行政判决书

　　上诉人（一审原告）：上海晶某电子科技有限公司。
　　法定代表人：徐某，该公司执行董事。
　　委托诉讼代理人：王江富，上海市丁纪铁律师事务所律师。
　　被上诉人（一审被告）：国家知识产权局。住所地：北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。
　　法定代表人：申长雨，该局局长。
　　委托诉讼代理人：袁丽颖，该局审查员。
　　委托诉讼代理人：林静，该局审查员。
　　一审第三人：苏州赛某电子科技股份有限公司。
　　法定代表人：谭某，该公司董事长兼总经理。
　　委托诉讼代理人：蒋某，男，该公司员工。
　　委托诉讼代理人：朱爱军，广东君龙律师事务所律师。
　　上诉人上海晶某电子科技有限公司（以下简称晶某公司）与被上诉人国家知识产权局及一审第三人苏州赛某电子科技股份有限公司（以下简称赛某公司）集成电路布图设计撤销行政纠纷一案，涉及权利人为赛某公司、名称为“集成控制器与开关管的单芯片负极保护的锂电池保护芯片”的集成电路布图设计（以下简称本布图设计）。针对晶某公司就本布图设计专有权提出的撤销请求，国家知识产权局作出第7号集成电路布图设计撤销程序审查决定（以下简称被诉决定），维持本布图设计专有权有效；晶某公司不服，向北京知识产权法院（以下简称一审法院）提起诉讼。一审法院于2023年3月1日作出（2022）京73行初2947号行政判决，驳回晶某公司的诉讼请求；晶某公司不服，向本院提起上诉。本院于2024年6月5日立案后，依法组成合议庭，并于2024年7月17日公开开庭审理了本案，上诉人晶某公司的委托诉讼代理人王江富，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人袁丽颖、林静，一审第三人赛某公司的委托诉讼代理人蒋某、朱爱军到庭参加诉讼。本案现已审理终结。
　　本案基本事实如下：本布图设计是登记号为BS.12500520.2，名称为“集成控制器与开关管的单芯片负极保护的锂电池保护芯片”的集成电路布图设计，申请日为2012年4月22日，公告日为2012年6月27日，首次商业利用日为2011年12月20日，专有权人为赛某公司。
　　2019年5月21日，晶某公司针对本布图设计向国家知识产权局提交集成电路布图设计专有权撤销意见书，以本布图设计不符合《集成电路布图设计保护条例》（以下简称布图设计条例）第四条的规定为由，请求撤销本布图设计专有权，并提交了10份证据。其中，证据6系集成电路布图设计专有权公告，BS.09500036.4（PS002），公告日期为2009年9月9日。
　　2021年12月31日，国家知识产权局作出被诉决定认为：本布图设计独创点1-4整体对应的布图设计没有被现有设计披露，目前也没有证据表明本布图设计独创点1-4整体所对应的布图设计属于公认的常规设计。因此独创点1-4整体所对应的布图设计具备独创性，符合布图设计条例第四条的规定。国家知识产权局据此决定：维持本布图设计专有权有效。
　　晶某公司不服，向一审法院提起诉讼，请求撤销被诉决定并判令国家知识产权局重新作出决定。事实和理由为：本布图设计独创点1-4整体属于现有布图设计，本布图设计不具有独创性。证据6与本布图设计独创点1-4整体相比较，区别仅在于功率PMOS管同功率NMOS管的替换。而NMOS管与PMOS管的制备工艺过程实质是相同的，其布图设计实质是相同的。两者在细节上的区别不是本布图设计的独创点，将PMOS管替换为NMOS管是本领域的常规技术手段。综上，本布图设计不符合布图设计条例第四条的规定。
　　国家知识产权局辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，晶某公司的诉讼理由不能成立，故请求法院驳回其诉讼请求。
　　赛某公司述称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，晶某公司的诉讼理由不能成立，故请求法院驳回其诉讼请求。
