上诉人（一审被告）：京某方华某光电股份有限公司（原华某光电股份有限公司）。住所地：湖北省武汉市。
　　法定代表人：张某某，该公司董事长。
　　委托诉讼代理人：袁玥，中国贸促会专利商标事务所有限公司专利代理师。
　　委托诉讼代理人：孙慧，北京己任律师事务所律师。
　　被上诉人（一审原告）：厦门三某光电有限公司。住所地：福建省厦门。
　　法定代表人：林某某，该公司执行董事。
　　委托诉讼代理人：张涛，北京市汉坤律师事务所律师。
　　委托诉讼代理人：曹凌，北京市汉坤律师事务所专利代理师。
　　一审被告：京某方华某光电（浙江）有限公司[原华某光电（浙江）有限公司]。住所地：浙江省义乌市。
　　法定代表人：马某某，该公司执行董事。
　　委托诉讼代理人：陈新，中国贸促会专利商标事务所有限公司专利代理师。
　　委托诉讼代理人：邹雯，上海市方达（深圳）律师事务所律师。
　　一审被告：京某方华某光电（苏州）有限公司[原华某光电（苏州）有限公司]。住所地：江苏省张家港经济开发区。
　　法定代表人：蔡某某，该公司执行董事。
　　委托诉讼代理人：殷超，北京己任律师事务所律师。
　　委托诉讼代理人：董宁，北京己任（深圳）律师事务所律师。
　　一审被告：湖南正某医疗器械有限责任公司。住所地：湖南省邵阳市。
　　法定代表人：钟某某。
　　上诉人京某方华某光电股份有限公司（以下简称华某股份公司）因与被上诉人厦门三某光电有限公司（以下简称三某公司），一审被告京某方华某光电（浙江）有限公司（以下简称华某浙江公司）、京某方华某光电（苏州）有限公司（以下简称华某苏州公司，华某股份公司、华某浙江公司、华某苏州公司以下合称华某方）、湖南正某医疗器械有限责任公司（以下简称正某公司）侵害发明专利权纠纷一案，不服湖南省长沙市中级人民法院（以下简称一审法院）于2022年5月19日作出的（2020）湘01知民初194号民事判决，向本院提起上诉。本院于2022年11月9日立案后依法组成合议庭，先后于2024年5月24日询问各方当事人，于2024年6月19日、2024年8月1日公开开庭进行了审理。上诉人华某股份公司的委托诉讼代理人袁玥、孙慧，被上诉人三某公司的委托诉讼代理人张涛、曹凌，一审被告华某浙江公司的委托诉讼代理人陈新、邹雯，一审被告华某苏州公司的委托诉讼代理人殷超、董宁到庭参加诉讼，正某公司经本院合法传唤无正当理由未到庭参加诉讼，本院依法缺席审理。本案现已审理终结。
　　三某公司于2020年9月2日提起本案诉讼，一审法院于2020年9月3日立案受理，三某公司请求法院判令：1.华某方及正某公司立即停止侵犯专利号为ZL201210286901.2、名称为“氮化物半导体发光器件以及制造其的方法”的发明专利（以下简称涉案专利）的行为，包括但不限于：华某股份公司停止制造、许诺销售和销售侵犯涉案专利的应用于包括但不限于电视背光、消费显示背光、车载显示背光、显示和照明领域LED的芯片（以下合称被诉侵权产品，被诉侵权产品系型号为***的芯片）；华某浙江公司和华某苏州公司停止制造被诉侵权产品；正某公司停止许诺销售和销售被诉侵权产品；华某方停止共同制造、许诺销售和销售被诉侵权产品；2.华某方及正某公司销毁全部被诉侵权产品，华某方销毁专用于生产被诉侵权产品的设备和相关模具；3.华某方共同赔偿因其侵权行为给三某公司造成的经济损失4000万元；4.华某方承担三某公司为维权支付的律师费、公证费、调查费、翻译费等合理支出费用58万元；5.华某方负担本案全部诉讼费用。事实和理由：三某公司系涉案专利的专利权人，华某方未经许可实施了涉案专利，侵害了三某公司的专利权，应当承担相应的侵权责任。华某浙江公司和华某苏州公司系华某股份公司的全资子公司，系华某股份公司的生产基地。三某公司保留根据后续在诉讼中获得的证据以及华某方侵权延续造成的损失对赔偿数额予以增加的权利。
　　华某方在一审中辩称：（一）被诉侵权技术方案并未落入涉案专利的权利要求1、3、6、7、8的保护范围。（二）即使被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求的保护范围，其技术方案也属于现有技术。（三）国家工业信息安全发展研究中心（以下简称国家工信安全中心）分别于2022年3月29日、2022年4月8日作出《国家工信安全中心第2021JSJD0709号鉴定意见书》（以下简称709号鉴定意见书）和《国家工信安全中心第2021JSJD0710号鉴定意见书》（以下简称710号鉴定意见书）存在程序瑕疵，不应被采纳而作为定案的依据。（四）被诉侵权产品不构成对涉案专利的侵犯，华某方无需承担任何侵权责任。即使认定侵权成立，三某公司主张4000万元的损害赔偿也缺乏事实与法律依据。（五）三某公司主张华某方共同承担连带责任没有事实与法律依据。故三某公司的诉讼请求应予以驳回。
　　正某公司在一审中未予答辩。
　　一审法院查明以下事实：
　　涉案专利申请日为2012年8月13日，授权公告日为2016年6月29日，三某公司于2018年12月27日经公告受让取得该专利权。2021年8月2日，国家知识产权局作出第50993号无效宣告请求审查决定书，维持该专利有效。三某公司在本案中主张保护涉案专利权利要求1、3、6、7、8。
　　涉案专利权利要求1为：一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层，其中所述多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和阱层所形成的层，该阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量，V表面坑部分地形成于所述多量子阱发光层中，且所述V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中，所述V表面坑产生层中的n型掺杂浓度大于或等于5×1018cm-3。权利要求3为：根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述V表面坑产生层中的n型掺杂浓度大于或等于所述n型氮化物半导体层中的最上表面中的n型掺杂浓度的1.1倍。权利要求6为：根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述V表面坑产生层的厚度大于或等于5nm（纳米）。权利要求7为：根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述中间层的厚度大于或等于40nm。权利要求8为：根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光器件，其中所述中间层是通过交替堆叠宽带隙层和窄带隙层而形成的层，该窄带隙层的带隙能量低于宽带隙层的带隙能量。
　　涉案专利说明书“背景技术”部分记载了如下内容：“因为V表面坑是缺陷，通常认为通过阻止V表面坑的产生将改进LED的特征。”该专利说明书还记载了以下内容：当根据传统技术制造氮化物半导体发光器件且产生的氮化物半导体发光器件在高温下或以高的电流被驱动时，可能会发生发光效率的劣化。由此，也可能会导致单位功率的发光效率（功率效率）的劣化。本发明意图计入对此点的考量，且本发明的目的是提供一种实现优异的功率效率的氮化物半导体发光器件，这是因为即使在高温或大电流下驱动时发光效率的劣化都被抑制。具体实施方式为：N型氮化物半导体层8、9优选地例如为掺杂有n型杂质的Als2Gat2Inu2N（0≤s2≤1,0≤t2≤1,0≤u2≤1,s2+t2+u2≈1）层，且更优选地为掺杂有n型杂质的Als2Ga1-s2N（0≤s2≤1，优选地0≤s2≤0.5，更优选地0≤s2≤0.1）层。V表面坑产生层10是用于形成V表面坑15的层，从而V表面坑15的开始点的平均位置位于处在n型氮化物半导体层9侧上的层中（在本实施例中为超晶格层12），而非位于有效地运行作为发光层的层中（在本实施例中为MQW发光层14）。此处，V表面坑15的开始点指的是V表面坑15的底部，且在图6C中示出为“VS”，如下文将描述的。V表面坑15的开始点的平均位置指的是通过将沿氮化物半导体发光器件的厚度方向、形成于MQW发光层14中的V表面坑15的开始点的位置进行平均所获得的位置。作为另一示例，陈述了一种通过将n型掺杂浓度设置为比n型氮化物半导体层更高的方式形成V表面坑产生层10的方法。n型掺杂浓度的增加程度和V表面坑产生层中描述的相同。作为V表面坑产生层10的形成条件，本发明的发明者在上述的示例1中使用了下列两个措施：（i）将n型掺杂浓度设定为较n型氮化物半导体层9要高（n型氮化物半导体层9中的n型掺杂浓度是6×1018cm-3，而V表面坑产生层10中的n型掺杂浓度是1×1019cm-3），以及（ii）设定较n型氮化物半导体层9要低的生长温度（n型氮化物半导体层9的生长温度是1050℃，而V表面坑产生层10的生长温度是820℃）。但是，本发明的发明者发现与V表面坑产生层10一样的效果仅通过上述的措施（i）和（ii）中的一项而实现。中间层设置在V表面坑产生层10和MQW发光层14之间，且在本实施例中，中间层为超晶格层12。本说明书中的超晶格层指的是由通过交替堆叠非常薄的晶体层而具有比基础单元晶格更长的周期结构的晶体晶格构成的层。超晶格层12是设置用于改进MQW发光层14的特征的层，且并非氮化物半导体发光器件1的必要成分。
　　（2020）湘邵庆证字第7289号公证书对三某公司委托代理人在正某公司购买“SB11C-BE”（二片）、“GS11C-BE”（一片）、“BA31U-BM”（三片）、“BA28P-BA”（二片）、“BA31Q-CD”（二片）、“BA35R-BE”（一片）、“BA35R-BF”（二片）、“BA36R-CC”（三片）、“BA38Q-BA”（三片）、“A420-CD”（三片）、“BH33X-BA”（二片）、“BA28P-BE”（一片）、“***”（二片）、“BF31P-CB”（三片）、“RM06G-TF”（一片）、“SO7B-WB”（二片）、“RS08A-WB”（一片）等型号的产品的过程进行了公证保全。上述产品价款共计5478.4元。附件显示芯片包装袋及标签显示华某股份公司的企业名称及商标。根据《销售合同》记载，其中“***S7A”型号产品的单价为143.4元。
　　（2020）沪东证经字第13638号公证书对三某公司将湘邵庆证字第7289号公证书公证保全的产品拆分的过程进行了公证保全。公证保全17个型号的产品，其中每个型号的产品各一片（共17片），该17个型号的产品被依次从每一片上拆分成7小份。公证员将上述拆分出来的小份产品分别装入信封袋，并在信封袋上标注了该产品的型号，加贴公证处封条后交给三某公司委托人收执。
　　（2020）京长安内经证字第32181号公证书记载，申请人北京市汉坤律师事务所申请公证处对其从互联网上浏览华某股份公司网页、对有关网页进行截屏的过程进行证据保全。
　　（2020）京长安内经证字第32182号公证书记载，北京市汉坤律师事务所申请公证处对其从互联网上浏览并对有关网页进行截屏的过程进行证据保全。2020年9月1日，北京市汉坤律师事务所的律师使用公证处的电脑，在百度浏览器中输入“华某”，依次点击“华某光电股份有限公司、LED产品……”“投资者关系”“公司公告”“2019年年度报告”“2018年年度报告”“2017年年度报告”“2016年年度报告”“2015年年度报告”“2014年年度报告”“定期报告”“公告下载”等，进入相关网页后截屏保存。相关截屏显示了华某股份公司2019年-2014年的财务报告。其中2019年LED芯片营业收入1674825911.09元，营业成本1958597681.51元，毛利率为-16.94%。2018年LED蓝光芯片营业收入1403371065.90元，营业成本1049607837.84元；LED绿光芯片营业收入225207144.37元，营业成本162074658.5元；LED芯片毛利率为26.62%。2017年LED蓝光芯片营业收入1592792094.80元，营业成本1065577593.12元，毛利率33.1%；LED绿光芯片营业收入332440449.37元，营业成本254966193.40元，毛利率23.3%。2016年LED蓝光营业收入899895277.60元，营业成本719900950.68元，毛利率20%；LED绿光营业收入223727718.50元，营业成本182826193.34元，毛利率18.28%。
