布图设计侵犯了本布图设计专有权的诉讼主张不能成立，不应予以支持。
　　一审法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：“驳回原告苏州某某电子科技股份有限公司的诉讼请求。案件受理费100元，由原告苏州某某电子科技股份有限公司负担。”
　　苏州某公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求：1.撤销一审判决及被诉裁决，判令国家知识产权局重新作出裁决；或者将本案发回一审法院重审。2.一、二审诉讼费用由国家知识产权局承担。事实和理由：（一）一审法院关于本布图设计独创性的确定系认定错误。1.我国布图设计专有权保护的法律体系中没有要求布图设计申请人在登记阶段提交独创性说明，也没有规定权利人在维权时应在哪个阶段明确主张保护的独创性内容及文字说明。在侵害技术秘密案件中，权利人原则上应当在一审法庭辩论结束前明确所主张的技术秘密具体内容。布图设计的保护范围确定与商业秘密的保护内容确定存在相似之处，均是由权利人在维权中自行确定，布图设计保护范围确定的时间也应在一审法庭辩论终结前。国家知识产权局审理侵权案件的行政裁决程序中，在口头审理中同样有辩论环节，苏州某公司在第二次口头审理时提出的独创性部分主张，仍是在口头审理辩论终结之前，应当予以支持。2.在审理侵权案件中，应当以权利人提出保护的布图设计为准，文字说明只是配合理解布图设计的内容。虽然苏州某公司提出的两次独创性文字说明存在不同，但苏州某公司最后一次的文字说明更精准，且并没有改变将Cell1+Cell2基本单元和A区域作为独创性部分的真实意思。3.苏州某公司向紫图鉴定中心提交的侵权比对分析中已经附上了主张保护的布图内容，并在图中将Cell1+Cell2组成的基本单元作为独创性部分进行了标注。侵权比对分析中所对比的创新设计点2-4，实质上对比的就是Cell1+Cell2基本单元；所对比的创新设计点1，实质上对比的就是A区域。因此，苏州某公司并未更改独创性说明，将Cell1+Cell2基本单元作为独创性部分并非是在鉴定意见出具后提出的新主张。（二）鉴定意见的结论不应当被采纳。1.苏州某公司向紫图鉴定中心提交的独创性说明第3页、第6页包括：“一、以下创新设计点在独创性区域A中（创新设计点1-5）；二、以下创新设计点在独创性区域B中（创新设计点6）。”上述内容并不是指区域A、B是用来侵权比对的独创性部分，实际意思是：（1）创新设计点1-5的主要部件位于区域A中，创新设计点6的主要部件位于区域B中；（2）独创性区域A、B仅是创新设计点所在位置的标示。2.鉴定意见仅比对了登记样品的形状、行和列的排列、Cell1+Cell2的个数等常规设计内容，而未比对Cell1+Cell2单元的三维配置，违背了全面比对的原则。3.区域A主要由Cell1+Cell2不断重复排列形成，因此该区域是否相同或实质相同主要考虑Cell1+Cell2基本单元是否相同或实质相同以及创新设计点1是否相同，其他常规设计属于次要考虑因素。（三）被诉侵权芯片已经侵害了苏州某公司的本布图设计专有权。1.被诉裁决认为“无法在A区域以下再划定更小的区域，Cell1+Cell2基本单元对应的集成电路模块不具备电子功能”系理解错误。只要独创性部分对应的集成电路模块本身具有一定的电性作用，即可认为满足布图设计条例所要求的“电子功能”。区域A中“衬底切换电路和单开关NMOS管”之所以可以起到锂电池的过流、过充等保护作用，完全是依赖于Cell1+Cell2基本单元的合力，因此Cell1+Cell2基本单元的电子功能是“同时对16个并联NMOS晶体管进行衬底切换和开关控制”，具备布图设计条例第2条所要求的电子功能。