　　一审法院经审理认定了上述事实。另外，一审中，晶某公司向一审法院补充提交了中国电子信息产业发展研究院（以下简称电子信息研究院）于2021年12月22日作出的电研院知鉴[2021]820号鉴定意见书（以下简称第820号鉴定意见书），用以证明将PMOS管替换为NMOS管属于本领域的常规手段。经查，第820号鉴定意见书系广东省深圳市中级人民法院（以下简称深圳中院）委托电子信息研究院作出，委托事项包括：本布图设计与上海源赋创盈电子科技有限公司的在先布图设计（即证据6）是否相同或者实质相同。鉴定意见为：赛某公司主张的本布图设计的独创点与上海源赋创盈电子科技有限公司的在先布图设计（即证据6）不相同。在第55页“（5）独创点5的对比分析”中记载：“将在先设计的PMOS管替换为NMOS管是本领域技术人员容易想到和实现的，属于本领域的常规手段。具体选择多少N型MOS管MO替代P型MOS管MO本领域技术人员根据需要通过电流的能力计算获得。因此，芯片样品具有独创点5的布图设计与在先芯片样品的对应布图设计不相同。”第820号鉴定意见书的附件4《BS.12500520.2布图设计独创性说明》中记载，Cell0单元、Cell1单元+Cell2单元构成的Cell单元是本布图设计中具有独创性的部分。如图4所示，蓝色框内为区域A，区域A为衬底切换电路和单开关NMOS管所在的区域，该区域A内重复排列有多个Cell单元（黄色框），每个Cell单元由1个Cell1单元（绿色框）和1个Cell2单元（红色框）构成。
　　如图5所示，可以更清楚的看到Cell单元（具有独创性的部分）放大后的布置形式。
　　如图6所示，可以更清楚的看到Cell0单元（具有独创性的部分）放大后的布置形式。
　　Cell单元中用于衬底切换的N型MOS管MF、MC和单开关N型MOS管MO布设于同一晶圆衬底（Substrate）上。（该配置相比于常规锂电池保护方案大大减小了芯片面积，降低芯片成本。）
　　Cell1单元包含2个N型MOS管MC和8个N型MOS管MO，2个N型MOS管MC镶嵌在8个N型MOS管MO两侧（如图5中所示的上下两侧）；Cell2单元包含2个N型MOS管MF和8个N型MOS管MO，2个N型MOS管MF镶嵌在8个N型MOS管MO两侧（如图5中所示的上下两侧）。（该配置令N型MOS管MC、MF均匀镶嵌在N型MOS管MO中，这样将干扰信号对衬底切换功能的影响降到最低，同时方便集成电路各层的布线，进一步减小芯片面积。）
　　每个Cell单元中的MC:MO:MF的比值为1:8:1。（该配置减少了开关异常、闩锁效应等问题的发生，确保衬底切换功能不受任何干扰信号的影响的情况下，进一步减小芯片面积，降低了芯片成本。）
　　第820号鉴定意见书第43-57页记载，根据附件12《BS.095000364号布图设计芯片样品检测报告》，由图4-5-1-8至图4-5-1-10可知，在先芯片样品的Cell单元的三维配置为：
　　（1）Cell单元中P型MOS管MF、MC和P型MOS管MO布设于同一晶圆衬底上。
　　（4）Cell1单元包含2个P型MOS管MC和18个P型MOS管MO，其中2个P型MOS管MC镶嵌在18个P型MOS管MO两侧；Cell2单元包含2个P型MOS管MF和18个P型MOS管MO，2个P型MOS管MF镶嵌在18个P型MOS管MO两侧。
　　（5）每个Cell单元中的MC:MO:MF的比值为1:18:1。
　　晶某公司还补充提交了赛某公司于2009年6月8日申请的200910032958.8号，名称为“一种用于电池保护的智能开关”的发明专利，用以证明赛某公司也认为PMOS管和NMOS管可以相互替换。
　　赛某公司向一审法院补充提交了深圳中院于2022年3月31日作出的（2019）粤03民初842号民事判决书（以下简称第842号判决），以证明电子信息研究院的鉴定人和深圳中院认为，PMOS管和NMOS管在集成电路布图设计方面是不同的。经查，第842号判决第34-35页记载，“2022年3月28日，依据被告的申请，本院组织双方当事人及中国电子信息产业发展研究院鉴定人，以及被告申请的具有专门知识的人刘宝生出庭就鉴定意见的内容进行了质证。