　　（2021）京长安内经证字第10150号公证书记载，北京市汉坤律师事务所申请公证处对其浏览网页的过程进行保全证据。2021年9月1日，北京市汉坤律师事务所的律师使用公证处的电脑，在百度浏览器中输入“华某光电官网”，点击“华某光电股份有限公司、LED产品……”，进入相关页面后依次点击“新闻中心”“6”“排污单位环境信息公开表-华某光电（苏州）有限公司”……“鄂I**备****号”“ICP备案查询”；在搜索栏中输入“深圳证券交易所”，点击“监管信息公开”“问询函件”“创业板”，在公司代码一栏中输入“***”，进入页面后点击发送日期为“2019-09-27”的公司回复“关于对华某光电股份有限公司关注函的回函”“粤I**备***号”；在搜索框中输入“华某光电官网”，进入后依次点击“高压LED芯片‘某’系列”“灯丝LED芯片‘某’系列”“倒装LED芯片‘某’系列”“背光LED芯片‘某’系列”，依次进入相关页面，再依次点击相关芯片和备案查询以及年度报告，对上述页面进行截屏。与公证书相连的页面显示“企业简介：华某苏州是华某股份的全资子公司。目前公司已有项目包括一期蓝绿光LED外延片42万片/年（全部自用）、蓝绿光LED芯片239.4亿颗/年……”“华某浙江已经建设完成的蓝绿光LED外延片……”。
　　（2022）京长安内经证字第16624号公证书记载，北京市汉坤律师事务所申请公证处对其浏览网页的过程进行证据保全。2022年4月25日，北京市汉坤律师事务所的律师使用公证处的电脑，在百度搜索框中输入“巨潮资讯”，点击第一条搜索结果，进入相关页面后在搜索框中输入“华某光电”，再分别点击“华某光电：2021年年度报告”“公告下载”“华某光电：2020年年度报告”“公告下载”，对相关结果截屏打印；在搜狗搜索框中输入“一图读懂，华某光电2021年年度报告”后点击“搜文章”，点击搜索结果后进入对应页面，截屏打印。与公证书相连的页面显示了华某股份公司2021年、2020年年度报告，其中2021年LED芯片营业收入17744034730.85元，营业成本1528184534.33元，毛利率为13.88%；2020年LED营业收入1482213467.33元，营业成本1348981122.42元，毛利率为8.99%。
　　三某公司提供的编号为沪科鉴（2021）知鉴字第0301号上海科鉴知识产权服务有限公司知识产权“鉴定意见书”（以下简称0301号专业意见书）记载：委托人三某公司委托上海科鉴知识产权服务有限公司对送检产品（型号为***的LED芯片）所包含的技术特征是否与涉案专利的权利要求1、3、6、7、8所对应的技术特征相同或等同进行“鉴定”。2021年3月19日，上海科鉴知识产权服务有限公司收到上海市东方公证处公证封存的型号为***的芯片，包装完好，贴有上海市东方公证处公证的封条。上海科鉴知识产权服务有限公司出具的“鉴定意见”为：型号为***的芯片的技术特征与涉案专利的权利要求1、3、6、7、8所限定的全部技术特征相同。作出0301号专业意见书的专业人员在一审中出庭接受了询问。
　　三某公司因维权支出公证费9976元、律师费100万元（上述费用用于两个案件的维权），因上述“鉴定”支出费用76500元。
　　华某股份公司以US20060246612A1专利文献（以下简称涉案现有技术文献）主张现有技术抗辩。
　　经华某股份公司申请，一审法院委托国家工信安全中心鉴定：1.型号为***的芯片是否具有涉案专利权利要求1、3、6、7、8记载的全部技术特征；2.上述芯片所具有的相应特征是否全部记载在涉案现有技术文献中。国家工信安全中心就上述两项委托事项组成鉴定组（成员共三名），分别于2022年3月29日、2022年4月8日作出709号鉴定意见书与710号鉴定意见书（以下统称涉案鉴定意见书）。鉴定材料为上海市东方公证处（2020）沪东证经字第13638号公证封装的编号为***包装袋中的芯片（以下简称被鉴定物）。国家工信安全中心在一审中派出鉴定人员出庭接受了询问。
　　709号鉴定意见书中的鉴定意见为：被鉴定物具有涉案专利权利要求1、3、6、7、8的全部技术特征。具体比对意见为：1.关于对比专利（即涉案专利——本院注）权利要求1的技术方案，技术特征1A：一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。技术特征1B：所述多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和阱层所形成的层，该阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量。技术特征1C：V表面坑部分地形成于所述多量子阱发光层中。技术特征1D：所述V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中。技术特征1E：所述V表面坑产生层中的n型掺杂浓度大于或等于5×1018cm-3。2.关于对比专利权利要求3的技术方案，技术特征3A：V表面坑产生层中n型掺杂浓度大于或等于所述n型氮化物半导体层中的最上表面中的n型掺杂浓度的1.1倍。3.关于对比专利权利要求6的技术方案，技术特征6A：所述V表面坑产生层的厚度大于或等于5nm。4.关于对比专利权利要求7的技术方案，技术特征7A：所述中间层的厚度大于或等于40nm。5.关于对比专利权利要求8的技术方案，技术特征8A：所述中间层是通过交替堆叠宽带隙和窄带隙层而形成的层，该窄带隙层的带隙能量低于宽带隙层的带隙能量。6.关于对比专利权利要求1、3、6、7、8的技术方案的解释，V表面坑产生层是设置在氮化物半导体发光器件中的n型氮化物半导体层和中间层之间、用于控制V表面坑的开始点的层；由于设置该层，发光器件中V表面坑的开始点的平均位置位于V表面坑产生层之上的层中，且不位于有效发光层中；V表面坑的开始点的平均位置是对V表面坑的开始点的位置进行平均所获得的位置；中间层是一个位于V表面坑产生层和多量子阱发光层之间且包含有超晶格层的区域；多量子阱发光层是设置在超晶格层之上，且由阱层和势垒层交替堆叠构成的区域；V表面坑部分地形成是指V表面坑点状的分布于MQW发光层的上表面且没有完全覆盖MQW发光层表面。
　　鉴定组基于所确定的检测方案，委托闳康技术检测（上海）有限公司（以下简称闳康公司）对被鉴定物进行检测。2022年1月11日，闳康公司提供了相应的检测数据（以下简称检测数据）。依据检测数据，鉴定组在709号鉴定意见书中作出以下分析：1.确定被鉴定物中的多量子阱层、超晶格层。根据检测数据中的TEM电镜检测数据表格（见表1）和图像（见图2、图3），多量子阱层位于相对于芯片顶面垂直位置162.5nm～292.2nm处，超晶格层由上部和下部两部分（Superlattice1、Superlattice2）构成，位于相对于芯片顶面垂直位置303.1nm～505.6nm处。2.确定被鉴定物中的V表面坑产生层位置及其掺杂浓度和厚度。结合对比专利说明书的相应记载，可以将掺杂浓度作为一个判定V表面坑产生层位置的依据。根据检测数据中给出的Si（硅）浓度（GaN发光二极管中惯常的掺杂元素）可见，Si浓度大于5×1018cm-3的点位相对于SIMS扫描的芯片顶面分别为502nm和515nm，浓度分别为5.29×1018cm-3和6.11×1018cm-3。由于检测数据中的深度分辨率低（备注中记载，由于当事人要求在一个样品上同时进行V表面坑检测和SIMS检测，进行TEM电镜V表面坑检测后剩余的样品量过小，无法进行高深度分辨率SIMS扫描），导致Si浓度大于5×1018cm-3的点位只有两个点，不便于较为准确计算平均掺杂浓度和V表面坑厚度。因此，V表面坑产生层的Si掺杂浓度大于5.29×1018cm-3，V表面坑产生层的厚度大于13nm（515nm-502nm=13nm）、小于41nm（529nm-488nm=41nm）。3.确定n型GaN最上面层的掺杂浓度。n型GaN最上面位于相对于SIMS扫描的芯片顶面529nm处，该处的Si浓度2.12×1018cm-3。4.确定被鉴定物中的中间层位置和厚度。依据对比专利（应为专利说明书——本院注）中的解释，中间层是一个位于V表面坑产生层和多量子阱发光层之间且包含有超晶格层的区域。中间层存在包含整个超晶格层或仅包含上部超晶格层两种情况，其中中间层区域最小的情况是位于上部超晶格层。中间层厚度大于等于51.3nm、小于等于202.5nm。5.确定被鉴定物中V表面坑的开始点的平均位置。根据检测数据，汇总各个检测点（图6）的V表面坑开始点位置（图7、图8），在E、F两个点位总计检测到了6个V表面坑（由于当事人要求在同一个芯片上完成V表面坑测量和SIMS检测，难度较大。本检测共进行了两次。第一次检测时，检测4个点，共计检测到17个V表面坑并进行了测量，经过分析V表面坑的平均开始点位于中间层，但是因为所剩样品太小，后续无法进行SIMS检测，故无法使用该检测数据。第二次检测时，为保证SIMS检测的顺利实施，只选择了两个点检测V表面坑，同时由于剩余样品过小，只能进行低深度分辨率SIMS扫描）。测量其开始点位置（表3），计算出的以多量子阱层顶面为基准的V表面坑的开始点的平均位置为155.5nm。6.确定被鉴定物是否为半导体发光器件以及其半导体结构。根据检测数据可见（见图9），在蓝宝石衬底上依次设置：n-GaN、多量子阱层、超晶格层、p-GaN。根据位置关系可见，V表面坑产生层之上是中间层，再上是多量子阱发光层。7.确定被鉴定物V表面坑的开始点的平均位置是否位于中间层。根据前文可知，以多量子阱层顶面为基准的V表面坑的开始点的平均位置为155.5nm。中间层位于包含相对于芯片顶面垂直位置303.1nm～354.4nm的区域（最小区域）。多量子阱层位于相对于芯片顶面垂直位置162.5nm～292.2nm处。故以芯片顶面为基准的V表面坑的开始点的平均位置为318.0nm（155.5nm+162.5nm=318.0nm）。由于以芯片顶面为基准的V表面坑的开始点的平均位置318nm位于中间层所包含的303.1nm～354.4nm的区域内。因此，被鉴定物V表面坑的开始点的平均位置位于中间层。8.确定被鉴定物中的多量子阱发光层是否是通过交替堆叠势垒层和阱层所形成的层，且阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量。多量子阱层所在的区域是由铟（In）掺杂浓度不同的InxGa1-xN构成。依照行业公知，InxGa1-xN的带隙约为0.7～3.4电子伏特（带隙范围随铟组分摩尔分数x的变化而变化）。铟掺杂浓度低的InxGa1-xN区域，具有较高的带隙能量，即为势垒层；铟掺杂浓度高的InxGa1-xN区域，具有较低的带隙能量，即为阱层。故阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量。9.确定被鉴定物中V表面坑是否部分地形成于所述多量子阱发光层中。根据检测数据中的图片，V表面坑表面位于多量子阱层上表面，呈现离散分布且未完全覆盖多量子阱层上表面的特点。基于对比专利中关于“V表面坑部分地形成”的解释，结合前文关于多量子阱层即多量子阱发光层的认定，可以判定：V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中。10.确定被鉴定物中V表面坑产生层的掺杂浓度与n型GaN最上面掺杂浓度的倍数关系。鉴于前文所述的低深度分辨率SIMS的客观情况，很难准确判断紧邻V表面坑产生层的最上层n型GaN的浓度以及V表面坑产生层的平均浓度，只能进行粗略数值计算。根据前文已知，V表面坑产生层的掺杂浓度大于5.29×1018cm-3。n型GaN最上面位于相对于SIMS扫描的芯片顶面529nm处，对应的Si浓度为2.12×1018cm-3。故V表面坑产生层的掺杂浓度是n型GaN最上面掺杂浓度的约2.50倍。11.确定中间层是否是通过交替堆叠宽带隙和窄带隙层而形成的层，且该窄带隙层的带隙能量低于宽带隙层的带隙能量。铟浓度在超晶格层所处的区域，浓度发生了较为明显的变化。也就是说，超晶格层所在区域是由铟掺杂浓度不同的InxGa1-xN交替构成的。InxGa1-xN的带隙约为0.7～3.4电子伏特（带隙范围随铟组分摩尔分数x的变化而变化）。带隙能量小的InxGa1-xN区域称为窄带隙层，带隙能量大的InxGa1-xN区域称为宽带隙层，它们之间处于交替堆叠的关系。因此，中间层是通过交替堆叠宽带隙和窄带隙层而形成的层，该窄带隙层的带隙能量低于宽带隙层的带隙能量。