2.本布图设计和被诉侵权芯片至少在Cell1+Cell2基本单元和区域A相同或实质相同。创新设计点2-4都是指区域A中Cell1+Cell2基本单元的三维配置。无论是将Cell1+Cell2基本单元作为侵权比对的独创性部分，还是将区域A作为侵权比对的独创性部分，从鉴定意见的内容均可以得出本布图设计和被诉侵权芯片的布图设计相同或实质相同的结论。3.因受晶圆面积所限，本布图设计的边缘只排布了Cell1+Cell2基本单元的一部分，导致整个区域A中的晶体管总数量MF：M0：MC的比例与每个Cell1+Cell2基本单元中MF：M0：MC的比例不同，这不构成实质不同。由PAD数量、位置、工艺不同导致的晶体管排布区域的布局形状不同，不足以改变两者布图设计实质性相似的判断。（四）一审参与技术调查的技术调查官没有回避，程序违法。
　　国家知识产权局针对苏州某公司的上诉辩称：被诉裁决认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确。苏州某公司的上诉理由不能成立，应依法驳回其上诉。
　　成都某公司针对苏州某公司的上诉述称：（一）苏州某公司在第二次口头审查过程中所提出的将Cell1+Cell2组成的基本单元作为独创性部分进行侵权比对的主张不应得到支持。在第二次口头审理之前，苏州某公司均未提出过以Cell1+Cell2的组合作为其独创性单元的主张，其提出的6个独创点均是对独创性区域A、B的描述。第二次口头审理是在双方对鉴定程序和鉴定报告真实性没有异议的基础上进行的，苏州某公司在此时再变更其诉求，会导致之前的审理过程失去意义，这显然是对其程序权利的不当行使。（二）Cell1+Cell2组合的部分不能构成布图设计专有权保护所要求的“独创性区域”的要求。本布图设计中，区域A包含多个重复的Cell1单元，以及多个重复的Cell2单元，而Cell1+Cell2的组合并不能以单开关MOS管实现对锂电池的过流、过冲保护的中间目的或最终目的，而是需要多个Cell1单元、多个Cell2单元以及单元之间的相互连接才能实现该电子功能。“具有独创性的部分”的划分，应当是独立完成某个电子功能的整体区域，而非完成该电子功能的区域中的重复部分，如果一个局部区域需要配合其周围其他局部区域（结构相同或者不同）才能共同实现某一个独立的电子功能（如过流、过充保护），则该“局部区域”不应被视为“具有独创性的部分”，而应当是该“整体区域”部分。因此，“具有独创性的部分”的区域应当是区域A和区域B，而非是区域A中的重复性单元。（三）苏州某公司以Cell1+Cell2的组合作为具有独创性的部分与其登记的布图设计不符。本布图设计的登记图样中，A区域共有19列309个Cell单元，再结合对登记样品的剖解，A区域共有164个Cell1和145个Cell2，Cell1具有相同电路结构，Cell2具有相同电路结构。如果如苏州某公司所主张的，以Cell1+Cell2的组合作为最小的“具有独创性的部分”，则由于区域A是由Cell1和Cell2重复排列形成，则应当是由Cell1+Cell2组合构成的部分重复排列形成，则Cell1与Cell2的数量应当相等。而事实上本布图设计及其样品中，A区域中Cell1单元和Cell2单元的数量并不相等，两者仅是交叉排布的，并不组合成一个可重复的部分。（四）鉴定意见的程序、对象和结论均合理合法，被诉裁决正确。
　　本院二审期间，苏州某公司、国家知识产权局、成都某公司均未向本院提交新证据。
　　一审查明的事实属实，本院予以确认。