被告认为，鉴定报告第53页第六段所述‘涉案芯片样品中具有独创点1的布图设计与在先芯片样品的对应布图设计不完全相同，二者的区别在于涉案芯片样品使用的N型MOS管，而在先芯片样品使用的P型MOS管，将在先设计的PMOS管替换为NMOS管是本领域技术人员容易想到和实现的，属于本领域的常规手段’与第七段‘因此，涉案芯片样品具有独创点1的布图设计与在先芯片样品的对应布图设计不相同’的文字表述明显矛盾，询问鉴定人是否想表达二者实质相同。鉴定人答复，将NMOS管替换为PMOS管是从电路的层面而言，从布图层面可从鉴定报告中的截图看出，涉案芯片样品具有独创点1的布图设计与在先芯片样品的对应布图设计是不相同的，所以才作出以上结论。关于实质性相同，目前没有法定依据，在鉴定报告当中仅在技术上列出相同点和不同点。基于布图设计层面下的是不相同结论”。第45页法院认定，“第二，鉴定机构的引用材料（1）中的开关管是PMOS管而非NMOS管，这两种MOS管特性互补而非相似，无论是在电路设计还是布图设计中，PMOS管和NMOS管之间都不能随意简单替换，在电路设计中这两种MOS管的替换需要重新设计电路连接关系，在布图设计中这两种MOS管的三维配置和版图层次都不相同”。第842号判决目前尚未生效。
　　一审法院认为：本案的争议焦点为本布图设计是否符合布图设计条例第四条的规定。
　　本布图设计涉及的集成电路所要实现的功能是由单开关NMOS管来实现锂电池的保护功能，其中包括单开关NMOS管MO、衬底切换MOS管MC和MF及其之间的连线等，以实现本集成电路中以单开关NMOS管实现对锂电池的过流、过充等保护的电子功能，达到减少芯片面积的有益效果。820号鉴定意见书的附件4《BS.12500520.2布图设计独创性说明》中如图4所示，区域A为衬底切换电路和单开关NMOS管所在的区域，该区域A内重复排列有多个Cell单元，每个Cell单元由1个Cell1单元和1个Cell2单元构成。Cell单元中用于衬底切换的N型MOS管MF、MC和单开关N型MOS管MO布设于同一晶圆衬底（Substrate）上。即对应本布图设计的独创点（1）单个NMOS管与锂电池控制电路布图于同一晶圆衬底上；（2）实现单功率NMOS管MO的衬底切换的衬底切换电路。Cell1单元包含2个N型MOS管MC和8个N型MOS管MO，2个N型MOS管MC镶嵌在8个N型MOS管MO两侧（如图5中所示的上下两侧）；Cell2单元包含2个N型MOS管MF和8个N型MOS管MO，2个N型MOS管MF镶嵌在8个N型MOS管MO两侧（如图5中所示的上下两侧）。即对应本布图设计的独创点（3）衬底切换MOS管MC和MF均匀镶嵌到功率NMOS管MO。每个Cell单元中的MC:MO:MF的比值为1:8:1，即对应本布图设计的独创点（4）衬底切换MOS管MC、MF与功率NMOS管MO大小比例，MC：MO：MF大小的比例在1:4:1至1:12:1之间。该独创点1-4是从不同角度对布图设计中相应部位进行的概括或抽象，布图设计创作者和集成电路制造者结合本布图设计的图样和独创点1-4的内容可以确定其在本布图设计中对应的部分。独创点1-4均涉及单开关NMOS管MO和衬底切换MOS管MC、MF的三维配置关系，独创点2-4是在独创点1的基础上进行的进一步设计。将独创点1-4作为一个整体，其对应部分可以实现单开关MOS管对锂电池的过流、过充等保护的功能，属于能够相对独立的执行某种电子功能的部分，可以成为布图设计保护的独创性部分。本案中，在判断独创性时，将独创点1-4在本布图设计中所对应的部分作为一个整体考虑。
　　证据6是名称为“集成开关管的单节锂电池保护芯片（PS002）”的布图设计，其简要说明部分记载：将传统保护芯片所需的外部开关管集成到芯片内部，对单节锂电池的充、放电过程进行实时监控并提供必要的保护；将衬底选择电路穿插入开关管内部。同时结合图样可知，证据6公开了PMOS管开关管和锂电池的控制电路集成于同一衬底且衬底选择电路穿插入开关管内部。根据第820号鉴定意见书及其附件12《BS.095000364号布图设计芯片样品检测报告》，由图4-5-1-8至图4-5-1-10可知，证据6公开了单个PMOS管与锂电池控制电路布图于同一晶圆衬底上，实现单功率PMOS管MO的衬底切换的衬底切换电路，衬底切换PMOS管MC和MF均匀镶嵌到功率PMOS管MO，衬底切换PMOS管MC、MF与功率PMOS管MO大小比例，MC:MO:MF大小的比例为1:18:1。