　　710号鉴定意见书中的鉴定意见为：根据委托事项以及709号鉴定意见书，被鉴定物的相关技术特征为：1a，被鉴定物是一种GaN发光二极管，从下到上顺序排列有n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层；1b，被鉴定物中的多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和阱层所形成的层，阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量；1c，被鉴定物中V表面坑部分地形成于所述多量子阱发光层中；1d，被鉴定物中V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中；1e，被鉴定物中V表面坑产生层中的n型掺杂浓度大于5.29×1018cm-3;3a,被鉴定物中V表面坑产生层的掺杂浓度是n型GaN最上面掺杂浓度的约2.50倍；6a，被鉴定物中V表面坑产生层的厚度大于13nm、小于41nm；7a，被鉴定物的中间层厚度大于等于51.3nm、小于等于202.5nm；8a，被鉴定物的中间层是通过交替堆叠宽带隙和窄带隙层而形成的层，该窄带隙层的带隙能量低于宽带隙层的带隙能量。鉴定组多数成员（即鉴定组共三名成员中持多数意见的二名成员）认为，公证封存的编号为***的包装袋中的芯片所具有的与涉案专利权利要求1、3、6、7、8技术特征相对应的技术特征部分为涉案现有技术文献所记载。鉴定组多数成员的具体比对意见为：1.根据709号鉴定意见书确定的被鉴定物的相关技术特征，该相关技术特征与对比文献（即涉案现有技术文献--本院注）中均具有：GaN发光二极管是一种氮化物发光器件，以及内部顺序存在n型掺杂氮化镓层、中间层、多量子阱层、p型掺杂氮化镓层等技术信息。但是，对比文献中并未记载V表面坑产生层的相关技术信息。因此，被鉴定物的技术特征1a未在对比文献中记载。2.对比被鉴定物的技术特征1b与对比文献记载的技术特征1b’，两者描述的技术信息相同。3.对比被鉴定物的技术特征1c与对比文献记载的技术特征1c’，两者描述技术信息相同。4.凹坑与V表面坑是不同的概念。两者在分布几率上也是不同的，被鉴定物记载的V表面坑的开始点的平均值，对比文献记载的至少一个凹坑源自衬底和其上凹坑开口区之间的层中。两者在分布区域上也是不同的，被鉴定物记载的是位于中间层，对比文献记载的是位于衬底和凹坑开口区之间的区域（该区域包含中间层）。结合无效宣告请求审查决定，对比文献中并未直接记载“V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中”。因此，被鉴定物的技术特征1d并未在对比文献中记载。5.由于对比文献中未记载V表面坑产生层，也就没有记载其浓度信息。因此，被鉴定物的技术特征1e未在对比文献中记载。6.对比文献并未记载V表面坑产生层中n型掺杂浓度，虽然记载了第二GaN层可以掺杂有l×1017cm-3至约5×1019cm-3水平的硅（Si），但是并未记载其最上表面的n型掺杂浓度。也就无法计算两者的浓度比。因此，被鉴定物的技术特征3a未在对比文献中记载。7.关于被鉴定物的技术特征6a，被鉴定物中V表面坑产生层的厚度大于13nm、小于41nm。对比文献中未记载V表面坑产生层信息，也就没有记载其厚度信息。因此，被鉴定物的技术特征6a未在对比文献中记载。8.关于被鉴定物的技术特征7a，被鉴定物的中间层厚度大于等于51.3nm、小于等于202.5nm。对比文献记载的技术特征7a’，中间层的厚度为9nm～350nm。鉴于被鉴定物的中间层厚度大于等于51.3nm、小于等于202.5nm，属于对比文献中记载的中间层厚度9nm～350nm的范围。因此，被鉴定物的技术特征7a已在对比文献中记载。9.关于对比文献中的技术特征8a’，中间层是通过交替堆叠宽带隙和窄带隙层而形成的层，该窄带隙层的带隙能量低于宽带隙层的带隙能量。被鉴定物的技术特征8a与对比文献中的技术特征8a’，两者记载的技术信息相同。因此，被鉴定物的技术特征8a已在对比文献中记载。
　　710号鉴定意见书中的附件包含鉴定组少数成员（即鉴定组共三名成员中持少数意见的一名成员）出具的《比对分析报告》。鉴定组少数成员在《比对分析报告》认为：对比文献中所称的“凹坑”与“V表面坑”是同一个概念的不同名称；对比文献第9页[012]、第10页[020]记载，所述多个凹坑中的至少一个凹坑可以源自设置在所述凹坑开口区和其上设置有所述凹坑开口区的衬底之间的层中，因此，至少一个V表面坑源自衬底及其上V表面坑开口区之间的层中；公证封存的编号为***的包装袋中的芯片所具有的与涉案专利权利要求1、3、6、7和8所记载的技术特征相对应的技术特征全部为涉案现有技术文献所记载或覆盖。
　　华某股份公司针对0301号专业意见书向一审法院提供了证人许军的证言。许军陈述其系清华大学微电子学研究所的研究员，其认为不能仅凭第一电子注入层的N型掺杂浓度超过了5.29×1018cm-3就认为该层系V表面坑产生层。华某股份公司为了验证0301号专业意见书中被测样品中的J层是否具有使得V表面坑数量显著增加以及变深的作用，其称制备了与全结构样品相比仅缺少了J层的对照样品，并委托闳康公司检测。检测结果表明全结构V表面坑平均数量为132个，对照样品的V表面坑平均数量为188.5个。
　　华某股份公司为说明其生产、销售有关芯片的情况，向一审法院提供了由容诚会计师事务所（特殊普通合伙）出具的《关于***S7AA系列产品毛利情况说明》。该说明记载：容诚会计师事务所对华某股份公司2019年-2021年年度财务报表审计及2019年财务报表期初数可比期间暨2018年度利润表审阅所履行的程序包括抽样、监盘、复核、重新计算、分析性复核、函证等；在执行年度财务报表审计程序外，无执行额外程序等；基于该会计师事务所所履行的程序，其认为华某股份公司相关年度财务报表已按照企业会计准则的规定编制，公允反映了相应年度财务状况和经营成果；***S7AA系列产品毛利情况与该会计师事务所审计过程中所获得的信息不存在影响报表认定的重大差异。该说明中附有***S7AA系列产品毛利情况。
　　华某股份公司因申请一审法院委托鉴定，支付鉴定费42.5万元。一审庭审中，三某公司陈述其请求赔偿的依据系华某股份公司的年报数据。
　　一审法院认为：根据在案证据，可以认定正某公司具有销售被诉侵权产品的行为，华某股份公司有生产、销售被诉侵权产品的行为。涉案芯片中仅标注华某股份公司的企业名称及商标，故不能仅以华某浙江公司和华某苏州公司的经营范围以及与华某股份公司的关系，就认定华某浙江公司和华某苏州公司实施了生产、销售被诉侵权产品的行为。因三某公司提供的华某股份公司的官网截图未涉及被诉侵权产品的展示销售，根据现有证据不足以证明华某股份公司、正某公司实施了许诺销售涉案芯片的行为。因本案取证及起诉之日均发生在2020年，故本案仍适用2008年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）。
　　本案中，对于被诉侵权技术方案是否具有涉案专利权利要求1、3、6、7、8记载的全部技术特征，一审法院已委托国家工信安全中心进行鉴定。国家工信安全中心就此出具709号鉴定意见书，对涉案专利进行了划分和比对，认为型号为***的芯片具有涉案专利权利要求1、3、6、7、8记载的全部技术特征。华某方对该鉴定意见书提出异议，认为该鉴定意见书未附有闳康公司的全部检测数据，错误地以N型掺杂浓度是否大于或等于5.29×1018cm～3作为V表面坑产生层的判断标准，且错误地计算了V表面坑的N型掺杂浓度，错误地统计了V表面坑的开始点的平均位置。国家工信安全中心的选定是由双方当事人协商一致确定，闳康公司作为检测机构亦是经双方当事人同意，涉案鉴定意见书的作出符合法定程序。涉案鉴定意见书中引用了闳康公司的检测数据，鉴定人员出庭亦陈述该检测数据客观真实，华某方也未举证证明涉案鉴定意见书中所引用的闳康公司的数据有误，故其以此为由认为涉案鉴定意见书不应予以采信的依据不足。
　　关于V表面坑产生层的认定，涉案专利说明书中记载了V表面坑产生层的结构、位置、组成、掺杂浓度和作用等，结合三某公司的陈述，故可以将V表面坑产生层认定为是设置在氮化物半导体发光器件中的N型氮化物半导体层和中间层之间、用于控制V表面坑的开始点的层。实施例中记载了设置V表面坑产生层的方式包括设定掺杂浓度和设定温度两种方式，故涉案鉴定意见书将掺杂浓度作为一个判定V表面坑产生层位置的依据并无不当。华某方主张应当根据V表面坑产生层所起的作用来判断该层。判断V表面坑产生层是否具有控制V表面坑的开始点的位置的作用，可以将是否产生了相应结果作为导向。根据涉案鉴定意见书的记载，V表面坑的开始点的平均位置为155.55nm，处于中间层中，即实现了控制V表面坑的开始点位置的结果，故现有证据不能证明涉案鉴定意见书中对于V表面坑产生层的认定有误。关于华某方提交的检测报告，因其提交检测的全结构样品和对照样品均是其自行制作，无法确认该检测报告的客观性，故该证据无法达到证明目的。709号鉴定意见书对于涉案专利的技术划分和比对均有详细记载，经查，该比对意见无误，予以采信，故认定被诉产品具有涉案专利权利要求1、3、6、7、8的全部技术特征。
　　关于现有技术抗辩的技术比对，一审法院已委托国家工信安全中心进行鉴定。该中心就此出具710号鉴定意见书。鉴定意见为“公证封存的编号为***的包装袋中的芯片所具有的与ZL201210286901.2发明专利权利要求1、3、6、7和8技术特征相对应的技术特征部分为涉案现有技术文献所记载”。华某方认为，鉴定组少数成员未出庭接受询问，程序违法，且710号鉴定意见书对于“V表面产生层”的认定采用了与709号鉴定意见书不同的标准，故710号鉴定意见书中的鉴定意见不应被采信。经一审法院通知，鉴定机构已派员出庭接受询问，法律并未对接受询问的人员作出具体限定，故华某方据此认为710号鉴定意见书作出的程序违法的理由不能成立。
　　关于V表面坑产生层是否被记载在比对文献中，根据前述分析，V表面坑产生层是设置在氮化物半导体发光器件中的n型氮化物半导体层和中间层之间、用于控制V表面坑的开始点的层，涉案专利所解决的技术问题是如何抑制氮化物半导体发光器件在高温或大电流下发光效率的劣化，V表面坑产生层的设置正是为了解决这一技术问题的关键所在。而比对文献中记载了“可以通过打开凹坑而不是关闭凹坑来改善氮化物基发光器件的性能”，即是通过打开凹坑以使有源层延伸到凹坑中从而提升器件亮度。但是，该比对文献中未提及控制V表面坑的开始点的位置，也没有公开通过形成V表面坑产生层来控制V表面坑的开始点的位置，故比对文献中未记载V表面坑产生层的技术特征，即被诉产品所具有的V表面坑产生层的这一技术特征未被记录在比对文献中。710号鉴定意见书对技术特征的划分和比对意见无误，一审法院予以采信，故华某方主张的现有技术抗辩不能成立。
　　华某股份公司未经许可制造、销售被诉侵权产品以及正某公司销售被诉侵权产品的行为，构成对涉案专利权的侵犯。根据《中华人民共和国侵权责任法》（以下简称侵权责任法）第十五条之规定，承担侵权责任的方式主要有停止侵害和赔偿损失，故三某公司要求华某股份公司停止侵权和赔偿损失、正某公司停止侵权的诉讼请求于法有据，予以支持。关于销毁侵权产品和专用于生产侵权产品的设备和相关模具，由于三某公司未举证证明华某股份公司还存有侵权产品，且具有专用于生产侵权产品的设备和相关模具，故对三某公司要求销毁上述产品、设备的诉讼请求，不予支持。
　　本案中，三某公司主张以华某方获利作为赔偿依据。三某公司认为，按照涉案专利授权日（2016年6月29日）至本案一审判决共计68个月计算，专利贡献率按30%计算，结合华某股份公司LED近五年的利润率，销量按华某股份公司芯片总销量的10%计算，侵权获利为5524万元，远超三某公司主张的4000万元。华某股份公司据此提供了《关于***S7AA系列产品毛利情况说明》，以证明其经营该产品并未获利。该情况说明明确记载了“在执行年度财务报表审计程序外，无执行额外程序等”，且该情况说明未附完整的审计报告，故对于该情况说明中所附***S7AA系列产品的销售数据不予采信。综合考虑以下因素：1.三某公司并未举证证明华某股份公司自2016年起就开始生产被诉侵权产品且一直持续，故其主张的侵权时间不能成立。三某公司公证购买被诉侵权产品的时间为2020年，根据华某股份公司提交的《关于***S7AA系列产品毛利情况说明》，其在2019年和2020年均有生产、销售被诉侵权产品，2021年还在销售被诉侵权产品，故一审法院认定华某股份公司实施侵权行为的时间主要发生于2019年至2021年，其侵权时间较长；2.三某公司公证购买被诉侵权产品的价格是143.4元/片；3.三某公司未举证证明涉案型号LED产品的销售盈利情况，故参考华某股份公司近五年来对于LED芯片整体的营收情况。根据华某股份公司的年度报告记载，其近五年LED芯片的营业总收入为9081579206.60元，每年平均营业总收入为1816315841.32元，五年平均毛利率为14.5%；4.涉案专利为发明专利，该专利对被诉侵权产品的价值存在贡献率；5.三某公司主张侵权仅涉及一种型号的芯片，根据其公证购买时签订的《销售合同》，涉及的芯片型号有17种；同时，华某股份公司官网上介绍的LED芯片包含四个系列，即华某股份公司生产的芯片型号较多。据此，虽然三某公司主张的计算依据并不完全正确，但根据华某股份公司对该产品的销售时间、其关于LED芯片的整体营收情况等因素，华某股份公司因侵权产品产生的获利已经超过100万元具有高度可能性，故综合考虑上述因素，对于三某公司主张的4000万元赔偿予以部分支持300万元。关于三某公司主张的合理费用58万元，其中包含三某公司单方委托“鉴定”的费用76500元、公证费4988元、律师费50万元，均提供了票据予以支持，考虑到本案的复杂程度，律师费未明显超出合理范畴，故一审法院对于三某公司主张的合理费用予以全额支持。