　　本院认为，本案系集成电路布图设计行政纠纷，综合各方当事人的诉辩意见，本案二审阶段的争议焦点为：（一）国家知识产权局对苏州某公司在第二次口头审理时提出的独创性部分的主张应否予以审理；（二）鉴定意见是否应被采信；（三）被诉侵权芯片是否侵害苏州某公司的本布图设计专有权；（四）一审程序是否违法。
　　（一）国家知识产权局对苏州某公司在第二次口头审理时提出的独创性部分的主张应否予以审理
　　布图设计条例第三十一条规定：“未经布图设计权利人许可，使用其布图设计，即侵犯其布图设计专有权，引起纠纷的，由当事人协商解决；不愿协商或者协商不成的，布图设计权利人或者利害关系人可以向人民法院起诉，也可以请求国务院知识产权行政部门处理。国务院知识产权行政部门处理时，认定侵权行为成立的，可以责令侵权人立即停止侵权行为，没收、销毁侵权产品或者物品。当事人不服的，可以自收到处理通知之日起15日内依照《中华人民共和国行政诉讼法》向人民法院起诉；侵权人期满不起诉又不停止侵权行为的，国务院知识产权行政部门可以请求人民法院强制执行。应当事人的请求，国务院知识产权行政部门可以就侵犯布图设计专有权的赔偿数额进行调解；调解不成的，当事人可以依照《中华人民共和国民事诉讼法》向人民法院起诉。”
　　依据上述规定，发现可能存在侵权行为时，权利人可以选择民事诉讼或者行政裁决保护其布图设计专有权。行政裁决是指行政机关根据当事人申请，按照法律法规授权，居中对与行政管理活动密切相关的民事纠纷进行裁处的行为，其与民事审判同样遵循诉讼权利平等原则、调解原则、辩论原则和处分原则。因此，行政裁决同时具备了执法和司法的双重性质，既要坚持“法无授权不可为”，确保裁决过程有法可依；又要做到居中裁判，平等保护各方当事人权益。具体到布图设计侵权纠纷行政裁决，首先，布图设计条例及其实施细则和《集成电路布图设计审查与执法指南（试行）》均未明确规定布图设计专有权人在侵权案件中明确独创性部分的时机。国家知识产权局基于提高行政效率的考虑，将布图设计权利人明确其独创性主张的时机确定为“权利人应当在侵权与否的实体比对实质性进行之前明确其独创性主张并加以确定”，缺乏明确的法律依据。其次，布图设计自身的特性决定了其某些独创性部分确非在创作或登记时所能预见，发生争议后，国家知识产权局作为居中裁决机关，应当充分保障当事人的权利，确保当事人能够全面阐述其权利主张，一般在实质审理结束前应允许当事人变更其主张的独创性内容，以利于纠纷的实质化解。本案中，苏州某公司向国家知识产权局就成都某公司侵犯其本布图设计专有权提出侵权纠纷处理请求，并对本布图设计的独创性部分分别作了三次说明：第一次独创性说明是在行政裁决请求提出时，苏州某公司主张本布图设计具有6个独创点；第二次独创性说明是在鉴定过程中，苏州某公司提交了包含6个创新设计点的独创性说明，并根据上述创新设计点1-6进行了侵权比对分析；第三次独创性说明是在鉴定意见作出后的第二次口头审理过程中，苏州某公司主张将Celll+Cell2组成的单元作为独创性部分与被诉侵权芯片的相应区域进行比对。在苏州某公司作出第二次独创性说明后，紫图鉴定中心受国家知识产权局委托进行了技术鉴定并出具了鉴定意见，该鉴定意见随附了本布图设计样品的布图设计分析报告、被诉侵权芯片布图设计分析报告、本布图设计与被诉侵权芯片布图设计的对比分析报告、本布设计样品与被诉侵权芯片的布图设计的对比分析报告。鉴定意见及附件虽未对Celll+Cell2组成的单元进行单独对比，但已对Celll和Cell2部分进行了剖片，明确了三维配置结构。