　　晶某公司认为，被诉决定认定NMOS管与PMOS管特性互补而非相似是错误的，NMOS管与PMOS管的结构、工作原理都相似，制备工艺过程相同，其布图设计实质相同；布图设计是否具备独创性与MOS管本身结构无关，而体现在MOS管之间的布置、比例关系；NMOS管与PMOS管在细节上的区别，不是本布图设计的独创点。本布图设计和证据6在实质上是相同的。在第820号鉴定意见书也明确指出“将在先设计的PMOS管替换为NMOS管是本领域技术人员容易想到和实现的，属于本领域的常规技术手段”。本布图设计与证据6的细微差别，均是公知设计或常规设计，证据6公开了本布图设计的独创点1-4整体，独创点1-4整体属于现有布图设计。
　　对于PMOS管和NMOS管而言，即使二者在结构上相互对称、功能上可以互换，但在集成电路布图设计的三维配置和版图层次中，不宜认定二者可随意简单替换。原因如下：集成电路布图设计保护的客体是元件和线路的三维配置，即集成电路中元件的分配、布置，各元件间的互联，信息流向关系，组合效果等。一方面，PMOS管和NMOS管的源漏方位相反、沟道形成条件不同，PMOS管和NMOS管之间的替换会影响MOS管与其它元件和线路之间的连接关系；另一方面，PMOS管和NMOS管衬底等方面的差别，对于布图设计的三维配置和版图层次也会有影响。故证据6中并未公开单个NMOS管与锂电池控制电路布图于同一晶圆衬底上，也没有公开NMOS管的衬底切换电路。虽然第820号鉴定意见书中指出“将在先设计的PMOS管替换为NMOS管是本领域技术人员容易想到和实现的，属于本领域的常规技术手段”，但最终鉴定结论为第三人主张的本布图设计的独创点与证据6不相同。同时结合考虑第842号判决中查明的事实，针对电子信息研究院作出的电研院知鉴[2021]819号鉴定意见书，鉴定人出庭答复：“将NMOS管替换为PMOS管是从电路的层面而言，从布图层面可从鉴定报告中的截图看出，涉案芯片样品具有独创点1的布图设计与在先芯片样品的对应布图设计是不相同的，所以才作出以上结论。关于实质性相同，目前没有法定依据，在鉴定报告当中仅在技术上列出相同点和不同点，基于布图设计层面下的是不相同结论。”因此仅以第820号鉴定意见书中的部分认定意见为由，不能得出证据6公开了本布图设计独创点（1）和（2）的相应结论。证据11和12公开了PMOS管与NMOS管的电路结构及其基本特性，但并未公开PMOS管与NMOS管在集成电路布图设计中三维配置的具体情况，无法证明PMOS管和NMOS管的布图设计对于布图设计创作者和集成电路制造者而言实质相同。关于独创点（3）和（4），被诉决定根据晶某公司在行政阶段的主张，认定证据6的图样第3层、第8层和第9层不能直接唯一确定衬底切换MOS管均匀镶嵌到功率MOS管以及衬底切换MOS管与功率MOS管的比例关系，并无不当。本案一审阶段，晶某公司补充提交的第820号鉴定意见书显示，证据6对应的在先芯片样品中衬底切换PMOS管均匀镶嵌到功率PMOS管以及衬底切换PMOS管与功率PMOS管的一定比例关系，但如前述分析，在集成电路布图设计的三维配置和版图层次中，PMOS管和NMOS管二者不可随意简单替换。证据6中的晶体管类型以及大小比例均不同于本布图设计，难以得出证据6公开了本布图设计独创点（3）和（4）的相应结论。因此，证据6并未公开本布图设计独创点1-4整体所对应的布图设计，并无证据表明独创点1-4整体所对应的布图设计为本领域公认的常规设计。
　　本布图设计独创点1-4整体所对应的布图设计没有被现有布图设计披露。在案证据不足以证明独创点1-4整体所对应的布图设计属于公认的常规设计。因此本布图设计具备独创性，符合布图设计条例第四条的规定。
　　一审法院依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：“驳回原告上海晶某电子科技有限公司的诉讼请求。案件受理费100元，由原告上海晶某电子科技有限公司负担。”