　　关于委托鉴定费用42.5万元，根据《诉讼费用交纳办法》第十二条、第二十九条之规定，被诉侵权产品的技术特征需要通过鉴定才能确定，而鉴定结果对华某股份公司不利，故华某股份公司应当负担该部分费用。
　　综上所述，一审法院依照《中华人民共和国侵权责任法》第十五条，2008年修正的《中华人民共和国专利法》第十一条第一款、第五十九条第一款、第六十二条、第六十五条，《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第一条、第七条、第十四条第一款，2021年修正的《中华人民共和国民事诉讼法》第一百四十六条之规定，于2022年5月19日作出（2020）湘01知民初194号民事判决：“一、被告华某光电股份有限公司立即停止制造、销售、湖南正某医疗器械有限责任公司立即停止销售侵害原告厦门三某光电有限公司第ZL201210286901.2号发明专利权的产品；二、被告华某光电股份有限公司于本判决发生法律效力之日起十日内赔偿原告厦门三某光电有限公司经济损失3000000元；三、被告华某光电股份有限公司于本判决发生法律效力之日起十日内赔偿原告厦门三某光电有限公司合理维权费用580000元；四、驳回原告厦门三某光电有限公司的其他诉讼请求。如果未按本判决指定的期间履行金钱给付义务，应当依照《中华人民共和国民事诉讼法》第二百六十条之规定加倍支付迟延履行期间的债务利息。本案案件受理费244300元，由被告华某光电股份有限公司负担100000元，由原告负担144300元；鉴定费425000元，由被告华某光电股份有限公司负担。”
　　华某股份公司不服一审判决，提起上诉，请求：依法撤销一审判决；驳回三某公司的全部诉讼请求；改判三某公司负担本案一审、二审诉讼费用和鉴定费用。事实和理由：（一）被诉侵权技术方案未落入涉案专利权的保护范围。1.709号鉴定意见书缺少完整检测数据，一审法院委托的鉴定机构未能保障华某方质证的程序性权利而直接采信闳康公司提供的检测数据，存在程序违法的情形。2.709号鉴定意见书实质内容存在多处明显错误，不应采信。（1）计算V表面坑产生层的掺杂浓度存在明显错误。该鉴定意见书实际上是用被诉侵权产品中所谓的“V表面坑产生层”的最高浓度来表征；而权利要求1要求保护的并非该层的n型掺杂的“最高”浓度，而是平均浓度。（2）对V表面坑的开始点的平均位置的统计结果存在明显错误。第一，鉴定意见书中V表面坑的采样数据过少。第二，遗漏了样本。709号鉴定意见书第23页图7左上角疑似有遗漏的V表面坑未被统计，该V表面坑深度小于所统计的所有V表面坑。第三，F-1为异常数据，应予以排除。排除后的V表面坑顶点平均值不在中间层中。未排除异常值的鉴定结论不应当被采信。3.被测侵权产品中所测的高掺杂浓度与V表面坑产生层的开始点的平均位置位于中间层并无因果关系。被诉侵权产品中V表面坑的开始点的平均位置距离V表面坑产生层的距离为270nm左右，并相隔至少4个不同的半导体层，加之V表面坑产生层之上Si（硅）浓度降低了一个数量级，足以屏蔽浓度高峰的影响，因而高掺杂层无法起到控制V表面坑产生的作用。4.一审法院以“n型掺杂浓度是否大于或等于5×1018cm-3”作为V表面坑产生层的判断标准存在错误，事实上该掺杂浓度为n型层的常规掺杂浓度。（二）现有技术抗辩成立。1.一审法院没有通知鉴定组少数成员出庭接受询问，存在严重程序违法。2.一审法院关于现有技术抗辩的认定标准与侵权认定的标准存在明显矛盾。一审法院上述错误认定的根源在于一审中鉴定机构在V表面坑产生层特征的认定中采用了完全不同的标准，使得三某公司“两头得利”。在709号鉴定意见书中，鉴定机构以掺杂浓度是否大于或等于5×1018cm-3作为V表面坑产生层的判断标准，而在分析现有技术时却认为V表面坑产生层必须是被现有技术明确记载为用于控制V表面坑的开始点的层，因而认为现有技术没有公开V表面坑产生层。3.710号鉴定意见书错误地认为涉案现有技术文献没有记载V表面坑产生层的技术信息、V表面坑的开始点的平均位置位于所述的中间层中、V表面坑产生层的n型掺杂浓度、V表面坑产生层的n型掺杂浓度与n型氮化物半导体层中的最上表面中的n型掺杂浓度的倍数关系以及V表面坑产生层的厚度。（三）华某股份公司已提供审计说明等证据证明其经营被诉侵权产品并无任何获利，一审法院错误适用酌定赔偿，且赔偿额畸高。一审法院没有侵权获利利润率与涉案专利贡献率来据以确切计算赔偿额，在此前提下错误地认定华某股份公司的侵权获利已经超过100万元具有高度可能性，并不当酌定支持三某公司300万元经济损失赔偿的诉讼请求。华某方支付了检测费但未获得检测报告，本案检测费15万元不应由华某方负担。
　　三某公司答辩称：（一）被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求的保护范围。基于一审法院委托的鉴定机构出具的709号鉴定意见书的客观检测数据，可以确定被诉侵权技术方案具有涉案专利权利要求1中“V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中”以及“V表面坑产生层”的技术特征。1.涉案专利权利要求和说明书明确界定了V表面坑产生层的含义。涉案专利说明书中对于V表面坑的开始点为V形顶点，并可以采用发光层的上表面作为基准点来确定“开始点的位置”，通过对“开始点的位置”求平均值来确定“平均位置”。2.709号鉴定意见书中不存在异常数据。鉴定程序中对V表面坑样本开始点的检测结果，符合涉案专利对于V表面坑的描述和记载。所谓统计学方法识别异常数据，不能否定客观科学方式检测的数据。3.一审法院基于709号鉴定意见书判断被诉侵权产品是否具有V表面坑产生层，并非仅以Si浓度作为认定V表面坑产生层的唯一依据。被诉侵权产品的V表面坑产生层设置在氮化物半导体发光器件中的n型氮化物半导体层和中间层之间，且掺杂浓度大于或等于5×1018cm-3，用于控制V表面坑的开始点，使平均位置位于V表面坑产生层之上的层中，而不位于有效发光层中。709号鉴定意见书中图10呈现的拖尾现象亦印证了V表面坑的开始点的平均值位于中间层中。（二）现有技术抗辩不能成立。710号鉴定意见书作出的程序合法，该鉴定意见书认定事实清楚，其结论明确。1.710号鉴定意见书的结论与已生效的涉案专利无效宣告请求审查决定相符，且与709号鉴定意见书对权利要求的解释一致，不存在标准不一致的问题。2.710号鉴定意见书的内容包括“技术事实”和“法律认定”两方面内容。三名鉴定组成员对于“技术事实”认定一致，仅在“法律认定”上存在分歧，鉴定组少数成员对于法律问题的认定存在错误。3.现有技术没有公开V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中的技术特征。鉴定组少数成员错误地用其他特征以及推定的技术效果来认定现有技术抗辩成立。4.现有技术也没有公开V表面坑产生层的技术特征。（三）一审法院确定的损害赔偿数额并无不当。综上所述，三某公司请求二审法院驳回上诉，维持原判。
　　华某浙江公司、华某苏州公司同意华某股份公司的上诉意见。
　　正某公司未予答辩。
　　本院二审期间，华某股份公司与三某公司均补充提供了证据，其他当事人没有补充提供证据，本院对当事人补充提供的证据进行了证据交换与质证。华某股份公司补充提供了以下3份证据：1.华某股份公司单方委托首都知识产权服务业协会出具的首知鉴字（2023）知鉴字第08号“鉴定意见书”（以下简称08号专业意见书）；2.国家知识产权局关于涉案专利第二次无效宣告审查程序的口头审理笔录；3.国家知识产权局于2022年9月5日作出的第58080无效宣告请求审查决定书（以下简称第58080号决定）。华某股份公司申请出具08号专业意见书的专业人员杜艺莹、刘仿、范芳茗出庭接受询问。华某股份公司提供上述证据拟证明被诉侵权技术方案不落入涉案专利权的保护范围。三某公司补充提供了4份证据，均涉及与V表面坑相近领域的文献，并在二审庭审中演示下载文件进行核实，拟证明本领域可以用Al（铝）、Mg（镁）的拖尾现象来表征V表面坑的位置，佐证V表面坑的开始点的平均位置出现在中间层。三某公司还申请蓝永凌作为具有专门知识的人出庭就相关技术问题作出说明。
　　经质证，对于华某股份公司补充提供的上述3份证据，华某浙江公司、华某江苏公司均认可其证明力，正某公司未发表质证意见；三某公司认可该3份证据的真实性但不认可其关联性及证明目的，还以华某股份公司逾期提供证据1为由主张该份证据不应采纳。对三某公司补充提供的上述4份证据，华某方认可其真实性与合法性，但不认可其关联性及证明目的；正某公司也未发表质证意见。
　　本院经审核，对于华某股份公司补充提供的上述3份证据，其中证据1系华某股份公司就查明事实的专门性问题自行委托专业机构出具的专业意见（即08号专业意见书），其所依据的技术事实基础与709号鉴定意见书所依据的事实基础并无不同，08号专业意见书与709号鉴定意见书的结论不同的主要原因在于08号专业意见书去除了其所谓的“异常值”等，本院对该份证据不予采信，具体理据在以下判决论理部分进行阐述；对其中证据2与证据3的真实性、合法性和关联性予以认可，该两份证据涉及涉案专利权利要求的解释，与本案争议焦点密切相关，本院将结合其他在案证据在判决论理部分予以综合评述。对于三某公司补充提供的上述4份证据，结合当事人的质证意见，其中证据1记载了Al的拖尾现象、证据2记载了Al和Mg的拖尾现象、证据3与证据4仅记载了Mg的拖尾现象。对于三某公司所述的Al的拖尾现象，经核实，超晶格层可以包含Al，也可以不包含Al，当超晶格由氮化铝和其他氮化物如氮化镓交替排列时，此时超晶格层中含有铝，因而不能基于其中含铝即分析推断V表面坑在中间层的存在与分布；根据图谱显示，Mg元素的含量从超晶格1的位置向超晶格2的位置递减，而超晶格1与超晶格2层之间仍然含Mg元素，并不能明确其属于基底杂音，因此也无法根据Mg元素的含量推定编号为F1的点为异常点。故对该4份证据，本院不认可其证明力。
　　二审庭审中，出具涉案鉴定意见书的鉴定组成员范曾杰[鉴定组多数成员之一，全体鉴定组成员为吴玉平、孟超、范增杰，本案与（2022）最高法知民终2433号案鉴定组成员相同]出庭接受询问。华某方申请鉴定组少数成员吴玉平出庭。本院准许华某方上述申请，并通知国家工信安全中心，但吴玉平未到庭。该中心工作人员出庭说明吴玉平不能到庭的原因主要为：吴玉平已不再担任该中心鉴定人员；经联系吴玉平，其要求较长的准备时间，故无法出庭。
　　各方当事人对一审法院认定的事实均未提出异议。一审法院查明的事实基本属实，有证据佐证，各方当事人均无异议，本院予以确认。
　　本院另查明如下事实：
　　华某浙江公司、华某苏州公司、华某股份公司的全称，经相关行政主管机关核准，先后于2024年1月29日、2月1日、5月23日由华某光电（浙江）有限公司、华某光电（苏州）有限公司、华某光电股份有限公司分别变更为京某方华某光电（浙江）有限公司、京某方华某光电（苏州）有限公司、京某方华某光电股份有限公司。
　　华某苏州公司于2022年1月13日向国家知识产权局对涉案专利提出无效宣告请求，国家知识产权局于2022年6月24日举行口头审理。该口头审理的笔录记载有关内容如下：“合议组：发明点实际上是V表面坑产生层，作用是控制V表面坑的开始点的位置？三某公司：是。设置了特定层的组合，包括V表面坑产生层和中间层特定的层组合，利用了特定的层组合里面的V表面坑产生层的特定浓度去影响V表面坑的开始点的平均位置使其位于中间层中，整个层结构到V表面坑产生层的成分、浓度影响V表面坑开始点的位置。合议组：如果V表面坑的开始点跑到发光层会怎么样？三某公司：V表面坑里一般会有位错，位错可以想象成从衬底往上长的裂缝，裂缝被V表面坑覆盖，所谓的载流子不会进入到裂缝，一旦进入会发生非发光负荷，降低发光效率……假如在有源层第三层打开V表面坑，前两层变成有源层里的裂缝，一定程度的载流子会掉入裂缝，影响发光效率。V表面坑倾斜的角度是确定的，开始点的位置决定了最终在发光层中打开尺寸的大小和平均的大小与深度，通过控制开始点的位置能够在发光层中出现V表面坑相对比较集中，说明书实施例也具体说明了通过权利要求限定的方案后，V表面坑深度会足够，尺寸是相对更加集中，能够使得发光的效率更高、发光程度更加均匀。”“合议组：假如没有V表面坑产生层，位错是一条线弯曲一直穿过发光层？三某公司：是。这些弯曲的位错即使没有V表面坑产生层也会打开一部分V表面坑，但V表面坑会错落上下不均匀，不一定在哪打开，打开早了均匀也不好，打开晚了会产生非发光负荷。让开始点都位于同一位置，都在中间层里，不要上上下下错落的开花。合议组：V表面坑产生层对缺陷产生的数量是否有影响？还是仅对V表面坑开始点起作用？三某公司：对位错的数量没有影响，控制的是V表面坑的开始点的平均位置……中间层的特征是需要结合V表面坑产生层去考虑的，不光是位置的关系。对于中间层，不光是看V表面坑在一个层里就定义为中间层，而是中间层之所以达到让V表面坑的开始点落到里边，是因为V表面坑产生层依靠高掺杂浓度去影响。让V表面坑开始点落在中间层的结果是不是由于V表面坑产生层的浓度产生的影响，是需要考虑的……而不是单独的仅凭V表面坑在哪个层中出现就认定是中间层。”“三某公司：……对比文件1公开了V表面坑，但没有控制或影响，或根本不关心V表面坑的开始点的平均位置，和本专利处于两个阶段，对比文件1只关注V表面坑的有无，不关注V表面坑深度和V表面坑深度的均匀性。”“合议组：为什么V表面坑产生层在限定的掺杂浓度时能够控制V表面坑的开始点？有没有相关的原理？还是基于实验数据的观察？三某公司：主要是实验数据，V表面坑的产生机理相应的数据很复杂。主要是用图6A的实验数据来说明效果。合议组：V表面坑产生层有控制V表面坑开始点的作用，说明书涉及的相关部分是实验数据表明有很好的效果，就是图6A相关的？三某公司：是。有这层结构能把V表面坑拉得更整齐。”