因此，苏州某公司在国家知识产权局第二次口头审理时提出的以Celll+Cell2组成的单元作为独创性部分的主张，虽然可能超出了国家知识产权局和对方当事人的预期，但并不会使鉴定意见及布图设计分析报告丧失意义，国家知识产权局仍可凭借已经形成的鉴定意见以及布图设计分析报告，对Celll+Cell2组成的单元的独创性是否成立及侵权行为是否成立作出判断。现国家知识产权局以权利人应当在侵权与否的实质性审理进行之前明确其独创性部分为由，拒绝对苏州某公司在第二次口头审理时提出的独创性部分的主张进行审理，既缺乏法律依据，也不利于纠纷的实质化解。苏州某公司的该项上诉主张，本院予以支持，本案应由国家知识产权局重新作出裁决。
　　鉴于本案应由国家知识产权局重新作出裁决，故鉴定意见是否应采信、被诉侵权芯片是否侵害苏州某公司的本布图设计专有权等焦点问题，亦应由国家知识产权局重新裁决时作出认定，本院在此不再评述。
　　此外，布图设计中任何具有独创性的部分均受到法律保护，受保护的独创性部分应能够相对独立地执行某种电子功能，但并不要求该部分能够实现整体布图设计的核心功能。只要其能够基于独创性的设计，在元件和线路的结构、排列和布局等三维配置上发挥一定的作用，即可认定该部分满足能够相对独立地执行某种电子功能的要求。一审判决认为请求保护的独创性部分需要能够相对独立地执行与集成电路的功能密切相关的电子功能，有所不当，本院在此一并指出。
　　（二）关于一审程序是否违法
　　针对苏州某公司关于一审技术调查官系国家知识产权局退休人员而未回避的上诉理由，本院认为，被诉裁决于2019年12月27日作出，故本案应适用2017年6月27日修正的《中华人民共和国行政诉讼法》（以下简称行政诉讼法）。依据行政诉讼法第五十五条第一款规定：“当事人认为审判人员与本案有利害关系或者有其他关系可能影响公正审判，有权申请审判人员回避。”第五十五条第三款规定：“前两款规定，适用于书记员、翻译人员、鉴定人、勘验人。”《最高人民法院关于适用<中华人民共和国行政诉讼法>的解释》第七十四条第一款规定：“当事人申请回避，应当说明理由，在案件开始审理时提出；回避事由在案件开始审理后知道的，应当在法庭辩论终结前提出。”《最高人民法院关于技术调查官参与知识产权案件诉讼活动的若干规定》第四条规定：“技术调查官的回避，参照适用刑事诉讼法、民事诉讼法、行政诉讼法等有关其他人员回避的规定。”本案二审询问中，苏州某公司确认一审法院开庭已经告知技术调查官的姓名，并询问苏州某公司是否申请其回避，苏州某公司表示不申请回避。在一审询问笔录中，记录有技术调查官为国家知识产权局退休人员，苏州某公司知悉后并未提出异议。因此，一审程序并无不当，苏州某公司关于一审程序违法的上诉理由不能成立。
　　综上所述，苏州某公司的上诉请求成立，应予支持。一审判决认定基本事实清楚，但适用法律不当，应予纠正。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条，第八十九条第一款第二项、第三款之规定，判决如下：
　　一、撤销北京知识产权法院（2020）京73行初713号行政判决；
　　二、撤销国家知识产权局集成电路布图设计行政执法委员会集侵字[2019]1号行政裁决；
　　三、国家知识产权局就苏州某某电子科技股份有限公司请求处理成都某某半导体科技股份有限公司侵犯登记号为BS.12500520.2、名称为“集成控制器与开关管的单芯片负极保护的锂电池保护芯片”的集成电路布图设计专有权一案重新作出裁决。
　　一审案件受理费100元，二审案件受理费100元，均由国家知识产权局负担。
　　本判决为终审判决。

审 判 长　徐卓斌

审 判 员　颜　峰

审 判 员　贾　娟

二〇二四年六月六日

法官助理　米　于

书 记 员　郭云飞