　　晶某公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求：1.撤销一审判决及被诉决定；2.判令国家知识产权局重新作出撤销审查决定，或发回重审。事实和理由为：（一）集成电路布图设计独创性的评判应当基于权利人主张的独创点进行，不应考虑权利人主张的独创点之外的布图设计。赛某公司主张的独创点1-4整体描述的是在可以独立实现电子功能（单开关MOS管MO对锂电池的过流、过充等保护）的整个A区域，功率开关MOS管MO及衬底切换MOS管（MC、MF）如何布置，涉及的均是功率开关MOS管MO及衬底切换MOS管（MC、MF）的位置及数量，功率开关MOS管MO及衬底切换MOS管（MC、MF）均用作开关，而NMOS管、PMOS管均能用作开关，所以其独创性应该是体现为各MOS管之间的三维配置，即各MOS管之间的位置关系及连接关系，不应该是体现为MOS管内部的布图设计。功率开关MOS管MO、衬底切换MOS管（MC、MF）采用NMOS管还是采用PMOS管等不影响本布图设计的独创性评判，其独创性与单个NMOS管或PMOS管本身内部各层的布图无关。（二）在本布图设计及证据6的集成开关管的锂电池保护芯片（P002）中，功率开关MOS管MO及衬底切换MOS管（MC、MF）均用作开关，将证据6中的PMOS管替换为本布图设计中的NMOS管属于公认的常规设计。（三）关于衬底切换MOS管MC与MF同功率开关MOS管MO的比例关系，本布图设计与在先布图设计实质相同。
　　国家知识产权局辩称：被诉决定和一审判决事实认定清楚、适用法律正确、程序合法，应当予以维持。
　　赛某公司述称：（一）赛某公司对于本布图设计保护客体理解错误。（二）功率N型MOS管和功率P型MOS管具有实质区别，并不能简单替换。（三）关于衬底切换MOS管MC与MF同功率开关MOS管MO的比例关系，本布图设计与在先布图设计在此方面不相同，亦无法推导出实质相同。晶某公司的上诉理由均不成立，被诉决定认定事实和适用法律正确，依法应予维持，请求驳回晶某公司的上诉请求。
　　本案二审期间，当事人均未提交新证据，并均对一审判决关于涉案证据真实性、合法性、关联性的认定无异议。
　　一审法院查明的事实属实，本院予以确认。
　　本院认为：本案系集成电路布图设计撤销行政纠纷案。本案二审争议焦点问题是：本布图设计是否具有独创性。
　　晶某公司以一审判决考虑了赛某公司主张的独创点之外的布图设计、错误判断PMOS管和NMOS管的替换不是公认的常规设计、错误认定衬底切换MOS管MC与MF同功率开关MOS管MO的比例关系对本布图设计独创性具有影响为由，主张被诉决定和一审判决认定本布图设计具有独创性的认定存在错误。对此，本院分述如下：
　　（一）关于本布图设计独创性判断应当考虑的范围
　　根据布图设计条例第七条的规定，布图设计权利人对受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分享有专有权。需要指出的是，独创性部分必须首先是布图设计专有权的保护客体，意即该独创性部分应当具备三维配置，且能够独立执行某种电子功能，故其不应是个别元件或者个别连接，而应是相对独立的模块。一般而言，相对独立的模块应具备以下两个条件：一是相对于其他部分而言，该部分系完整的三维配置，具有某种相对独立的电子功能；二是该部分相对于其他部分应具有相对清晰、可以划分的边界。只有具备上述两个条件，才能成为“具有独创性的部分”。权利人的独创性说明对于判断布图设计的独创性具有参考作用，其可能从不同角度对独创性部分予以描述或者概括，但不一定包含对三维配置内容的描述，在对权利人指明的部分进行独创性判断时，应根据权利人的独创性说明，将权利人指明部分中含有的元件和线路的具体三维配置作为判断对象。
　　本案中，赛某公司主张的本布图设计具有独创性部分是独创点1-4所对应的A区域。该区域的布图设计内容显然不限于其提出的四项独创点，还包括所有MOS管及MOS管之间连接所形成的三维配置，具体包括各MOS管之间的位置关系、连接关系以及体现MOS管内部结构的布图设计。上述布图设计系由晶体管本身的内部布图结构、晶体管相互之间的布局和布线共同构成的A区域三维配置的组成部分，也是A区域相对独立实现对锂电池的过流、过充保护的电子功能不可或缺的内容。一审法院在认定本布图设计独创性时考虑了MOS管内部的布图设计，并无不当。