　　2022年9月5日，国家知识产权局作出第58080号决定，维持涉案专利有效。具体理由包括：1.关于涉案专利权利要求1中“V表面坑产生层”和“中间层”的理解，“V表面坑”是设置在氮化物半导体发光器件中的n型氮化物半导体层之上、用于控制V表面坑开始点的层，由于设置该层，发光器件中V表面坑的开始点的平均位置位于V表面坑产生层之上的层中，且不位于有效发光层。“中间层”是设置在V表面坑产生层和多量子阱发光层之间的层，从而使得V表面坑产生层和多量子阱发光层彼此间隔开，进而能够使得V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中而不存在于多量子阱发光层中。且权利要求1中“V表面坑产生层”和“中间层”是关联特征，应将二者视为一个整体看待，而不应割裂其内在有机联系而对各个技术特征分别考察是否被现有技术公开或给出技术启示。2.关于权利要求1的创造性，该无效宣告请求中所援引的证据1系本案现有技术抗辩中现有技术的同族专利US6537839B2。证据1并未记载下引导层5还用于凹槽或凹坑的产生，更未提及其对凹槽或凹坑的开始点有任何控制作用。证据1并未记载在下引导层5有特殊设置可以导致穿透位错在该位置发生突变，导致在上面的层产生V表面坑。因此，证据1中的n型GaN引导层5不相当于权利要求1中的V表面坑产生层。且涉案专利权利要求1中的中间层是设置在V表面坑产生层之上且与V表面坑产生层互相配合、共同作用的层，二者构成的层组合是一个相互关联的整体。综上所述，权利要求1相对于证据1的区别特征是：V表面坑产生层和中间层顺序设置于n型氮化物半导体层与多量子阱发光层之间，所述V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层，所述V表面坑产生层的n型掺杂浓度大于或等于5×1018cm-3。基于上述区别，权利要求1实际解决的技术问题是：使得V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中而不会落入多量子阱发光层中，从而更好地抑制非发光复合，即使在高温或大电流下驱动时发光效率的劣化都被抑制。
　　涉案专利说明书[0073]段载明：“V表面坑产生层10是用于形成V表面坑15的层，从而V表面坑15的开始点的平均位置位于处在n型氮化物半导体层9侧上的层中（在本实施例中为超晶格层12），而非位于有效地运行作为发光层的层中（在本实施例中为MQW发光层14）。此处，V表面坑15的开始点指的是V表面坑15的底部”“V表面坑15的开始点的平均位置指的是通过将沿氮化物半导体发光器件的厚度方向、形成于MQW发光层14中的V表面坑15的开始点的位置进行平均所获得的位置。”
　　涉案专利说明书[0116]段载明：“作为一示例，陈述了一种允许V表面坑产生层10以比n型氮化物半导体层9的温度低的温度生长的方法。具体地，降低生长温度的程度优选地大于或等于50℃，且更优选地大于或等于100℃。换句话说，V表面坑产生层10的生长温度优选地小于或等于920℃，更优选地小于或等于860℃，且进一步优选地小于或等于820℃。优选地，生长温度大于或等于600℃，且更优选地大于或等于700℃。因此，在V表面坑产生层10中形成V表面坑的效应增加，且在MQW发光层14中形成V表面坑15。”
　　涉案专利说明书[0144]段载明：“作为V表面坑产生层10的形成条件，本发明的发明者在上述的示例1中使用了下列两个措施：（1）将n型掺杂浓度设定为较n型氮化物半导体层9要高（n型氮化物半导体层9中的n型掺杂浓度是6×1018cm-3，而V表面坑产生层10中的n型掺杂浓度是1×1019cm-3），以及（2）设定较n型氮化物半导体层9要低的生长温度（n型氮化物半导体层9的生长温度是1050℃，而V表面坑产生层10的生长温度是820℃）。但是，本发明的发明者发现与V表面坑产生层10一样的效果仅通过上述的措施（1）和（2）中的一项而实现。”
　　涉案专利说明书[0086]段载明：“优选地，超晶格层12的厚度大于或等于40nm，更优选地，超晶格层12的厚度大于或等于50nm，且更优选地，超晶格层12的厚度大于或等于60nm。”
　　涉案专利说明书[0149]段载明：“当V表面坑产生层10存在时，V表面坑P的开始点VS存在于由P10-90代表的范围中，即位于V表面坑产生层10的上表面之上约30至50nm的位置处。”
　　涉案专利说明书[0174]载明：“在该氮化物半导体发光器件100中，设置有V表面坑产生层10。因此，V表面坑115部分地形成在上部MQW发光层114中，且V表面坑115的开始点的平均位置存在于超晶格层112中或在下部MQW发光层113中。”
　　本院认为：本案为侵害发明专利权纠纷。被诉侵权产品公证购买的时间以及本案一审立案受理的时间均为2020年9月，早于2020年修正的专利法开始施行之日（2021年6月1日），三某公司在一审中明确其请求的侵权损失为从涉案专利授权日（即2016年6月29日）起共计68个月的损失，由此三某公司主张的侵权损失应计算至2022年2月底，即三某公司主张华某股份公司实施侵权行为至少持续于2022年2月，而华某股份公司没有举证或者合理说明其是否停止侵权或者何时停止侵权。据此，可以合理认定被诉侵权行为持续至《中华人民共和国民法典》（以下简称民法典，自2021年1月1日起施行）和2020年修正的专利法施行后，审理本案纠纷应当适用民法典和2020年修正的专利法；一审法院在没有具体查明被诉侵权持续时间的情况下适用侵权责任法（于2021年1月1日废止）和2008年修正的专利法有误，本院予以纠正。但就本案争议的问题而言，本案适用侵权责任法和2008年修正的专利法抑或民法典（本案中因专利法的优先适用而可不具体予以援引）和2020年修正的专利法，基本上并不影响本案裁判结果（具体见下文论述）。根据案件事实以及双方当事人的诉辩意见，本案二审中的争议焦点为：（一）涉案专利权利要求1的保护范围；（二）被诉侵权技术方案是否落入涉案专利权的保护范围；（三）现有技术抗辩能否成立；（四）损害赔偿数额的确定。
　　（一）关于涉案专利权利要求1的保护范围
　　本案中，三某公司主张保护涉案专利权利要求1、3、6、7、8。涉案专利权利要求3、6、7、8系引用独立权利要求1或2的从属权利要求。结合各方诉辩主张，本案争议的核心问题在于被诉侵权技术方案是否落入涉案专利权利要求1的保护范围。
　　本案中，根据一审法院委托鉴定机构鉴定所查明的技术事实，各方当事人对被诉侵权产品具有与涉案专利权利要求1中“一种氮化物半导体发光器件”“多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和阱层所形成的层，该阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量”“V表面坑部分地形成于所述多量子阱发光层中”相同的技术特征没有异议。各方当事人的主要分歧在于关于“V表面坑产生层”“中间层”“V表面坑的开始点的平均位置”等权利要求用语及相关技术特征的理解。
　　根据2020年修正的专利法第六十四条第一款的规定（同2008年修正的专利法第五十九条第一款的规定），发明专利权的保护范围以权利要求书记载的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。在具体解释权利要求时，根据《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第二条、第三条的规定，应当根据权利要求的记载，结合本领域普通技术人员阅读说明书及附图后对权利要求的理解，确定权利要求的内容；对于权利要求，可以运用权利要求书记载、说明书及附图、专利审查档案进行解释；说明书对权利要求用语有特别界定的，从其特别界定；以上述方法仍不能明确权利要求含义的，可以结合工具书、教科书等公知文献以及本领域普通技术人员的通常理解进行解释。
　　1.关于如何理解“V表面坑的开始点的平均位置”
　　华某方认为“V表面坑的开始点的平均位置”并非半导体领域通用技术术语，且涉案专利权利要求和说明书也没有对其作出特别界定，因此，“V表面坑的开始点的平均位置”应理解为V表面坑的底部主要分布的位置，而无法求取一个统计数据上的平均值。三某公司认可“V表面坑的开始点的平均位置”并非通用技术术语，但认为涉案专利说明书中对该技术特征有明确界定，应以该界定为准。
　　本院经审查，双方均认可“V表面坑的开始点的平均位置”并非本领域的通用技术术语。该权利要求用语在本领域中没有一个公知的含义，属于专利权人在专利说明书中自定义词。在此情况下，根据《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第三条第一款关于“说明书对权利要求用语有特别界定的，从其特别界定”的规定，确定该自定义词的含义，首先应当审查专利说明书对该权利要求用语是否有特别界定；如果专利说明书中对此有特别界定，从其特别界定。根据涉案专利说明书[0073]段的记载，V表面坑的开始点指的是“V表面坑15的底部”；V表面坑的开始点的平均位置指的是“通过将沿氮化物半导体发光器件的厚度方向、形成于MQW发光层中的V表面坑的开始点的位置进行平均所获得的位置”。可见，涉案专利说明书对“V表面坑的开始点的平均位置”作出了特别界定。三某公司关于该技术特征的解释具有合理性，本院予以采纳。
　　2.关于如何理解“V表面坑产生层”
　　本案中，各方当事人均认可“V表面坑产生层”亦非本领域通用技术术语。华某方主张结合涉案专利说明书对该技术特征的界定以及三某公司在历次无效宣告请求审查（行政）程序中的陈述，“V表面坑产生层”属于功能性限定，应限定为说明书实施例记载的功能，即“V表面坑产生层”系通过高掺杂浓度的参数以及与中间层的相互配合，可以产生让V表面坑的开始点的平均位置落在中间层中而避免落入发光层这一效果的层结构。三某公司则主张涉案专利权利要求书与说明书及审查档案已经对“V表面坑产生层”作出明确限定，应解释为：第一，该层设置在氮化物半导体发光器件中的n型氮化物半导体层和中间层之间；第二，该层的n型掺杂浓度大于或等于5×1018ccm-3；第三，该层被用于将V表面坑的开始点的平均位置控制在V表面坑产生层之上的层中且不位于有效发光层中。
　　2020年修正的《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释（二）》第八条第一款规定：“功能性特征，是指对于结构、组分、步骤、条件或其之间的关系等，通过其在发明创造中所起的功能或者效果进行限定的技术特征，但本领域普通技术人员仅通过阅读权利要求即可直接、明确地确定实现上述功能或者效果的具体实施方式的除外。”我国专利制度遵循以公开换保护的基本逻辑，专利授权文本所确定的专利权的保护范围具有公示效力，权利要求解释的目的正是在于如何合理界定专利权的保护范围，兼顾社会公众的信赖利益。对专利权利要求和说明书的含义，应当要站位于本领域普通技术人员的视角进行理解；权利要求的解释（包括功能性特征的认定）既要考虑权利要求的字面含义等技术事实，又要考虑本领域普通技术人员的专业认知。对于功能性特征的认定，同样需要根据前述司法解释的规定，通过对该技术特征在技术方案中的限定作用以及本领域普通技术人员对该技术特征的理解进行判断。
　　本院经审查，认定“V表面坑产生层”不构成功能性限定。主要分析理据如下：判断权利要求中某一技术特征是否属于功能性特征时，不仅需要考虑有关用语与表述的字面含义，还需将该技术特征纳入权利要求限定的整体的技术方案中进行理解。如果权利要求已经限定或者隐含了以功能或者效果描述的特定技术特征的结构、组分、步骤、条件或其之间的关系等，即使该技术特征还同时明确或者限定了其所实现的功能或者效果，原则上亦不属于功能性特征。本案中，涉案专利权利要求1通过限定V表面坑产生层与n型氮化物半导体层及中间层的位置关系，直接限定了V表面坑产生层在氮化物半导体发光器件中的具体位置。此外，涉案专利权利要求1还限定了“V表面坑产生层”的n型掺杂浓度的参数范围（大于或等于5×1018cm-3）。因此，权利要求已经限定了“V表面坑产生层”的具体位置关系和组分，本领域技术人员能够理解其含义，其不属于功能性特征。因此，华某方关于涉案专利权利要求1中“V表面坑产生层”为功能性特征的上诉主张缺乏事实与法律依据，本院不予支持。对于上述技术特征的解释，仍应根据权利要求解释的一般规则予以确定。
　　对于一项发明专利的理解通常重点关注四个维度：一是所属技术领域，二是所要解决的问题，三是技术方案，四是技术效果。其中，确定技术领域是前提，而解决的问题是发明创造的出发点，技术效果是发明创造所追求的目标终点，而技术方案则是实现技术效果的具体路径。上述四个维度无法割裂而应当作为一个整体看待，以避免权利人获得的保护与其作出的技术贡献不相匹配。理解发明的目的是为了确定权利要求的内在合理含义。权利要求解释的对象是权利要求中的技术方案，应当以本领域普通技术人员在对专利要求保护的技术方案形成整体认知的基础上，结合权利要求的具体语境，对权利要求的保护范围作出合乎逻辑的界定，以符合发明目的和实现技术方案为指引。2020年修正的专利法第六十四条第一款规定：“发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。”概念是逻辑推理的起点，权利要求用语（含技术术语、普通词语、自定义词等）通常是专利权利要求书中的重要概念，故确定专利保护范围需要对这些权利要求用语进行合理解释。确定权利要求用语的含义时，一般应当根据《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第三条规定的解释规则合理确定。在此基础上，专利权人基于特定权利要求用语的解释主张被诉侵权技术方案具备相应技术特征的，不得在被诉侵权人提出现有技术抗辩中针对现有技术抗辩中该同一权利要求用语作出不同解释。
　　本案中，“V表面坑产生层”是涉案专利权利要求中一个重要的用语，但在本领域中没有一个公知的含义，而属于专利权人在专利说明书中自定义词，同样应当根据《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第三条第一款关于“说明书对权利要求用语有特别界定的，从其特别界定”的规定，结合专利说明书的具体描述合理确定其含义。涉案专利权利要求1中限定了“V表面坑产生层”的位置关系以及n型掺杂浓度的参数范围。并且，“V表面坑产生层”字面即具有一定的功能或效果含义，本领域技术人员在阅读涉案专利说明书第[0073]段记载的内容后将进一步了解“V表面坑产生层”所具备的功能或效果的内容，即“V表面坑产生层”是用于形成V表面坑的层，促使V表面坑的开始点的平均位置处于中间层中。结合三某公司在无效宣告请求审查（行政）程序中的陈述，其始终强调“V表面坑产生层”与中间层的相互配合关系，以及二者共同作用于V表面坑的开始点的平均位置的效果（即强调该效果或功能为其专利的发明点之一，该发明专利之前的现有技术尚未披露本领域中具备此位置特征和组分特征的类似结构相应具有该项效果或功能）。因此，涉案专利权利要求1中“V表面坑产生层”是指n型掺杂浓度大于或等于5×1018cm-3，设置在氮化物半导体发光器件中的n型氮化物半导体层和中间层之间的，与中间层相互配合共同用于控制V表面坑的开始点的位置的层。同时，根据涉案专利说明书[0144]段记载的内容，本领域技术人员将进一步了解作为V表面坑产生层10的形成条件，既可以单独通过设定n型掺杂浓度来实现，也可以单独通过V表面坑产生层10的生长温度来实现。因此，“V表面坑产生层”含义明确，由其位置特征、组分特征所确定，并对涉案专利说明书中声称的技术效果具有促进作用（凡是具有此位置特征和组分特征的，就能够具有一定的促进作用）；本领域普通技术人员阅读涉案专利权利要求书、说明书和专利审查档案后，完全可以知晓“V表面坑产生层”具有“三个特定”技术特征（即上述特定位置、特定组分、特定效果或功能）的含义，由此以“V表面坑产生层”的特定含义（即“三个特定”技术特征）为基准合理确定专利权的保护范围。而且，在本案诉讼中，涉案专利权人三某公司也继续明确主张以上述特定效果或功能限定其自定义词“V表面坑产生层”的含义。如果专利权人在专利说明书、专利审查档案中具有明显的意思以所述特定效果（目的）或功能限定其自定义词的含义，特别是考虑到该权利要求用语含义的进一步限定往往是其内涵的限缩，基于该自定义词的含义去解读专利权利要求会间接限缩专利保护范围。由此，在确定自定义词“V表面坑产生层”的含义时，可以以所述特定效果（目的）或功能限定其自定义词的含义，这样既有利于保护社会公众的信赖利益，也充分尊重专利权人的意思自治。其中涉及根据说明书解释权利要求用语与不能将说明书中的限制读入权利要求之间的平衡，该种平衡的关键在于说明书对权利要求用语含义有明确、特别的限定，但在权利要求书本身对用语有界定、说明书描述了多个技术效果、技术特征与技术效果没有明确的联系等情形中，一般不应以技术效果限定权利要求用语的含义。
　　基于上述对诉争“V表面坑产生层”与“V表面坑的开始点的平均位置”等权利要求用语含义的分析确定，整体解读涉案专利要求1的内容，可以看出一审法院关于涉案专利权利要求1保护范围的相关认定并无不当，本院予以维持。
　　（二）关于被诉侵权技术方案是否落入涉案专利权的保护范围
　　《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第七条规定：“人民法院判定被诉侵权技术方案是否落入专利权的保护范围，应当审查权利人主张的权利要求所记载的全部技术特征。被诉侵权技术方案包含与权利要求记载的全部技术特征相同或者等同的技术特征的，人民法院应当认定其落入专利权的保护范围；被诉侵权技术方案的技术特征与权利要求记载的全部技术特征相比，缺少权利要求记载的一个以上的技术特征，或者有一个以上技术特征不相同也不等同的，人民法院应当认定其没有落入专利权的保护范围。”此即为专利侵权判断所遵循的全面覆盖原则。
　　涉案专利保护一种氮化物半导体发光器件及其制造方法的发明，权利要求1所保护的技术方案主要通过多层结构、位置关系、组分、参数等技术特征进行限定。本案中，华某方主张709号鉴定意见书作出的程序违法且鉴定意见错误。对此，华某方的主要理由为：709号鉴定意见书缺少完整检测数据且未经质证，该报告形成与采纳过程中存在程序违法情形；该报告中计算“V表面坑产生层”的掺杂浓度错误，对V表面坑的开始点的平均位置的统计结果也存在错误；被诉侵权产品中所谓的“V表面坑产生层”与“V表面坑的开始点的平均位置”缺少因果关系。
　　审查认定709号鉴定意见书中鉴定意见的证明力，是本案侵权判断的重要事实基础。根据2023年修正的《中华人民共和国民事诉讼法》第七十九条的规定，当事人可以就查明事实的专门性问题向人民法院申请鉴定；人民法院对专门性问题认为需要鉴定的，应当委托具备资格的鉴定人进行鉴定。依照该法律规定，鉴定事项限于事实问题中需要利用专业科学技术知识等专门知识进行鉴别、认定、分析和判断的部分，即专门性事实问题，一般不包括利用普通知识、社会公知等非专门知识即可作出判断的事项，更不包括利用法律知识作出评判的事项。在实践中，某些鉴定意见可能在利用专门知识分析事实问题的同时，也就属于法律适用的内容作出分析和判断，并将法律判断直接或者间接体现在鉴定结论中。对此，人民法院应当区分需要利用专门知识分析判断的事实问题、不需要运用专门知识分析判断的事实问题以及需要运用法律知识评判的法律问题，结合全案证据综合审查判断鉴定意见的证明力；对不需要运用专门知识分析判断的事实问题以及需要运用法律知识评判的法律问题，人民法院应当独立作出评判，而不应直接或者单纯基于鉴定意见作出认定。在专利侵权判断方面，主要存在技术事实查明以及在事实查明基础上的法律适用两个部分。技术事实查明主要涉及被诉侵权技术方案以及具体技术特征的查明、被诉侵权技术方案与涉案专利技术特征的技术比对、被诉侵权技术方案落入涉案专利权保护范围的技术特征与现有技术方案中的相应技术特征的技术比对等。而法律适用则体现为依法运用适当解释方法合理确定专利权保护范围、在依法审查认定技术比对事实的基础上认定被诉侵权技术方案是否落入涉案专利权保护范围等。本案中，709号鉴定意见书既包括技术事实查明（被诉侵权产品V表面坑检测、SIMS检测等），也包括根据侵权判断规则作出侵权认定等部分法律适用内容。如上所述，709号鉴定意见书中涉及法律适用的分析和认定不影响本院对被诉侵权行为的独立判断，本院对该鉴定意见书主要审查其作出程序是否合法、技术检测方法是否科学合理、鉴定意见是否具有充分可靠的事实依据等影响技术事实查明客观性的具体事项。对此，本院审查认定如下：
　　1.关于709号鉴定意见书作出程序的合法性问题
　　本案与（2022）最高法知民终2433号案一审程序中，华某股份公司均申请通过鉴定查明两案相关技术事实。一审法院准许后，由华某方和三某公司共同选定了国家工信安全中心作为两案的鉴定机构。国家工信安全中心接受一审法院委托指定专家组成鉴定组进行鉴定。因国家工信安全中心不具备对被鉴定物（被诉侵权产品）检测的条件，在鉴定组确定检测方案的前提下，经华某方和三某公司同意，鉴定组委托闳康公司对被鉴定物进行检测。闳康公司检测后向鉴定组提供了相应的检测数据。鉴定组在上述检测数据的基础上作出涉案鉴定意见书。涉案鉴定意见书对上述鉴定过程以及鉴定所依据的检测数据均作出明确记载。因此，涉案鉴定意见书的作出符合法定程序，且经过双方质证。特别是，部分鉴定组成员在一审、二审程序中均出庭接受询问并陈述该检测数据的来源与依据等情况，符合法律规定。
　　虽然华某方对709号鉴定意见书中所依据的部分事实提出异议，但其所提异议尚不足以否定闳康公司检测数据的真实性。对此，本院具体分析认定如下：第一，关于华某方所称数据过少的问题，709号鉴定意见书第22页脚注部分详细记载了检测数据获得的过程。由于当事人要求在同一个芯片上完成V表面坑测量和SIMS检测，难度较大。涉案检测共进行了两次。第一次检测时，检测4个点共计检测到17个V表面坑，其平均开始点位于中间层。但因为所剩样品太小，后续无法进行SIMS检测，故未使用该检测数据。第二次检测时，为保证SIMS检测的顺利实施，只选择了两个点检测V表面坑。最终仅采集6个V表面坑进行检测主要是受实验条件所限，不能据此否定检测数据的客观性。第二，华某方主张709号鉴定意见书遗漏了V表面坑。仅凭图7左上部的阴影不足以确定其属于遗漏的V表面坑，也不能根据模糊的阴影图像判断其深度，华某方据此否定检测数据的客观性，缺乏事实依据。
　　综上所述，华某方关于鉴定组存在未向其提供全部检测数据、剥夺了其质证的诉讼权益等程序违法情形的主张，缺乏事实与法律依据，本院不予支持。
　　2.关于709号鉴定意见书中作出鉴定意见作出的方法与依据问题
　　（1）关于“V表面坑产生层”的掺杂浓度计算方法与依据
　　华某方认为，709号鉴定意见书中计算V表面坑产生层的掺杂浓度是用最高浓度来表征该层的浓度，而涉案专利权利要求1限定的是平均掺杂浓度，因而应计算被诉侵权产品488nm～529nm之间结构的平均n型掺杂浓度为4.285×1018cm-3[（3.62+5.29+6.11+2.12）×1018cm-3÷4=4.285×1018cm-3]，该数值小于涉案专利权利要求1限定的5×1018cm-3，故被诉侵权产品不存在高掺杂层。