　　（二）关于将证据6中的PMOS管替换为本布图设计中的NMOS管是否属于公认的常规设计
　　集成电路布图设计，从抽象概念到物理实现可分为不同的层级，通常包括逻辑设计、电路设计和版图设计。逻辑设计是根据所研制的集成电路要实现的功能，用逻辑电路确定集成电路各部位的逻辑连接。电路设计是将逻辑电路变换为电气电路。版图设计是指根据逻辑设计及电路设计，并根据生产制作工艺的要求，对集成电路中所有元件及连接各元件之间的连线进行几何配置和物理布局。每个层级的设计理念、设计原理、设计方式等均有所差异，故每个层级的常规设计亦有多种可能的选择。集成电路布图设计中的公认的常规设计，是指布图设计创作者和集成电路制造者可以从布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料中获取的设计，以及根据基本的设计原理容易想到的设计。故判断一项布图设计是否属于集成电路布图设计中的公认的常规设计，其依据的技术资料、应用对象都应当限定为更为具体的布图设计层面，而通常不是泛指更为抽象的逻辑设计或者电路设计层面。
　　在布图设计中，NMOS管和PMOS管基于有源区、源极接触、漏极接触不同的掺杂类型实现不同导电类型的沟道，并非单纯的对称关系或复制关系，实现过程需制作不同掺杂区域，会导致工艺和版图的差别，在面积和阻抗方面的差异较为明显。与此相适应，将NMOS管和PMOS管设置在电路中时，开启导通的电性能差异也要求二者在电路中体现为不同的布线连接关系。即便在电路原理图中NMOS管和PMOS管的替换容易想到，在布图设计中设计者却不仅需要考虑整体电路的适配和连接关系的调整，还需考虑元器件的选用，例如不仅不同类型的晶体管，即使是同一类型的晶体管也具有多种不同的布图表达形式。对应不同特性的晶体管，如何选择适合于目标功能的晶体管的布图设计，设计者需要结合电路功能、工艺节点、布局中的相互干扰、噪声等问题综合进行考量，在电路原理图上将PMOS管替换为NMOS管并不意味着对应晶体管的布图设计必然能够得出唯一或者公认的设计结果。本案中，证据6与本布图设计不仅MOS管选择上存在差异，其对应布图层数、与其他元件的连接关系均不同，本布图设计的NMOS管相较于证据6的PMOS管多出了深阱层，NMOS管和PMOS管的源极、漏极、栅极连接关系各不相同，上述差异化的晶体管布图设计即是综合各种因素的体现。综上，晶某公司的现有证据不足以证明将证据6中的PMOS管替换为本布图设计的NMOS管是集成电路布图设计领域中公认的常规设计。
　　（三）衬底切换MOS管MC与MF同功率开关MOS管MO的比例关系是否影响本布图设计独创性认定
　　晶某公司对证据6与本布图设计衬底切换MOS管MC与MF同功率开关MOS管MO的比例关系不同不持异议，但认为该不同点并不会使得本布图设计具有独创性。本院认为，衬底切换MOS管MC、MF以及功率开关MOS管MO属于布图设计元件，其比例关系会影响布图设计的三维配置情况，属于判断布图设计独创性应当考虑的设计要素。三种晶体管的最终比例关系的调整，需要结合工艺节点、噪声、Cell单元整体和每个功率开关MOS管MO所需承担的过流保护的电流大小、与衬底切换MOS管MC和MF的适配，进行具体计算和调整，本布图设计中衬底切换MOS管MC与MF同功率开关MOS管MO的比例关系，不属于集成电路布图设计领域中公认的常规设计。故晶某公司的主张本院不予支持。
　　综上，被诉决定和一审判决认定证据6并未公开本布图设计独创点1-4整体所对应的布图设计，并无证据表明独创点1-4整体所对应的布图设计为本领域公认的常规设计，并无不当。上海晶某电子科技有限公司的上诉请求不能成立，应予驳回。一审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。根据《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：
　　驳回上诉，维持原判。
　　二审案件受理费100元，由上海晶某电子科技有限公司负担。
　　本判决为终审判决。