　　关于709号鉴定意见书中鉴定方法是否准确的问题，根据该鉴定意见书的记载，由于被诉侵权产品样品过小，仅能实现低深度分辨率SIMS扫描，即以13nm～14nm为间隔厚度进行分段检测，结合图10可知芯片中Si浓度从448nm处开始明显增大（变为434nm处的2倍以上），至芯片深度在502nm～515nm时，Si浓度显著提高至5×1018cm-3以上，从529nm时Si浓度开始回落。根据涉案专利说明书[0015]段和[0017]段的记载，V表面坑产生层中的n型掺杂浓度显著地大于n型氮化物半导体层的最上表面中的n型掺杂浓度，且优选地大于或等于5×1018cm-3；优选地V表面坑产生层的厚度大于或等于5nm。由此可知，涉案专利权利要求1中并没有限定“V表面坑产生层”的具体厚度，涉案专利中V表面坑产生层通过位置关系以及n型掺杂浓度大于或等于5×1018cm-3的组分特征作出限定。涉案专利处于有效状态，由此可以推定符合涉案专利权利要求1限定的位置特征、组分特征的类似构成层均可以积极发挥对V表面坑的开始点的平均位置的控制作用（具体论述见下文）。据此，只要在被诉侵权产品中检测出存在一个相对独立、位于n型氮化物半导体层与中间层之间并具有上述n型掺杂浓度的构成层；如上所述，基于该构成层的位置与组分等特征，在没有相反证据情况下，可以同时推定该构成层对于控制V表面坑的开始点的位置具有促进作用；由此即可认定被诉侵权产品中具有涉案专利所述的“V表面坑产生层”。从技术鉴定的实际检测看，在被诉侵权产品（被检测产品）中存在一相较于其他层Si浓度显著更高的层，在502nm～515nm距离区间的约13nm厚度范围内Si浓度达到5.29×1018cm～3以上，而该位置正处于作为中间层的超晶格层下方并与之相邻设置，即位于n型氮化物半导体层与中间层之间，由此可以认定该层符合涉案专利中“V表面坑产生层”的基本特征，至少可以认定该被检测产品在502nm～515nm距离区间约13nm厚度范围内存在“V表面坑产生层”。在已经具备认定被诉侵权产品中存在该“V表面坑产生层”的情况下，华某方主张在502nm～515nm距离区间约13nm厚度范围之外扩大检测Si掺杂浓度的厚度范围（488nm～529nm之间）而增加扩大区间中两较小的Si掺杂浓度数值（3.62×1018cm-3、2.12×1018cm-3），由此将该扩大区间的Si掺杂浓度调整为4.285×1018cm-3。但是，无论该种数值计算是否可靠，均不能改变或者影响对被检测产品中至少在502nm～515nm距离区间约13nm厚度范围内存在“V表面坑产生层”的认定。总之，华某方所述应将488nm～529nm之间的Si掺杂浓度4个数值之和除以4计算平均掺杂浓度，系对涉案专利权利要求1中“V表面坑产生层中n型掺杂浓度大于或等于5×1018cm～3”的不当理解，不符合涉案专利权利要求的明确记载，也与涉案专利权利要求1中并未限定“V表面坑产生层”具体厚度不相协调，本院难以支持。一审法院认定被诉侵权产品存在高掺杂浓度的层，具有与涉案专利权利要求1中“所述V表面坑产生层中的n型掺杂浓度大于或等于5×1018cm-3”相同的技术特征，并无不当，本院予以维持。
　　（2）关于对V表面坑的开始点的平均位置的统计方法与计算依据
　　华某方主张709号鉴定意见书中所采用的V表面坑的数据过少，具有随机性，且疑似有部分V表面坑被遗漏而未予统计，特别是检测数据中的V表面坑-F-1为异常数据，应予以排除；将该异常数据排除后所得到的平均位置并不在中间层中。
　　关于检测数据中V表面坑的数据量的问题，本院分析认定如下：第一，前已述及，有关检测选取的点位较少，并非检测方法或方案有误，实因被鉴定物面积过小所限。在长和宽不足1毫米的芯片上既要进行V表面坑检测，又要通过SIMS扫描检测层结构厚度、元素含量及掺杂浓度，因此检测条件有限。在有限检测条件下，鉴定机构已尽可能在完成检测任务与科学反映技术事实之间寻求平衡。在此情况下，鉴定机构随机检测2个点位的V表面坑数量及进行测量，并无不当。第二，特别是，检测实际进行了两次，其中第一次检测了4个点，共计检测到17个V表面坑并进行了测量，经过分析V表面坑的开始点的平均位置位于中间层，但因为所剩样品太小无法进行SIMS检测，故未直接使用该检测数据；第二次检测时，为保证SIMS检测的顺利实施，只选择了两个点检测V表面坑。第三，最终采集6个V表面坑进行检测是实验条件所限，且两次检测结果可相互印证，足以证明检测数据的客观性。华某方的相关主张缺乏事实依据，本院不予支持。
　　关于是否存在疑似有部分V表面坑被遗漏而未予统计的问题，前已述及，华某方的该项主张缺乏事实依据，本院不予支持。
　　关于是否存在并应当去除异常数值的问题，本院经审查，F点位的V表面坑-F-1数值并未过度偏离正常范围，故不宜认定属于异常数值。第一，涉案专利权利要求限定的是V表面坑的开始点的平均位置，说明书中亦记载“V表面坑15的开始点的平均位置指的是通过将沿氮化物半导体发光器件的厚度方向、形成于MQW发光层14中的V表面坑15的开始点的位置进行平均所获得的位置”。鉴定机构对被鉴定物的检测方法并无不当，符合随机性要求。原则上，在计算平均位置时，所有随机选择的点均应计算在内。前已述及，因被鉴定物的面积过小，无法选择较多的点位检测，随机选择E、F两个点位检测并无不当，随机性选择的点位也符合统计学上的机会均等原则，均应考虑在内。第二，V表面坑是由芯片层中出现的晶格失调（即穿透位错）缺陷所致，而位错可能源自衬底并持续延伸至发光层中。因此，V表面坑的开始点的位置既可能位于发光层，也可能位于中间层，甚至可能位于n型氮化物半导体层中。根据鉴定机构检测数据，被诉侵权产品的中间层与多量子阱发光层顶面的距离区间在140.6nm（303.1nm-162.5nm）至343.1nm（505.6nm-162.5nm）之间，V表面坑-F-1开始点与多量子阱发光层顶面的距离为232.4nm，并未明显超出合理区间。在此情况下，华某方仅以V表面坑-F-1开始点检测结果为由主张该点的数值为异常值，缺乏事实依据。第三，根据709号鉴定意见书内容，鉴定机构第一次检测到的17个V表面坑，其开始点的平均位置在中间层中。第二次检测到的6个V表面坑中，不仅其开始点的平均位置位于中间层，且有3个V表面坑的开始点实际位置就在中间层中。前后两次检测的结果均得出被诉侵权产品V表面坑的开始点的平均位置在中间层的结论，可以进一步印证709号鉴定意见书中所鉴定的技术事实的客观性。
　　（3）关于对V表面坑产生层功能的认定
　　华某方主张被诉侵权产品中所谓的“V表面坑产生层”与V表面坑的开始点的平均位置缺少因果关系。其主要理由包括：第一，涉案专利说明书中V表面坑产生层仅能在其上较近范围内(如30nm~50nm范围)控制V表面坑的产生，且V表面坑产生层紧邻中间层。而被诉侵权产品中V表面坑的开始点的平均位置距离所谓的V表面坑产生层的距离为270nm左右，并相隔至少4个不同的半导体层。第二，被诉侵权产品所谓的V表面坑产生层之上Si浓度降低了一个数量级，足以屏蔽浓度高峰的影响，因而高掺杂层无法起到控制V坑产生的作用。第三，即便被诉侵权产品的V表面坑的开始点的平均位置在中间层，709号鉴定报告也不能证明该结果系V表面坑产生层导致的效果。
　　对此，本院经审查，华某方的上述主张缺乏事实与法律依据。本院具体分析认定如下：第一，前已述及，“V表面坑产生层”由其位置特征、组分特征所确定，并对涉案专利说明书中声称的技术效果具有促进作用（凡是具有此位置、组分特征的，就能够对其技术效果具有一定的促进作用）。另外，在案涉专利的授权程序中，基于专利权人关于位置、组分特征与效果之间的因果关系的意见陈述而使得案涉专利区别于现有技术而获得专利授权，且涉案专利目前仍处于有效状态，据此可以推定符合涉案专利权利要求1限定的位置、组分特征的类似构成层确实可以对V表面坑的开始点的平均位置有一定的促进作用。被诉侵权产品中在502nm～515nm距离区间的Si掺杂浓度、位置关系均与涉案专利权利要求1中掺杂浓度、位置关系相对应，因此可以推定被诉侵权产品中上述Si掺杂浓度、位置关系等结构也相应产生上述促进作用（效果）。此时，华某方否认被诉侵权产品中上述结构与效果之间存在正相关关系（因果关系），则证明责任应转移至华某方，由其提供足以反驳的相反证据，但本案中华某方并未提供相反证据。第二，涉案专利权利要求1中并未限定“V表面坑产生层”“中间层”的厚度，也没有限定“V表面坑产生层”对V表面坑的开始点的平均位置产生作用的距离区间。华某方以涉案专利说明书的内容限定权利要求1，认为在涉案专利权利要求1限定的技术方案中，“V表面坑产生层”对V表面坑的控制仅能在30nm~50nm较近的范围内发生作用，该主张缺乏事实依据。第三，涉案专利说明书仅限定了超晶格层的下限值，并未限定上限值。虽然涉案专利说明书[0149]段记载V表面坑P的开始点位于V表面坑产生层10的上表面之上约30nm至50nm的位置处，但此处为实施例的记载。说明书[0086]段记载超晶格层（中间层）的厚度大于或等于60nm；说明书[0174]段记载了V表面坑的开始点的平均位置存在于超晶格层112中或在下部多量子阱发光层113中。基于上述说明书记载，当V表面坑的开始点的平均位置在超晶格层时，涉案专利说明书仅限定了超晶格层厚度的下限值，并未限定其厚度的上限值。且专利记载V表面坑的开始点还可以位于下部多量子阱发光层中，即可以间隔超晶格层。故涉案专利并未明确限定V表面坑的开始点与V表面坑产生层之间的间距必然在30nm~50nm。第四，涉案专利中V表面坑产生层是利用在n型氮化物半导体层之上增加一层高掺杂层，加剧了源自衬底的穿透位错，使其开口更大形成V表面坑。即便高掺杂层上方具有低浓度层，位错仍然存在且可以延伸到较远区域。由709号鉴定报告图11右图可明显看出从衬底上方一条延伸至V坑-F-1的位错。可知穿透位错可以穿越n型氮化物半导体层、中间层在不同类型的层中一直继续延伸。因而被诉侵权芯片的高掺杂层虽然与V表面坑的开始点的位置距离较远，甚至二者间存在不同掺杂度的层，但基于位错延伸的距离可以较远，被诉侵权芯片的高掺杂层仍然可以产生使V表面坑顶点下移的作用。
　　综上所述，在有限的检测条件下，709号鉴定意见书关于被诉侵权芯片的层结构、组分、各层厚度、V表面坑测量数据（包括V表面坑的开始点的位置）等技术事实的查明具有客观性和科学性。该鉴定意见书足以证明，被诉侵权产品（芯片）从下到上，顺序排列有n型氮化物半导体层、V表面坑产生层（至少包括距离芯片顶面502nm～515nm的区间）、超晶格层（中间层）、多量子阱发光层和P型氮化物半导体层，多量子阱发光层通过交替堆叠势垒层和阱层所形成，阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，V表面坑的开始点的平均位置位于超晶格层（中间层）中，被诉侵权产品中距离芯片顶面502nm～515nm区间的Si掺杂浓度为5.29×1018cm～3至6.11×1018cm-3之间，大于5×1018cm-3，该“V表面坑产生层”可以积极发挥对V表面坑的开始点的平均位置的控制作用，上述被诉侵权技术方案的特征与涉案专利权利要求1的相关技术特征相同，符合全面覆盖原则。因此，被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求1的保护范围。
　　权利要求3系引用独立权利要求1或独立权利要求2的从属权利要求，进一步限定了“V表面坑产生层中的n型掺杂浓度大于或等于所述n型氮化物半导体层中的最上表面中的n型掺杂浓度的1.1倍”。经鉴定，被诉侵权产品中V表面坑产生层的掺杂浓度是n型氮化镓最上表面掺杂浓度的2.5倍，故被诉侵权技术方案具备与权利要求3附加技术特征相同的技术特征。基于上述事实以及被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求1的保护范围，被诉侵权技术方案亦落入引用权利要求1的权利要求3的保护范围。
　　权利要求6系引用独立权利要求1或独立权利要求2的从属权利要求，进一步限定了“V表面坑产生层的厚度大于或等于5nm”。经鉴定，被诉侵权产品中V表面坑产生层的厚度大于13nm，故被诉侵权技术方案具备与权利要求6附加技术特征相同的技术特征。基于上述事实以及被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求1的保护范围，被诉侵权技术方案亦落入引用权利要求1的权利要求6的保护范围。
　　权利要求7系引用独立权利要求1或独立权利要求2的从属权利要求，进一步限定了“中间层的厚度大于或等于40nm”。经鉴定，被诉侵权产品的中间层厚度大于或等于51.3nm，故被诉侵权技术方案具备与权利要求7附加技术特征相同的技术特征。基于上述事实以及被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求1的保护范围，被诉侵权技术方案亦落入引用权利要求1的权利要求7的保护范围。
　　权利要求8系引用独立权利要求1或独立权利要求2的从属权利要求，进一步限定了“中间层是通过交替堆叠宽带隙层和窄带隙层而形成的层，该窄带隙层的带隙能量低于宽带隙层的带隙能量”。经鉴定，被诉侵权产品亦具有该附加技术特征，故被诉侵权技术方案具备与权利要求8附加技术特征相同的技术特征。基于上述事实以及被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求1的保护范围，被诉侵权技术方案亦落入引用权利要求1的权利要求8的保护范围。
　　综上所述，一审法院关于被诉侵权产品侵害了涉案专利权的认定并无不当；华某股份公司关于被诉侵权技术方案不落入涉案专利权利要求的保护范围的上诉主张不能成立，本院不予支持。
　　（三）关于现有技术抗辩能否成立
　　2020年修正的专利法第六十七条（同2008年修正的专利法第六十二条）规定：“在专利侵权纠纷中，被控侵权人有证据证明其实施的技术或者设计属于现有技术或者现有设计的，不构成侵犯专利权。”根据《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第十四条第一款的规定，被诉落入专利权保护范围的全部技术特征，与一项现有技术方案中的相应技术特征相同或者无实质性差异的，人民法院应当认定被诉侵权人实施的技术属于专利法规定的现有技术。
　　华某股份公司提出现有技术抗辩的主要理由有三：一审法院审理程序违法；710号鉴定意见书中鉴定组多数成员的意见结论错误，鉴定组少数成员的意见结论正确；一审法院关于现有技术抗辩的认定标准与侵权认定的标准存在明显矛盾。
　　1.关于一审法院是否存在审理程序违法的情形
　　华某股份公司主张，一审法院没有通知鉴定组少数成员出庭接受询问，违反法定程序。
　　根据2023年修正的《中华人民共和国民事诉讼法》第八十一条的规定，当事人对鉴定意见有异议或者人民法院认为鉴定人有必要出庭的，鉴定人应当出庭作证；经人民法院通知，鉴定人拒不出庭作证的，鉴定意见不得作为认定事实的根据。
　　本案中，一审法院委托国家工信安全中心鉴定，委托鉴定事项包括：就被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求1、3、6、7、8的相应技术特征，是否全部记载在涉案现有技术文献中。该鉴定既包括技术事实的查明，也包括现有技术抗辩是否成立的判断。前已述及，原则上，人民法院仅就查明事实的专门性问题委托鉴定机构进行鉴定，法律适用问题则属于法院行使审判权的职责所在，而不应由鉴定机构作出。710号鉴定意见书中关于现有技术抗辩的法律问题分析与认定仅可作为人民法院审理的参考，有关法律问题需由人民法院独立作出判断。因此，一审法院通知鉴定人出庭，重点围绕技术事实查明，对鉴定过程的程序合法性与鉴定方法和鉴定结论的客观性、中立性、专业性进行审查。
　　本案的特殊之处在于，710号鉴定意见书在现有技术抗辩方面出现了两种意见，鉴定组多数成员认为现有技术抗辩不能成立，鉴定组少数成员则认为现有技术抗辩成立。为此，710号鉴定意见书还特别将鉴定组少数成员出具的《比对分析报告》作为附件载明。结合710号鉴定意见书内容，三名鉴定组成员的分歧主要出于对涉案专利权利要求保护范围以及现有技术抗辩的法律分析层面的认知差异，即分歧主要在于法律适用部分；而对于该鉴定意见书所查明的技术事实，三名鉴定组成员均予以认可。因此，一审法院根据华某方申请，通知鉴定人员出庭，目的在于对710号鉴定意见书所作出的技术事实查明出庭接受询问，而并非对现有技术抗辩法律适用问题出庭接受询问。基于出庭的鉴定人员已经就鉴定中所涉技术事实部分作出说明，即已实现鉴定人员出庭的主要目的，保障了各方当事人的诉讼权利。因此，难以认定一审法院存在程序违法情形。
　　2.关于710号鉴定意见书中的鉴定意见是否成立
　　前已述及，原则上，人民法院仅就查明事实的专门性问题委托鉴定机构进行鉴定，法律认定仍属于人民法院独立作出判断的职责范围而不应由鉴定机构作出。因此，710号鉴定意见书无论是多数意见，还是少数意见，其对于本案现有技术抗辩的法律意见仅具有参考价值，而不具有鉴定意见的证明力。故华某股份公司上诉称710号鉴定意见书结论有误的主张已经被其现有技术抗辩主张所涵盖，本院将在下文中予以分析。
　　3.关于现有技术抗辩是否成立
　　本案中，一审法院认定华某方的现有技术抗辩不能成立的理由为：涉案现有技术文献未提及控制V表面坑开始点的位置，也没有公开通过形成V表面坑产生层来控制V表面坑的开始点的位置的技术特征。华某股份公司上诉主张：一审法院在侵权判断中不要求权利人证明V表面坑产生层存在权利要求限定的功能（控制V表面坑的开始点的平均位置在中间层），但在现有技术抗辩中又要求被诉侵权人证明现有技术公开了上述功能，存在标准适用上的冲突；一审法院既然认定了被诉侵权技术方案在具备权利要求1所限定的掺杂浓度、位置关系等结构技术特征的基础上，通过上述结构特征推定被诉侵权产品中V表面坑产生层具备控制V表面坑的开始点的平均位置的功能，那么在现有技术抗辩中，同样应当基于涉案现有技术文献公开的掺杂浓度、位置关系认定该文献所记载的技术方案中公开了通过V表面坑产生层控制V表面坑的开始点的平均位置的技术特征。
　　对此，本院经审查指出，现有技术抗辩比对方法应当回归被诉侵权技术方案本身，以涉案专利权利要求的技术特征为参照，确定被诉侵权技术方案中对应的技术特征，然后将被诉侵权技术方案落入涉案专利权保护范围的具体技术特征与一项现有技术方案中的相应技术特征进行比对；两者相同或者无实质性差异的，可以认定被诉侵权技术方案实施的是现有技术，现有技术抗辩成立；如果有一项或者一项以上技术特征存在实质性差异的，则现有技术抗辩不能成立。
　　本案被诉侵权技术方案落入涉案专利权利要求1、3、6、7、8的全部技术特征，其相应的技术特征为：被诉侵权芯片产品从下到上，顺序排列有n型氮化物半导体层、V表面坑产生层（至少包括距离芯片顶面502nm～515nm的区间）、超晶格层（中间层）、多量子阱发光层和P型氮化物半导体层，多量子阱发光层通过交替堆叠势垒层和阱层所形成，阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量；V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，V表面坑的开始点的平均位置位于超晶格层（中间层）中，被诉侵权产品中距离芯片顶面502nm～515nm区间的Si掺杂浓度为5.29×1018cm～3至6.11×1018cm-3之间。
　　（1）关于涉案现有技术文献是否公开了V表面坑的技术特征
　　涉案现有技术文献公开了凹坑产生的机理及其不同的形态，包括：衬底导致晶格与氮化镓之间失配，位错缺陷表现为“V”形或围绕位错的凹坑；开口的凹坑呈现为“V”形；由于凹坑的锥形形状，凹坑的横截面是可见的。此外，该文献附图2中凹坑310呈现为V形，起始于超晶格16中，凹坑贯穿有源区18；附图3中凹坑也呈现为V形，具有延伸到凹坑中的有源层、覆盖层等。可见，对比文献中“凹坑”包括未开口的凹坑以及开口的凹坑（V表面坑），其中图2、图3所指的凹坑均相当于涉案专利的V表面坑，故对比文献具有被诉侵权技术方案中V表面坑的技术特征，两者相同。
　　（2）关于涉案现有技术文献是否公开了V表面坑产生层的技术特征
　　关于掺杂浓度相关的技术特征，涉案现有技术文献公开了超晶格层，也公开了存在第二GaN层可以掺杂的Si的浓度为1×1017cm-3至约5×1019cm-3，该浓度范围涵盖了一个较大数值区间的范围。被诉侵权产品中距离芯片顶面502nm～515nm区间的Si掺杂浓度为5.29×1018cm-3至6.11×1018cm-3之间，是一个极小的数值区间，相比涉案现有技术文献中较大的范围数值区间，两者在此技术特征上存在明显差异。在案证据也不能证明在涉案现有技术文献公开Si的浓度为1×1017cm-3至约5×1019cm-3的基础上，本领域技术人员容易想到或者通过有限次实验能够选择Si掺杂浓度为5.29×1018cm-3至6.11×1018cm-3这一较小区间的技术方案。因此，二者在掺杂浓度的技术特征上不构成“相同或者无实质性差异”。
　　关于层结构位置关系的技术特征，即便认定涉案现有技术文献中第二GaN层属于V表面坑产生层，则超晶格层16应当对应于中间层，但涉案现有技术文献中并无第二GaN层可以为“凹坑产生层”的记载，反而多处强调“凹坑产生层”可以是超晶格层。因此，涉案现有技术文献并未公开被诉侵权产品相应的层结构位置关系的相关技术特征。
　　关于V表面坑的开始点的平均位置的技术特征，本院分析认定如下：第一，被诉侵权技术方案具有V表面坑的开始点的平均位置位于中间层的技术特征。而涉案现有技术文献并未公开V表面坑的开始点的平均位置位于中间层的技术特征。第二，特别是，根据涉案现有技术文献记载，多个凹坑中的至少一个凹坑可以源自设置在所述凹坑开口区和其上设置有所述凹坑开口区的衬底之间的层中；凹坑可以在凹坑开口层中或在凹坑开口层下面的一层或多层中产生；凹坑可以在发光器件结构中的许多不同位置形成，例如可以形成在凹坑开口层和衬底之间的缓冲层，或者形成在凹坑开口层本身中；在该文献的图2中凹坑310被示出为起始于超晶格16中，同时也记载了凹坑310也可以在超晶格16下面的一层或多层中产生，并通过超晶格16增大凹坑310的开口。基于上述相关记载，涉案现有技术文献虽然已经公开了V表面坑产生层在形成V表面坑（打开凹坑成为V形坑）的作用，但其显然重在强调通过凹坑产生层打开穿透位错处形成的凹坑的技术手段，而不关注凹坑打开后所形成的V表面坑的开始点的位置。本领域技术人员在阅读涉案现有技术文献后也不能直接、毫无疑义地得出V表面坑的开始点的平均位置在超晶格层16（中间层）的结论。第三，华某方主张一审法院在侵权认定以及现有技术抗辩认定中采用了不同的标准，主要涉及是否需要进一步比对涉案现有技术文献中是否公开了通过设置V表面坑产生层结构来控制V表面坑的开始点的位置的技术效果。本院经审查，判断被诉侵权技术方式是否落入涉案专利权保护范围与判断现有技术抗辩是否成立的标准本身有所不同，但二者在具体的技术特征比对范围上总体上应当保持一致。如果在审查现有技术抗辩环节，进行技术特征比对时已经发现现有技术文献中并没有公开被诉落入专利权保护范围的部分结构特征，则一般没有必要再进一步比对上述结构所对应的技术效果。本案侵权判断是在查明被诉侵权产品符合涉案专利权利要求1中全部结构特征之后作出的合理认定，包括通过鉴定查明被诉侵权产品中具备V表面坑产生层的掺杂浓度，特别是V表面坑的开始点的平均位置位于中间层这一表征V表面坑产生层内在效果或功能的结构性特征。因此，基于同样的逻辑，如果涉案现有技术文献公开了被诉侵权产品中V表面坑产生层的掺杂浓度、V表面坑的开始点的平均位置位于中间层的技术特征，则华某方的现有技术抗辩成立，即华某方现有技术抗辩成立的前提条件在于现有技术文献公开的V表面坑产生层掺杂浓度、位置关系与被诉侵权产品落入涉案专利权利要求1的相关技术特征构成相同或无实质性差异。前已述及，二者在掺杂浓度、位置关系上并不构成“相同或者无实质性差异”的情形，至此已无必要进一步审查比对该结构特征所对应的技术效果。故华某方的该项主张不能成立。涉案现有技术文献并不具备“V表面坑的开始点的平均位置在中间层”的相关技术特征，其中所体现的现有技术特征与被诉侵权技术方案相应技术特征不同。
　　综上所述，因被诉侵权技术方案关于V表面坑掺杂浓度的技术特征与涉案现有技术文献的相应技术特征存在实质性差异，且涉案现有技术文献并不具备V表面坑的开始点的平均位置在中间层的技术特征，华某方的现有技术抗辩不能成立。一审法院直接完全认定710鉴定意见书的证明力，而未具体区分其中技术事实问题（查明事实的专门性问题）与法律适用问题进一步分别分析并作出认定，有失严谨，但最终认定结论正确，本院在纠正其说理的基础上维持其结论。
　　（四）关于一审法院确定的损害赔偿数额是否适当
　　华某股份公司未经三某公司许可，实施了涉案专利，应当承担损害赔偿的民事责任。根据2020年修正的专利法第七十一条第一款至第三款的规定，侵犯专利权的赔偿数额按照权利人因被侵权所受到的实际损失或者侵权人因侵权所获得的利益确定；实际损失或者侵权人获得的利益难以确定的，参照该专利许可使用费的倍数合理确定；权利人的损失、侵权人获得的利益和专利许可使用费均难以确定的，人民法院可以根据专利权的类型、侵权行为的性质和情节等因素，确定给予三万元以上五百万元以下的赔偿；赔偿数额还应当包括权利人为制止侵权行为所支付的合理开支。
　　本案中，三某公司主张以华某方的侵权获利计算本案的损害赔偿数额，为此提供了被诉侵权产品单价（143.4元/片）、华某股份公司历年的年度报告等证据；三某公司主张华某方在68个月的侵权期间内侵权获利超过4000万元。华某方提交了《关于***S7AA系列产品毛利情况说明》，以证明其并未因制造、销售被诉侵权产品而获利。一审法院以该情况说明未附完整的审计报告为由对其所附***S7AA系列产品的销售数据不予采信，并无不当。一审法院结合被诉侵权产品的性质、侵权持续时间、华某股份公司年度报告中关于LED芯片的销售数据、华某股份公司销售的芯片产品种类等因素，酌情确定损害赔偿金额为300万元，并无明显不当；三某公司对此也未提起上诉，本院予以维持。华某股份公司关于本案损害赔偿金额不应超过涉案专利转让价款的主张，缺乏事实与法律依据。本案专业性强，技术事实和法律问题复杂，三某公司在本案中主张的公证费、单方委托“鉴定”（即出具专业意见）的费用以及律师费均有相关票据支持，其一审、二审程序中均委托了律师参加诉讼，一审法院全额支持其合理开支的主张，亦无不当。前已述及，华某股份公司关于涉案鉴定意见书的作出存在程序违法情形的主张不能成立，故其关于应当酌减其鉴定费用负担的主张亦不能成立。
　　综上所述，华某股份公司的上诉请求不能成立，应予驳回；一审判决认定事实基本清楚，适用法律虽存在瑕疵，但裁判结果并无不当。本院依照2023年修正的《中华人民共和国民事诉讼法》第一百四十七条、第一百七十七条第一款第一项、《最高人民法院关于适用<中华人民共和国民事诉讼法>的解释》第三百三十二条之规定，判决如下：
　　驳回上诉，维持原判。
　　二审案件受理费38840元，由京某方华某光电股份有限公司负担。
　　本判决为终审判决。